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CIGS 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된태양전지의 광흡수층

  • 기술번호 : KST2015142998
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지의 광흡수층에 관한 것이다. 본 발명의 CIGS 박막 제조방법은, (S1) 구리 원료 전구체, 인듐 원료 전구체, 갈륨 원료 전구체 및 셀레늄 원료 전구체를 물 또는 완충액과 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; (S2) 포텐셔스탯에 연결되는 작업 전극 및 상기 작업 전극의 상대 전극을 상기 혼합 용액에 침지시키는 단계; (S3) 상기 포텐셔스탯에 전압을 인가하여 작업 전극에 CIGS 박막을 전착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 전착법을 이용하여 CIGS 박막을 간단하고 효율적인 방법으로 제조할 수 있다. 특히, 공정 조건을 최적화함으로써, CIGS 박막의 성능을 더욱 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 CIGS 박막 제조방법은 광흡수층 제조 등 태양전지 관련 산업에 널리 활용될 것으로 기대된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01)H01L 31/0322(2013.01)H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020080047673 (2008.05.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0121660 (2009.11.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정덕영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 정순철 대한민국 인천광역시 남구
3 장주연 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0364844-23
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0019293-78
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0163814-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0238634-23
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0238628-59
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0339607-38
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2010.09.03 수리 (Accepted) 7-1-2010-0037309-81
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0045148-69
9 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2010.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0555663-96
10 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2011.01.04 수리 (Accepted) 7-8-2011-0000191-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 구리 원료 전구체, 인듐 원료 전구체, 갈륨 원료 전구체 및 셀레늄 원료 전구체를 물 또는 완충액과 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; (S2) 포텐셔스탯에 연결되는 작업 전극 및 상기 작업 전극의 상대 전극을 상기 혼합 용액에 침지시키는 단계; (S3) 상기 포텐셔스탯에 전압을 인가하여 작업 전극에 CIGS 박막을 전착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (S3) 단계는 40 내지 100℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (S3) 단계에서 상기 포텐셔스탯에 인가되는 전압은 -300 mV 내지 -1200 mV인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (S1) 단계는 상기 혼합 용액의 pH를 1 내지 5로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 구리 원료 전구체는 CuCl2, Cu(NO3)2, CuSO4, Cu(CH3COO)2 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 인듐 원료 전구체는 InCl3, In(NO3)3, In(CH3COO)3, In2(SO4)3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 갈륨 원료 전구체는 GaCl3, Ga(NO3)3, GaI3 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 셀레늄 원료 전구체는 SeO2, H2SeO3, SeCl4 및 이들의 수화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 CIGS 박막의 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 CIGS 박막의 제조방법을 이용하여 제조된 태양전지의 광흡수층
10 10
제9항에 있어서, 상기 광흡수층은 1 내지 3 ㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지의 광흡수층
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 과학재단 성균관대학교 산학협력단 국가지정연구실사업 차세대 태양전지용 재료 및 공정기술 개발