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나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 단결정질 실리콘 기판 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143209
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로 실리콘 태양전지에 사용될 수 있는 실리콘 기판의 표면에 나노 다공성 구조를 형성함으로써 반사도를 감소시키며 캐리어의 수명을 향상시켜 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는, 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 태양전지, 실리콘 기판, 나노 다공성 구조
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020090089413 (2009.09.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0032092 (2011.03.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성철 대한민국 성균관대학교 자연과학
3 양두환 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0580656-92
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0295503-13
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0558117-92
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0558118-37
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0073721-43
6 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.03.12 수리 (Accepted) 7-1-2012-0011739-71
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0280297-38
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0295843-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0264445-71
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질산과 불산을 혼합하여 산성 혼합용액을 제조한 후, 상기 산성 혼합용액을 산성 혼합용액의 1~5배 부피 비의 물과 혼합하여, 희석된 산성 혼합용액을 제조하는 단계(단계 1); 및 상기 단계 1에서 제조한 희석된 산성 혼합용액에 실리콘 기판을 침지시켜 상기 실리콘 기판의 표면에 나노 다공성 구조를 형성하는 단계(단계 2)를 포함하는 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조방법
2 2
청구 항 1에서, 상기 단계 1에서 산성 혼합용액은 질산과 불산을 1:10 내지 10:1의 부피 비로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조방법
3 3
청구 항 1에서, 상기 실리콘 기판이 단결정질 실리콘 기판, 다결정질 실리콘 기판, 또는 비가공된 결정질 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조방법
4 4
청구 항 1에서, 상기 단계 2가 25 내지 60℃의 온도에서 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조방법
5 5
청구 항 1에서, 상기 단계 2에서는 실리콘 기판을 희석된 산성 혼합용액에 1분 내지 50분 동안 침지시키는 것을 특징으로 하는 나노 다공성 구조가 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조방법
6 6
질산과 불산을 혼합한 산성 혼합용액 및 상기 산성 혼합용액의 1~5배 부피 비의 물을 혼합한 희석된 산성 혼합용액에 실리콘 기판을 침지시킴으로써 상기 실리콘 기판의 표면에 나노 다공성 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
7 7
청구 항 6에서, 상기 산성 혼합용액은 질산과 불산을 1:10 내지 10:1의 부피 비로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 단결정질 실리콘 기판, 다결정질 실리콘 기판, 또는 비가공된 결정질 실리콘 태양전지용 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부 과학재단 도약연구지원사업-(구)NRL 차세대 태양전지용 재료 및 공정기술 개발