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다공성 고분자 기재의 외부 표면 및 내부 기공 표면에 화학기상증착법 (chemical vapor deposition: CVD)을 이용하여 무기 산화물 박막을 형성하고; 및,상기 다공성 고분자 기재에 형성된 무기 산화물 박막에 원자층 증착법 (atomic layer deposition: ALD)을 이용하여 금속산화물 박막을 형성하는 것을 포함하는, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 무기 산화물 박막 형성을 위한 화학기상증착법은 상온 및 상압에서 수행되는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 무기 산화물 박막 형성을 위한 화학기상증착법에 사용되는 무기물 전구체는 상기 다공성 고분자 기재의 외부 표면 및 내부 기공 표면에 나노미터 두께로 코팅되는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 고분자 기재는 5% 내지 95%의 기공도를 갖는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 다공성 고분자 기재는 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 선형저밀도 폴리에틸렌, 고분자량 폴리에틸렌, 폴리프로필렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리아세탈, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르설폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리에틸렌나프탈렌, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 무기 산화물은, 유전율 상수가 5 이상인 무기 산화물, 리튬 이온 전달 능력을 갖는 무기 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 유전율 상수가 5 이상인 무기 산화물은 SiO2, BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), 하프니아(HfO2), SrTiO3, CeO2, MgO, NiO, CaO, ZnO, ZrO2, Y2O3, Al2O3, TiO2, SiC, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기 산화물 박막은 상기 다공성 고분자 기재의 외부 표면 및 내부 기공 표면에 5 ㎛ 미만의 두께로서 형성되는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재의 두께는 1 ㎛ 내지 100 ㎛인 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 고분자 기재의 기공 크기는 0
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물은, Al2O3, ZrO2, TiO2, SnO2, CeO2, ZnO, MgO, CaO, SrO, BaO, Na2O, B2O3, Mn2O3, Y2O3, WO3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 원자층 증착법은 60℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 박막의 두께가 100 nm 이하인, 유기-무기 복합 다공성 분리막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되어,다공성 고분자 기재의 외부 표면 및 내부 기공 표면에 형성된 무기 산화물 박막; 및, 상기 무기 산화물 박막에 형성된 금속산화물 박막을 포함하는, 유기-무기 복합 다공성 분리막
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제 14 항에 있어서, 상기 유기-무기 복합 다공성 분리막은 전기화학소자용인, 유기-무기 복합 다공성 분리막
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제 14 항에 따른 유기-무기 복합 다공성 분리막, 양극, 음극, 및 전해질을 포함하는, 전기화학소자
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제 16 항에 있어서, 상기 전기화학소자는 리튬이차전지를 포함하는 것인, 전기화학소자
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