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하기 화학식 1로 표시되며,상기 화학식 1에서 R은 하기 화학식 2로 표시되며, n은 양의 정수이고,상기 화학식 2의 R1, R2 및 R3는 각각 하기 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5(n은 양의 정수)(n은 양의 정수)(n은 양의 정수)에 표시된 군에서 선택된 어느 하나인 유기 절연막
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제1항에서, 상기 화학식 1은 서로 같거나 다른 R을 포함하는 유기 절연막
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제1항에서, 상기 화학식 1은 -OCO(CH2)8CH3로 표시되는 적어도 하나의 R을 포함하는 유기 절연막
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제1항에서, 상기 화학식 1은 -OCO(CH2)8CH3로 표시되는 적어도 하나의 R 및 -CH2CH2CN으로 표시되는 적어도 하나의 R을 포함하는 유기 절연막
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제4항에서, 상기 -OCO(CH2)8CH3로 표시되는 R은 화학식 1에서 R의 총 개수에 대하여 30 내지 100%로 포함되는 유기 절연막
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기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며 게이트 전극을 포함하는 게이트선,상기 게이트선을 덮는 게이트 절연막,상기 게이트 절연막 상부에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 데이터선과 마주하는 드레인 전극,상기 데이터선 및 드레인 전극의 상부 또는 하부에 형성되어 있는 반도체층, 및상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며,상기 게이트 절연막은 하기 화학식 1로 표시되고,상기 화학식 1에서 R은 하기 화학식 2로 표시되며, n은 양의 정수이고,상기 화학식 2의 R1, R2 및 R3는 각각 하기 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5 (n은 양의 정수)(n은 양의 정수)(n은 양의 정수)에 표시된 군에서 선택된 어느 하나인 유기 물질로 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판
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제6항에서, 상기 화학식 1은 서로 같거나 다른 R을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
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제6항에서, 상기 화학식 1은 -OCO(CH2)8CH3로 표시되는 적어도 하나의 R을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
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9
제6항에서, 상기 화학식 1은 -OCO(CH2)8CH3로 표시되는 적어도 하나의 R 및 -CH2CH2CN으로 표시되는 적어도 하나의 R을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판
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10
제9항에서, 상기 -OCO(CH2)8CH3로 표시되는 R은 화학식 1에서 R의 총 개수에 대하여 30 내지 100%로 포함되는 박막 트랜지스터 표시판
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제6항에서, 상기 반도체층은 펜타센(pentacene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리플루오렌(polyfluorene), 구리 프탈로시아닌(copper pthalocyanine), 이들의 올리고머 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 유기물로 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판
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12
제6항에서, 상기 기판은 플라스틱으로 이루어지는 박막 트랜지스터 표시판
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기판 위에 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 위에 반도체층, 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 및상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 게이트 절연막은 하기 화학식 1로 표시되고,상기 화학식 1에서 R은 하기 화학식 2로 표시되며, n은 양의 정수이고,상기 화학식 2의 R1, R2 및 R3는 각각 하기 화학식 3, 화학식 4 및 화학식 5 (n은 양의 정수)(n은 양의 정수)(n은 양의 정수)에 표시된 군에서 선택된 어느 하나인 유기물질로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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제13항에서, 상기 게이트 절연막은 스핀 코팅, 프린팅 또는 침지(dipping) 방법으로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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제13항에서, 상기 반도체층은 펜타센(pentacene), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리플루오렌(polyfluorene), 구리 프탈로시아닌(copper pthalocyanine), 이들의 올리고머 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 유기물로 형성하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
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