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기판의 표면 세척 공정과, 타이타늄 산화물의 작업 전극 형성 공정과, 고온 열처리 공정과, 백금 도포된 상대 전극 형성 공정과, 전해질 주입 공정을 포함하는 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법에 있어서,상기 타이타늄 산화물의 작업 전극 형성 공정은, RF 스퍼터링을 통한 타이타늄 산화물 타겟을 이용하며 기판의 온도를 변화시킴으로써, 기판에 수직으로선 기둥 모양의 기공도가 높은 타이타늄 산화물층을 형성하여, 표면적 증대를 통한 염료 흡착 장소를 넓히는 것을 특징으로 하는, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 작업 전극에 사용하는 기판은, 투명전도성이 있는 거친(rough) 박막을 이용할 수 있으며, 불소 도핑된 SnO2, 인듐 도핑된 SnO2, 안티몬 도핑된 SnO2, 인듐 도핑된 ZnO 중 어느 하나 이상으로 코팅된 유리 기판을 사용하는 것인, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,스퍼터링 증착 조건으로서, RF 파워의 범위는 10~200W 범위이며, 증착 거리는 5~25Cm의 범위로 조정가능한, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 작업 전극의 기판 온도는 25~450℃의 범위로 조절 가능한, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링 압력은 10~50 mtorr로 조정이 가능한, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리 공정은 공기 또는 산소 분위기에서 실행되며, 박막 형성 후 320~500℃ 온도 범위 내에서, 5~50분의 시간 범위로 조정가능한, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기공도는 50~65% 범위 내의 값을 갖도록 하는, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 작업 전극은 아나타제 상 및 루타일 상의 공존상으로 구성되는, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 아나타제 상과 루타일 상의 공존비율은 2:1인, 염료 감응 태양 전지의 작업 전극 제조 방법
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