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다결정 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법
- 기술번호 : KST2015160315
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 투명한 절연기판과, 상기 투명한 절연기판 상에 패터닝되어 형성된 후면전극과, 상기 투명한 절연기판상에 상기 후면전극의 일측이 노출되도록 형성되며 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화된 제 1 도전형 다결정 실리콘층과, 상기 제 1 도전형 다결정 실리콘층 상에 형성되며 상기 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되어 입사되는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 진성 다결정 실리콘으로 이루어진 광흡수층과, 상기 광흡수층 상에 형성되며 상기 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되는 제 2 도전형 다결정 실리콘층과, 상기 제 2 도전형 다결정 실리콘층 상에 형성되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 형성되는 상기 후면전극과 대응되게 형성된 전면전극을 포함한다. 따라서, 광흡수층을 응력유도 저온결정화(SILC) 방법으로 결정화므로 대면적의 결정화가 가능할 뿐만 아니라 금속 등의 오염이 없는 다결정 실리콘을 형성할 수 있어 광전 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 응력유도 저온결정화(SILC), 다결정 실리콘, 광흡수층, 재결합, 태양전지 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | H01L 31/182(2013.01) H01L 31/182(2013.01) H01L 31/182(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080032637 (2008.04.08) |
| 출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
| 등록번호/일자 | 10-0965982-0000 (2010.06.16) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0107237 (2009.10.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100624) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.04.08) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주승기 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이재화 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0252936-87 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.04.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0053799-43 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.05.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0340753-15 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.05.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0035079-72 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.12.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0521829-13 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.01.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0009425-83 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0009427-74 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.05.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0216337-10 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 투명한 절연기판과, 상기 투명한 절연기판 상에 패터닝되어 형성된 후면전극과, 상기 투명한 절연기판상에 상기 후면전극의 일측이 노출되도록 형성되며 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화된 제 1 도전형 다결정 실리콘층과, 상기 제 1 도전형 다결정 실리콘층 상에 형성되며 상기 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되어 입사되는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 진성 다결정 실리콘으로 이루어진 광흡수층과, 상기 광흡수층 상에 형성되며 상기 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되는 제 2 도전형 다결정 실리콘층과, 상기 제 2 도전형 다결정 실리콘층 상에 형성되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 형성되는 상기 후면전극과 대응되게 형성된 전면전극을 포함하는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 제 1 도전형 다결정 실리콘층, 광흡수층 및 제 2 도전형 다결정 실리콘층은 각각 제 1 도전형 비정질 실리콘층, 진성 비정질 실리콘 및 제 2 도전형 비정질 실리콘이 100 ∼ 10000Å, 0 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 응력유도 저온결정화(SILC) 방법은 580 ∼ 1000℃의 온도로 1 ∼ 60분 동안 열처리하는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 4 |
4 투명한 절연기판과, 상기 투명한 절연기판 상에 패터닝되어 형성된 후면전극과, 상기 투명한 절연기판상에 상기 후면전극의 일측이 노출되도록 형성되며 에너지를 가지는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 제 1의 전지부와, 상기 제 1의 전지부 상에 형성된 층간절연층과, 상기 층간절연층 상에 형성되며 상기 제 1의 전지부 보다 큰 에너지를 가지는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 제 2의 전지부와, 상기 제 2의 전지부 상에 형성되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 형성되는 상기 후면전극과 대응되게 형성된 전면전극을 포함하는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 5 |
5 투명한 절연기판과, 상기 투명한 절연기판 상에 패터닝되어 형성된 후면전극과, 상기 투명한 절연기판상에 상기 후면전극의 일측이 노출되도록 형성되며 에너지를 가지는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 제 1의 전지부와, 상기 제 1의 전지부 상에 형성되며 상기 제 1의 전지부 보다 큰 에너지를 가지는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 제 2의 전지부와, 상기 제 2의 전지부 상에 형성되는 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 형성되는 상기 후면전극과 대응되게 형성된 전면전극을 포함하는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 6 |
6 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제 1의 전지부는 상기 투명한 절연기판상에 상기 후면전극의 일측이 노출되도록 형성되며 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화된 제 1의 제 1 도전형 다결정 실리콘층과, 상기 제 1의 제 1 도전형 다결정 실리콘층 상에 형성되며 상기 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되어 에너지를 가지는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 진성 다결정 실리콘으로 이루어진 제 1의 광흡수층과, 상기 제 1의 광흡수층 상에 형성되며 상기 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되는 제 1의 제 2 도전형 다결정 실리콘층으로 구성된 다결정 실리콘 태양전지 |
| 7 |
7 제6항에 있어서, 제 1의 제 1 도전형 다결정 실리콘층, 제 1의 광흡수층 및 제 1의 제 2 도전형 다결정 실리콘층은 동시에 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화되는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 8 |
8 제6항에 있어서, 상기 응력유도 저온결정화(SILC)는 580 ∼ 1000℃의 온도로 1 ∼ 60분 동안 열처리하여 진행하는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 9 |
9 제4항에 있어서, 상기 층간절연층이 SiO2, SiNx 또는 ZnO으로 형성되는 다결정 실리콘 태양전지 |
| 10 |
10 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제 2의 전지부는 응력유도 저온결정화(SILC)에 의해 결정화된 제 2의 제 1 도전형 다결정 실리콘층과, 상기 제 2의 제 1 도전형 다결정 실리콘층 상에 형성되며 에너지를 가지는 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하는 진성 비정질 실리콘으로 이루어진 제 2의 광흡수층과, 상기 제 2의 광흡수층 상에 형성되며 금속유도 결정화(MIC) 방법에 의해 결정화되는 제 2의 제 2 도전형 다결정 실리콘층으로 구성된 다결정 실리콘 태양전지 |
| 11 |
11 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 제 2의 제 2 광흡수층이 0 |
| 12 |
12 투명한 절연기판 상에 패터닝된 후면전극을 형성하는 공정과, 상기 절연기판 상에 상기 후면전극을 덮도록 제 1 도전형 비정질 실리콘, 진성 비정질 실리콘 및 제 2 도전형 비정질 실리콘을 증착하고 응력유도 저온결정화(SILC) 방법으로 결정화하여 제 1 도전형 다결정 실리콘층, 광흡수층 및 제 2 도전형 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 제 2 도전형 다결정 실리콘층 상에 투명 전극층을 형성하는 공정과, 상기 투명 전극층의 상기 후면전극과 대응하는 부분에 전면전극을 형성하고 상기 투명 전극층, 제 2 도전형 다결정 실리콘층, 광흡수층 및 제 1 도전형 다결정 실리콘층을 상기 절연기판 및 후면전극이 노출되도록 패터닝하는 공정을 포함하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 13 |
13 제12항에 있어서, 상기 제 1 도전형 비정질 실리콘, 진성 비정질 실리콘 및 제 2 도전형 비정질 실리콘을 저압화학기상법(LPCVD) 또는 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 각각 100 ∼ 10000Å, 0 |
| 14 |
14 제13항에 있어서, 상기 증착된 제 1 도전형 비정질 실리콘, 진성 비정질 실리콘 및 제 2 도전형 비정질 실리콘의 응력유도 저온결정화(SILC) 방법은 580 ∼ 1000℃의 온도로 1 ∼ 60분 동안 열처리하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 15 |
15 투명한 절연기판 상에 패터닝된 후면전극을 형성하는 공정과, 상기 절연기판 상에 상기 후면전극을 덮도록 제 1의 제 1 도전형 비정질 실리콘, 제 1의 진성 비정질 실리콘, 제 1의 제 2 도전형 비정질 실리콘, 층간 절연층 및 제 2의 제 1 도전형 비정질층을 증착하고 응력유도 저온결정화(SILC) 방법으로 결정화하여 제 1의 제 1 도전형 다결정 실리콘층, 제 1의 광흡수층, 제 1의 제 2 도전형 다결정 실리콘층 및 제 2의 제 1 도전형 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 제 2의 제 1 도전형 다결정 실리콘층 상에 제 2의 진성 비정질 실리콘층 및 제 2의 제 2 도전형 비정질 실리콘층을 각각 증착하는 공정과, 상기 제 2의 제 2 도전형 비정질 실리콘층 상에 결정화 씨드층을 형성하는 공정과, 상기 결정화 씨드층을 씨드로 사용하는 금속유도 결정화(MIC) 방법을 진행하여 상기 제 2의 진성 비정질 실리콘층을 제외하고 상기 제 2의 제 2 도전형 비정질 실리콘층을 결정화하여 제 2의 광흡수층과 제 2의 제 2 도전형 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 제 2의 제 2 도전형 다결정 실리콘층 상에 투명 전극층을 형성하는 공정과, 상기 투명 전극층의 상기 후면전극과 대응하는 부분에 전면전극을 형성하고 상기 투명 전극층, 제 2의 제 2 도전형 다결정 실리콘층, 제 2의 광흡수층, 제 2의 제 1 도전형 다결정 실리콘층, 제 1의 제 2 도전형 다결정 실리콘층, 제 1의 광흡수층 및 제 1의 제 1 도전형 다결정 실리콘층을 상기 절연기판 및 후면전극이 노출되도록 패터닝하는 공정을 포함하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 16 |
16 제15항에 있어서, 상기 응력유도 저온결정화(SILC)를 580 ∼ 1000℃의 온도로 1 ∼ 60분 동안 열처리하여 진행하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 17 |
17 제15항에 있어서, 상기 층간 절연층을 SiO2, SiNx 또는 ZnO으로 형성하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 18 |
18 제15항에 있어서, 상기 제 2의 제 2 광흡수층을 0 |
| 19 |
19 제15항에 있어서, 상기 결정화 씨드층으로 Ni, Pd, Ti, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Cr, Mo, Tr, Ru, Rh, Cd, Pt 중 어느 하나를 1 ∼ 1000Å의 두께로 형성하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 20 |
20 제15항에 있어서, 상기 금속유도 결정화(MIC) 방법을 400 ∼ 500℃의 온도로 1 ∼ 60분 열처리하여 진행하는 다결정 실리콘 태양전지의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0965982-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080408 출원 번호 : 1020080032637 공고 연월일 : 20100624 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100524 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : 다결정 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2010년 06월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2013년 06월 05일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2014년 06월 13일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2015년 06월 01일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 860,000 원 | 2016년 02월 04일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 602,000 원 | 2017년 05월 24일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 430,000 원 | 2018년 05월 21일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 670,000 원 | 2019년 05월 20일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 690,100 원 | 2020년 06월 19일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0252936-87 |
| 2 | 보정요구서 | 2008.04.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0053799-43 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.05.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0340753-15 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.05.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2009.06.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0035079-72 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2009.12.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0521829-13 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.01.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0009425-83 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0009427-74 |
| 9 | 등록결정서 | 2010.05.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0216337-10 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071055 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2003 |
| 연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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