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탄소입자를 이용한 작업전극의 제조방법 및 이를 이용한염료감응 태양전지 모듈

  • 기술번호 : KST2015159480
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료감응 태양전지 모듈용 작업전극의 제조방법 및 상기 방법으로 제조된 작업전극을 포함하는 염료감응 태양전지 모듈에 관한 것으로서 보다 상세하게는 투명 전도성 기판상에 탄소입자와 반도체산화물 혼합물을 코팅하여 반도체산화물 필름을 형성하는 단계; 상기 필름을 열처리하여 상기 탄소입자를 제거하는 단계; 및 상기 열처리된 반도체산화물 필름에 광 감응 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 방법에 따르면 표면적이 증가되어 전지효율이 향상되고, 또한 균일한 기공도를 가져 전해질 확산과 반도체산화물내 전자흐름이 안정적이고 신뢰성있는 작업 전극의 제조가 가능하며, 저렴한 탄소 입자를 사용함으로써 경제적이고, 후처리 공정이 필요없이 단순하고 용이하게 고효율의 염료감응 태양전지 모듈의 제조가 가능하다.염료감응, 태양전지, 전지효율, 기공율, 표면적
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) C01B 31/02 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01) H01L 31/042(2013.01)
출원번호/일자 1020060123835 (2006.12.07)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0846156-0000 (2008.07.08)
공개번호/일자 10-2008-0051954 (2008.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20080714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성영은 대한민국 서울 관악구
2 강순형 대한민국 서울 관악구
3 김재엽 대한민국 서울 관악구
4 김현식 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정우성 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 서종완 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (서초동, 성운빌딩) *층 세일국제특허법률사무소(세일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0907998-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0631764-20
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056920-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0670292-87
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0097545-91
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0097570-22
9 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2008.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0097472-56
10 등록결정서
Decision to grant
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0296333-22
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전도성 기판상에 탄소입자와 반도체산화물 혼합물을 코팅하여 반도체산화물 필름을 형성하는 단계; 상기 필름을 열처리하여 상기 탄소입자를 제거하는 단계; 및상기 열처리된 반도체산화물 필름에 광 감응 염료를 흡착시키는 단계;를 포함하는 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반도체산화물은 전이 금속 산화물의 나노입자인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 반도체산화물은 이산화티탄(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 이산화주석(SnO2), 이산화세륨(CeO2), 오산화니오비움(Nb2O5) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 적어도 하나인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 탄소입자는 탄소 나노파우더, 그라파이트, 탄소 나노튜브, 탄소 나노파이버, 숯, 플러렌 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 적어도 하나인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 탄소입자와 반도체산화물 혼합물 중 상기 탄소입자는 상기 반도체산화물에 대하여 0
6 6
제 1항에 있어서, 상기 탄소입자와 반도체산화물 혼합물은 페이스트 형태로 닥터블레이드 방법으로 투명 전도성 기판상에 코팅되는 것인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 탄소입자와 반도체산화물 혼합물은 분말 형태로서 동일 증착(co-sputtering) 또는 화학적 증착 방법으로 투명 전도성 기판상에 코팅되는 것인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 열처리는 300 ~ 900℃에서 수행되는 것인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소입자와 반도체산화물 혼합물은 폴리에틸렌 이민, 폴리프로필렌 이민, 폴리에틸렌 아민, 폴리프로필렌 아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 하나를 더 포함하는 것인 염료감응 태양전지용 작업전극의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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