요약 | 본 발명은 전극이 칩 전면에 위치하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터는 소스 영역 내에 트렌치를 형성하여 소스 영역이 부분적으로 중단되도록 함으로써 소스 영역을 감싸고 있는 베이스 영역의 저항을 부분적으로 낮추어 주어 기생 사이리스트의 래치-업을 낮추도록 한다. 또한, 게이트 전극을 트렌치 내에 연장되도록 형성함으로써 유효 채널 폭을 증가시켜 순방향 전압 강하의 증가 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제 할 수 있도록 한다. 기생 사이리스터, 래치-업, 순방향 전압 강하, 트렌치, 채널 폭 |
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Int. CL | H01L 29/73 (2006.01) |
CPC | H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020030085035 (2003.11.27) |
출원인 | 재단법인서울대학교산학협력재단 |
등록번호/일자 | 10-0520430-0000 (2005.10.04) |
공개번호/일자 | 10-2005-0051274 (2005.06.01) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20051011) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2003.11.27) |
심사청구항수 | 3 |