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수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015160963
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극이 칩 전면에 위치하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터는 소스 영역 내에 트렌치를 형성하여 소스 영역이 부분적으로 중단되도록 함으로써 소스 영역을 감싸고 있는 베이스 영역의 저항을 부분적으로 낮추어 주어 기생 사이리스트의 래치-업을 낮추도록 한다. 또한, 게이트 전극을 트렌치 내에 연장되도록 형성함으로써 유효 채널 폭을 증가시켜 순방향 전압 강하의 증가 없이 기생 사이리스터 래치-업을 억제 할 수 있도록 한다. 기생 사이리스터, 래치-업, 순방향 전압 강하, 트렌치, 채널 폭
Int. CL H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01)
출원번호/일자 1020030085035 (2003.11.27)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0520430-0000 (2005.10.04)
공개번호/일자 10-2005-0051274 (2005.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20051011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시강남구
2 최연익 대한민국 서울특별시서초구
3 오재근 대한민국 서울특별시영등포구
4 이승철 대한민국 서울특별시동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0450628-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041993-25
4 등록결정서
Decision to grant
2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0421979-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
제1 도전형의 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 도전형의 드리프트 영역과, 상기 드리프트 영역 내에 웰 구조로 형성된 제2 도전형의 베이스 영역과, 상기 베이스 내에 형성된 소스 영역과, 상기 소스 영역 일부를 제거하여 상기 소스 영역이 부분적으로 중단되도록 형성된 다수의 트렌치와, 상기 소스 영역과 전기적으로 연결되고 상기 트렌치 내에 연장되어 형성된 소스 전극과, 상기 트렌치에 의해 상기 소스 전극과 이격되며, 상기 트렌치 내에 연장되어 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 하부에 소스/드레인 채널이 형성되도록 상기 드리프트 영역 내에 웰 구조로 형성된 제2 도전형의 드레인 영역과, 상기 드레인 영역 위에 형성된 드레인 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 드레인 영역을 감싸도록 형성된 제1 도전형의 버퍼층을 더 포함함을 특징으로 하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이며, 제2 도전형은 p형임을 특징으로 하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터
4 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이며, 제2 도전형은 p형임을 특징으로 하는 수평형 절연게이트 바이폴라 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.