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유기 광트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015161581
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 광트랜지스터에 관한 것으로서, p형 유기 반도체 물질 및 n형 유기 반도체 물질을 포함하는 유기 반도체 박막층을 포함함으로써, 낮은 강도의 광에도 민감하게 반응할 수 있고, 나아가 소스-드레인 전압 및 게이트 전압에 따라 빛의 센싱을 용이하게 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 31/11 (2006.01) H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01) H01L 51/0504(2013.01)
출원번호/일자 1020100053205 (2010.06.07)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1113166-0000 (2012.01.31)
공개번호/일자 10-2011-0133686 (2011.12.14) 문서열기
공고번호/일자 (20120213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구광역시 북구
2 황혜민 대한민국 경상북도 경주시
3 남성호 대한민국 대구광역시 수성구
4 김화정 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김순웅 대한민국 서울시 구로구 디지털로**길 **, ***호 (구로동,에이스테크노타워*차)(정진국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0362383-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.20 수리 (Accepted) 9-1-2011-0045768-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0286214-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0571358-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0571372-78
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0005503-79
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0961037-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 게이트 전극, 게이트 절연막층, 유기 반도체 박막층 및 소스-드레인 전극을 포함하는 유기 광트랜지스터(organic phototransistor)에 있어서,상기 유기 반도체 박막층은 p형 유기 반도체 물질 및 n형 유기 반도체 물질을 5~95 : 95~5의 중량비로 혼합한 고분자 블렌드 용액을 게이트 절연막층 위에 도포하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 p형 유기 반도체 물질과 n형 유기 반도체 물질 사이의 계면에서는 p-n 접합이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 p형 유기 반도체 물질은 고분자물질로서 폴리(3-헥실티오펜)[poly(3-hexylthiophene), P3HT], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌)[poly(9,9-dioctyl fluorene), F8], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-알트-바이싸이오펜)[poly(9,9-dioctylfluorene-alt-bithiophene),F8T2], 폴리(9
4 4
제1항에 있어서, 상기 n형 유기 반도체 물질은 고분자로서 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-벤즈티아디아졸)[poly(9,9-dioctyfluorene-co-benzthiadiazole), F8BT], 폴리(비스벤즈미다조벤조페난트롤린[poly(bisbenzimidazobenzophenanthroline), BBB], 단분자로서 페르플루오르카퍼프탈로시아닌 [perfluorocopperphthalocyanine (FPcCu)], 3’,4’-디부틸- 5,5’’-비스(디시 아노 메틸렌)-5,5’’-디하이드로-2,2’:5’,-2’’-테티오펜[3’,4’-dibutyl-5,5’’-bis(dicyanomethylene)-5,5’’-dihydro-2,2’:5’,-2’’-terthiophene, QM3T], 디펄플루오르헥실올리고티오펜 [diperfluorohexyloligothiophene, DFH-nT], 2,7-[비스(5-펄플루오르헥실카보닐-티엔-2-일)]-4H-시클로펜타-[2,1-b:3,4-b’]-디티오펜-4-one{2,7-[bis(5-perfluorohexylcarbonyl-thien-2-yl)] -4H-cyclopenta-[2,1-b:3,4-b’]-dithiophen-4-one, DFHCO-4TCO}, 폴리(비스벤즈미다조벤조페난트롤린[poly(bisbenzimidazobenzophenanthroline), BBB], 디시아노페닐렌-비스[디카복시마이드] [dicyanoperylene-bis [dicarboximide], DPI-CN], 및 나프탈렌 테트라카르복시산 다이이미드 [naphthalene tetracarboxylic diimide, NTCDI]으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로하는 유기 광트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기 반도체 박막층의 두께는 10nm 내지 300 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 유기 반도체 박막층은 단분자, 무기물 또는 유기물 중에서 선택된 부가 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
7 7
제 6항에 있어서,상기 단분자는 비스(트리이소필실릴에티닐)펜타신[bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene (TIPS-PEN)], 비스(트리에틸실릴에티닐)-안트라디티오펜[bis(triethylsilylethynyl)-anthradithiophene(TES-ADT)], 펜타신 (pentacene), 테트라센 (tetracene), 루브렌 (rubrene), 및 5-클로로테트라 센 (5-chlorotetracene),페르플루오르카퍼프탈로시아닌 [perfluorocopperphthalocyanine (FPcCu)], 3’,4’-디부틸- 5,5’’-비스(디시 아노 메틸렌)-5,5’’-디하이드로-2,2’:5’,-2’’-테티오펜[3’,4’-dibutyl-5,5’’-bis(dicyanomethylene)-5,5’’-dihydro-2,2’:5’,-2’’-terthiophene, QM3T], 디펄플루오르헥실올리고티오펜 [diperfluorohexyloligothiophene, DFH-nT], 2,7-[비스(5-펄플루오르헥실카보닐-티엔-2-일)]-4H-시클로펜타-[2,1-b:3,4-b’]-디티오펜-4-one{2,7-[bis(5-perfluorohexylcarbonyl-thien-2-yl)] -4H-cyclopenta-[2,1-b:3,4-b’]-dithiophen-4-one, DFHCO-4TCO}, 폴리(비스벤즈미다조벤조페난트롤린[poly(bisbenzimidazobenzophenanthroline), BBB], 디시아노페닐렌-비스[디카복시마이드] [dicyanoperylene-bis [dicarboximide], DPI-CN], 및 나프탈렌 테트라카르복시산 다이이미드 [naphthalene tetracarboxylic diimide, NTCDI]으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
8 8
제 6항에 있어서,상기 무기물은 나노파티클 (nanoparticle), 나노로드 (nanorod), 또는 나노와이어 (nanowire)인 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
9 9
제 6항에 있어서,상기 유기물은 다른 p형 또는 n형 유기 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경북대학교 교육인력양성사업 고효율 고분자/고분자 태양전지