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기판;상기 기판상에 형성되는 버퍼 층;상기 버퍼 층상에 형성되는 제1 반도체 층; 상기 제1 반도체 층상에 형성되는 제2 반도체 층; 및상기 제2 반도체 층상에 형성되어 바이어스 전압이 인가되는 컨택 전극;을 포함하며,상기 컨택 전극은,쇼트키 전극을 형성하는 복수의 컨택 전극을 포함하며,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,상기 복수의 컨택 전극에 인가되는 전압 조건에 따라 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지(detect)하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,자외선에 대한 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 질화물계의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제2항에 있어서,상기 제1 반도체 층은 GaN을 포함하여 장파장의 자외선을 감지하고,상기 제2 반도체 층은 AlGaN을 포함하여 단파장의 자외선을 감지하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제3항에 있어서,상기 컨택 전극은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 상기 컨택 전극에 인가되는 바이어스 전압에 대하여 서로 다른 크기의 광 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
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제5항에 있어서,상기 바이어스 전압의 크기가 조정될 때, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 광 전류 크기는 각각 변동하는 것을 특징으로 하는 광 검출기
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기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 버퍼 층을 형성하는 단계;상기 버퍼 층상에 제1 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체 층상에 제2 반도체 층을 형성하는 단계; 및상기 제2 반도체 층상에 바이어스 전압을 인가하기 위한 컨택 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 컨택 전극은쇼트키 전극을 형성하는 복수의 컨택 전극을 포함하며,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,상기 복수의 컨택 전극에 인가되는 전압 조건에 따라 동종의 광에 대하여 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지(detect)하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은,자외선에 대한 서로 다른 파장대의 광을 각각 감지하는 질화물계의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 반도체 층은 장파장의 자외선을 감지하기 위한 GaN을 포함하고,상기 제2 반도체 층은 단파장의 자외선을 감지하기 위한 AlGaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 컨택 전극은 Ni, Al 및 Ti 중 적어도 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층은 상기 컨택 전극에 인가되는 바이어스 전압에 대하여 서로 다른 크기의 광 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 바이어스 전압의 크기가 조정될 때, 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 광 전류 크기는 각각 변동하는 것을 특징으로 하는 광 검출기의 제조 방법
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