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평면 게이트 제어 소자 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014047434
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 트랜지스터나 바이오센서와 같이 게이트 전극에 의해 제어되는 반도체 소자의 제조를 용이하게 하는 평면 게이트 제어 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위의 동일 평면상에 소스 전극과 드레인 전극과 게이트 전극을 형성하여 둠으로써, 상기 소스 전극과 드레인 전극과 게이트 전극 위에 활성층을 형성하는 단순한 과정을 통해 유기 트랜지스터나 바이오센서의 구현이 가능하고, 더불어, 열에 약한 유기물이나 바이오 물질의 응용을 가능케 한 것이다. 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 바이오센서, 유기 트랜지스터
Int. CL H01L 29/76 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01) H01L 51/055(2013.01)
출원번호/일자 1020080125966 (2008.12.11)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1083843-0000 (2011.11.09)
공개번호/일자 10-2010-0067409 (2010.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20111115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영규 대한민국 대구 북구
2 남성호 대한민국 대구광역시 수성구
3 김화정 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층(반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0854057-12
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0600844-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0045078-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0436384-49
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0762400-59
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0762219-91
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2010.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0562701-08
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0085622-76
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0162298-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0253810-05
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0626530-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 위에 형성되며, 제어 전압 또는 제어 전류가 인가되는 하나 이상의 게이트 전극; 상기 기판 위의 상기 게이트 전극과 동일 평면상에 형성되며, 상기 게이트 전극에 가해지는 전압 또는 전류에 따라서 입출력되는 신호가 제어되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 하나 이상의 게이트 전극과 소스 전극과 드레인 전극 위에 형성되며 유기물 또는 바이오물질로 이루어진 활성층;을 포함하여 이루어지는 평면 게이트 제어 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 플라스틱, 및 금속 중에서 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은, 상호 소정의 간극을 두고 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 하나 이상의 게이트 전극은 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하도록 연장되어 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널 간격을 조절하는 채널 조절부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자
6 6
제4항에 있어서, 상기 하나 이상의 게이트 전극은, 상기 소스 전극과 드레인 전극의 양측 면에 형성되는 두 개의 게이트 전극으로 이루어지되, 상기 소스 전극과 드레인 전극과 두 개의 게이트 전극은 X 자 형상으로 배치되어, 두 게이트 전극이 모두 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 마주할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자
7 7
기판 위에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 위에 감광액(photoresist)을 형성하는 도포(coating) 공정 단계; 소스 전극과 드레인 전극과 하나 이상의 게이트 전극의 형상으로 패턴된 마스크를 이용하여, 상기 감광액(photoresist)의 제거할 부분을 선택적으로 노광하는 노광 공정 단계; 상기 감광액(photoresist)의 노광된 부분을 현상액을 이용하여 제거하여, 전극층을 노출시키는 현상 공정 단계; 상기 노출된 전극층을 제거하여, 소스 전극과 드레인 전극과 하나 이상의 게이트 전극을 형성하는 박막 식각 공정 단계; 상기 전극 위에 남아 있는 감광액(photoresist)을 제거하는 스트립 공정 단계; 및 상기 기판 및 소스 전극과 드레인 전극과 하나 이상의 게이트 전극 위에 유기물 또는 바이오 물질로 이루어진 활성층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 기판은 유리, 플라스틱, 및 금속 중에서 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은, 상호 소정의 간극을 두고 평행하게 형성되고, 상기 하나 이상의 게이트 전극은, 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 위치하도록 연장되어 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널 간격을 조절하는 채널 조절부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자의 제조 방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 게이트 전극은, 상기 소스 전극과 드레인 전극의 양측 면에 형성되는 두 개의 게이트 전극으로 이루어지되, 상기 소스 전극과 드레인 전극과 두 개의 게이트 전극은 X 자 형상으로 배치되어, 두 게이트 전극이 모두 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 마주할 수 있도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 게이트 제어 소자의 제조 방법
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1 WO2010068055 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2010068055 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2010068055 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
2 WO2010068055 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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