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다결정 실리콘 박막 형성방법에 있어서,절연 기판 상에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계;상기 비정질 실리콘층 상에 제1 덮개층을 형성하는 단계;상기 제1 덮개층 상에 금속을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층을 열처리에 의하여 결정화함으로써, 다결정 실리콘 박막을 형성하는 단계;상기 제1 덮개층과 금속을 제거하고, 상기 다결정 실리콘 박막 상에 제2 덮개층을 형성시킨 후, 열처리를 수행함으로써 상기 다결정 실리콘 박막에 포함된 잔존하는 금속을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 절연 기판 상에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계 이전에 상기 절연 기판 상에 완충층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 2에 있어서,상기 완충층은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막 및 유기막 중 선택된 어느 하나 또는 2 이상이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 절연 기판은 유리, 석영, 산화막이 덮여진 단결정 웨이퍼 및 절연막이 덮여진 유연성을 갖는 금속 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 4에 있어서,상기 절연막은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막 및 유기막 중 선택된 어느 하나 또는 2 이상이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 비정질 실리콘층은 스퍼터링법, 화학기상증착법, 열분해법 중 어느 하나의 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 덮개층 및 제2 덮개층은 화학기상증착법, 열분해를 이용한 증착법, 프린터코팅법 및 스핀코팅 중 어느 하나의 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 7에 있어서,상기 제1 덮개층 및 제2 덮개층은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘산화질화막, 실리케이트막 및 유기막 중 선택된 어느 하나 또는 2 이상이 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 8에 있어서,상기 제1 및 제2 덮개층의 두께는 0
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 금속은 이온주입, PECVD, 스퍼터, 스핀코팅, 프린팅, 담금 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속은 니켈(Ni)인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 10에 있어서,상기 금속의 면밀도는 1012 ~ 1018㎝-2 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 열처리는 200℃ ~ 1400℃ 사이의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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14
청구항 13에 있어서,상기 열처리는 할로겐램프, 자오선램프 및 퍼니스 중 어느 하나를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 제1 덮개층과 금속의 제거는 에칭(etching) 공정에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 다결정 실리콘 박막에 포함된 금속의 평균 함유량은 1018 ~ 1021㎝-3 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,상기 다결정 실리콘 박막의 다결정 구조는 디스크 형상으로 성장되어, 다각형 구조의 그레인으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 17에 있어서,상기 다결정 실리콘 박막의 두께는 15㎚ ~ 150㎚ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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청구항 17에 있어서,상기 다결정 실리콘 박막의 그레인 및 그레인 경계면에는 금속 덩어리가 잔존하지 않는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법
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