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인버티드 유기 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015166872
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인버티드 유기 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 인버티드 유기 태양전지의 버퍼층인 전자 흡수층을 음극 투명 전극층과 함께 스퍼터링 공정을 통해 성막 형성할 수 있도록 함으로써, 대면적화가 가능하여 양산 체제 적용이 용이하며, 슬롯 다이 및 건조기 등이 불필요하여 제조 설비를 단순하고 소규모화할 수 있고, 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 전자 흡수층에 대해 금속 물질이 도핑된 산화물 형태로 형성되도록 함으로써, 전기적 특성 및 투과도를 향상시킬 수 있는 인버티드 유기 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 51/48 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01)
CPC H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01) H01L 51/442(2013.01)
출원번호/일자 1020120116060 (2012.10.18)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1456259-0000 (2014.10.23)
공개번호/일자 10-2014-0049804 (2014.04.28) 문서열기
공고번호/일자 (20141031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.18)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 강신비 대한민국 서울 서대문구
3 최윤영 대한민국 대구 달성군 다사읍 달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0848666-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096973-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0041185-55
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0265999-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0378777-31
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0378778-87
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0593122-36
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.10.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0938622-54
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0938623-00
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0713259-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상면에 음극 투명 전극층, 전자 흡수층, 활성층, 정공 흡수층 및 양극 전극층이 순차적으로 적층 형성되는 인버티드 유기 태양전지를 제조하는 제조 방법에 있어서,(a) 상기 기판의 상면에 상기 음극 투명 전극층과 전자 흡수층을 스퍼터링 공정을 통해 일체로 형성하는 단계; 및(b) 상기 (a)단계를 통해 일체로 형성된 상기 음극 투명 전극층과 전자 흡수층 상부에 상기 활성층, 정공 흡수층 및 양극 전극층을 각각 용액 공정을 통해 순차적으로 적층 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (a)단계에서 상기 전자 흡수층은 적어도 2개의 금속 물질이 도핑된 산화물로 형성되도록 상기 스퍼터링 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 음극 투명 전극층과 전자 흡수층은 하나의 진공 스퍼터 챔버 내부에서 순차적으로 스퍼터링되는 방식으로 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 진공 스퍼터 챔버 내부에는 상기 음극 투명 전극층이 증착 형성되도록 음극 투명 전극층 타겟이 배치되고, 상기 전자 흡수층의 제 1 금속 물질 및 제 2 금속 물질이 각각 증착 형성되도록 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟이 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 기판은 유연성을 갖는 유연 기판으로 적용되고, 상기 진공 스퍼터 챔버 내부에는 상기 기판이 권취되어 회전 이동하도록 회전 드럼이 배치되며, 상기 기판에 상기 음극 투명 전극층 및 전자 흡수층이 순차적으로 증착 형성되도록 상기 음극 투명 전극층 타겟, 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟이 상기 기판의 회전 이동 방향을 따라 순차적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 전자 흡수층은 상기 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟에 동시에 전력을 인가하여 제 1 금속 물질 및 제 2 금속 물질이 동시에 증착 형성되는 코스퍼터링 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟에 각각 인가되는 전력의 크기를 조절하여 제 1 금속 물질 및 제 2 금속 물질의 조성 비율을 조절하는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자 흡수층은 제 1 금속 물질로 아연(Zn)이 적용되고, 제 2 금속 물질로 티타늄(Ti)이 적용되어 아연-티타늄 산화물(Zn-Ti-O)로 형성되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 진공 스퍼터 챔버 내부에는 상기 음극 투명 전극층이 증착 형성되도록 음극 투명 전극층 타겟이 배치되고, 상기 전자 흡수층의 제 1 금속 물질 및 제 2 금속 물질이 각각 증착 형성되도록 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟이 각각 배치되며, 상기 제 1 금속 타겟은 산화아연(ZnO)으로 적용되고, 상기 제 2 금속 타겟은 이산화티타늄(TiO2)으로 적용되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지 제조 방법
9 9
기판의 상면에 음극 투명 전극층, 전자 흡수층, 활성층, 정공 흡수층 및 양극 전극층이 순차적으로 적층 형성되는 인버티드 유기 태양전지에 있어서,상기 전자 흡수층은 상기 음극 투명 전극층과 함께 스퍼터링 공정을 통해 일체로 형성되며, 적어도 2개의 금속 물질이 도핑된 산화물로 형성되는데,상기 전자 흡수층은 제 1 금속 물질로 아연(Zn)이 적용되고, 제 2 금속 물질로 티타늄(Ti)이 적용되어 아연-티타늄 산화물(Zn-Ti-O)로 형성되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지
10 10
제 9 항에 있어서,상기 음극 투명 전극층과 전자 흡수층은 하나의 진공 스퍼터 챔버 내부에서 순차적으로 스퍼터링되는 방식으로 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지
11 11
제 10 항에 있어서,상기 진공 스퍼터 챔버 내부에는 상기 음극 투명 전극층이 증착 형성되도록 음극 투명 전극층 타겟이 배치되고, 상기 전자 흡수층의 상기 제 1 금속 물질 및 상기 제 2 금속 물질이 각각 증착 형성되도록 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟이 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지
12 12
제 11 항에 있어서,상기 전자 흡수층은 상기 제 1 금속 타겟 및 제 2 금속 타겟에 동시에 전력을 인가하여 제 1 금속 물질 및 제 2 금속 물질이 동시에 증착 형성되는 코스퍼터링 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지
13 13
삭제
14 14
제 11 항에 있어서,상기 진공 스퍼터 챔버 내부에 배치되는 상기 제 1 금속 타겟은 산화아연(ZnO)으로 적용되고, 상기 제 2 금속 타겟은 이산화티타늄(TiO2)으로 적용되는 것을 특징으로 하는 인버티드 유기 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.