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진공 챔버내에 산화아연 나노선을 제공하는 단계;
상기 산화아연 나노선에 펄스(pulse) 형태의 레이저를 조사하여 상기 산화아연 나노선을 융해시키는 단계; 및
융해된 상기 산화아연 나노선을 냉각시켜 선단부의 형상이 구상인 산화아연 나노선을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 조사되는 레이저의 에너지 밀도는 50mJ/cm2 내지 100mJ/cm2 의 범위인 산화아연 나노선 물성제어방법
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제 1 항에 있어서, 상기 레이저는,
ArF, KrF, XeCl, XeF, KrCl, F2, Kr2, Xe2, XeBr, CaF2, Cl2 및 N2 중 선택된 어느 하나의 레이저인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 물성제어 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 레이저는,
펄스폭(pulse duration)이 3 펨토초(fs)에서 500 나노초(ns) 범위인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 물성제어 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산화아연 나노선은,
상기 레이저 조사에 의한 융해시 산소 원자의 증기압이 아연 원자보다 높아 상기 산화아연 나노선의 산소 공격자점의 농도가 증가되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 물성제어 방법
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게이트 전극, 채널인 산화아연 나노선, 한 쌍의 소스/드레인 전극들을 형성하는 단계;
진공 챔버내에서 상기 산화아연 나노선 상에 레이저를 조사하여 상기 산화아연 나노선을 융해시키는 단계; 및
상기 진공 챔버내에서 상기 융해된 산화아연 나노선을 냉각시켜 상기 채널인 산화아연 나노선을 n채널 공핍형으로 변화시키는 단계를 포함하되, 상기 조사되는 레이저의 에너지 밀도는 50mJ/cm2 내지 100mJ/cm2 의 범위인 트랜지스터 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 레이저는,
ArF, KrF, XeCl, XeF, KrCl, F2, Kr2, Xe2, XeBr, CaF2, Cl2 및 N2 중 선택된 어느 하나의 레이저인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 레이저는,
펄스(pulse) 형태로 조사되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 레이저는,
펄스폭(pulse duration)이 3 펨토초(fs)에서 500 나노초(ns) 범위인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
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제 6 항에 있어서, 채널인 상기 산화아연 나노선은,
상기 레이저 조사에 의한 융해시 산소 원자의 증기압이 아연 원자보다 높아 채널인 상기 산화아연 나노선의 산소 공격자점의 농도가 증가되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법
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