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엔-채널 공핍형과 증식형의 반도체 나노선 전계효과트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174050
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 알루미나 기판에 금촉매를 코팅한 나노선 성장 기판을 이용하거나, 알루미나 기판에 투명 전도성 산화물 박막층을 증착한 나노선 성장 기판을 이용하여 반도체 나노선을 성장시키고, 두 다른 기판에서 성장된 나노선을 이용하여 N채널 공핍형 나노선 전계효과 트랜지스터 또는 N채널 증식형 나노선 전계효과 트랜지스터를 제조하는 방법을 구성한다. 따라서, 높은 재현성을 가지고 N채널 증식형 나노선 전계효과 트랜지스터 또는 N채널 공핍형 나노선 전계효과 트랜지스터를 선택적으로 제조할 수 있으며, 특히, 제조된 N채널 증식형 나노선 전계효과 트랜지스터는 논리회로에 있어서의 다양한 응용이 가능하다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020070034921 (2007.04.10)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0091899 (2008.10.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍웅기 대한민국 광주광역시 북구
2 황대규 대한민국 광주광역시 북구
3 박성주 대한민국 광주광역시 북구
4 이탁희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0273594-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0269429-65
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0269511-12
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0043193-39
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0405140-15
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0873039-00
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번호 청구항
1 1
알루미나 기판에 금촉매를 코팅하여 나노선 성장 기판을 준비하는 단계;상기 나노선 성장 기판에서 반도체 나노선을 성장시키는 단계;성장된 반도체 나노선을 상기 나노선 성장 기판으로부터 분리시키는 단계; 분리된 반도체 나노선을 트랜지스터 제작용 기판에 도포하는 단계; 및상기 반도체 나노선 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 N채널 공핍형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노선을 성장시키는 단계는,산화아연분말과 그라파이트(graphite)분말의 혼합가루를 함께 수평전기로에 넣어서, 아르곤(Ar)과 산소(O2) 혼합가스를 주입하는 단계; 및900℃ 내지 1000℃에서 10분 내지 20분 동안 산화아연 나노선을 성장시키는 단계를 포함하여 산화아연 반도체 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 N채널 공핍형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계는 타이타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al)중의 어느 하나의 금속 또는 그 혼합물을 포함한 접착층과 상기 접착층 상부에 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd)중의 어느 하나의 금속 또는 그 혼합물을 포함한 산화방지막을 구비한 다층구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 N채널 공핍형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터
4 4
알루미나 기판에 투명 전도성 산화물(TCO) 박막층을 증착하여 나노선 성장 기판을 준비하는 단계;상기 나노선 성장 기판에서 반도체 나노선을 성장시키는 단계;성장된 반도체 나노선을 상기 나노선 성장 기판으로부터 분리시키는 단계; 분리된 반도체 나노선을 트랜지스터 제작용 기판에 도포하는 단계; 및상기 반도체 나노선 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 N채널 증식형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물 박막층은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 마그네슘(Mg), 인(P) 금속들 중에서 적어도 하나 이상의 성분과 산소(O)가 결합된 구조를 가지고, 산소, 공기, 질소, 아르곤 등의 다양한 분위기에서 열처리없이 형성되어 나노선 성장을 위한 자체촉매(self-catalyst) 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 N채널 증식형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 반도체 나노선을 성장시키는 단계는,산화아연분말과 그라파이트(graphite)분말의 혼합가루를 함께 수평전기로에 넣어서, 아르곤(Ar)과 산소(O2) 혼합가스를 주입하는 단계; 및900℃ 내지 1000℃에서 10분 내지 20분 동안 산화아연 나노선을 성장시키는 단계를 포함하여 산화아연 반도체 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 N채널 증식형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계는 타이타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al)중의 어느 하나의 금속 또는 그 혼합물을 포함한 접착층과 상기 접착층 상부에 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd)중의 어느 하나의 금속 또는 그 혼합물을 포함한 산화방지막을 구비한 다층구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 N채널 증식형 반도체 나노선 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.