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고압 수소 열처리를 이용한 ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174005
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SOI MOSFET의 제조방법에 있어서, SOI MOSFET 소자를 고압의 수소 또는 중수소 분위기에서 열처리하는 공정을 포함한다.특히 완전공핍형 SOI MOSFET에서는 기존 MOSFET 소자와 달리 2개의 계면 즉 게이트 절연막 계면과 매몰 산화막 계면이 존재하여 소자의 성능에 나쁜 영향을 미치게 된다. 본 발명은 고온 고압의 가스처리로서 계면 특성을 개선하므로 반도체 소자의 전기적 특성을 향상하는 효과가 있다.SOI(Silicon On Insulator), MOSFET, 수소, 중수소, 열처리, 게이트 절연막 계면, 매몰 산화막 계면
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01) H01L 21/7624(2013.01)
출원번호/일자 1020060071406 (2006.07.28)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0771229-0000 (2007.10.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주 북구
2 박호경 대한민국 광주 북구
3 손윤익 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 경기도 수원시 권선구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0546212-33
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0022738-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0229401-45
5 의견서
Written Opinion		 2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0465906-12
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0465905-77
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0462760-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SOI MOSFET의 제조방법에 있어서, SOI MOSFET 소자의 게이트 절연막 계면(front interface)과 매몰 산화막 계면(back interface)을 고압의 100% 수소 및 100% 중수소로부터 선택된 하나 이상의 분위기에서 열처리하여 계면 트랩전하를 패시베이션(passivation)하는 것을 특징으로 하는 SOI MOSFET 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 열처리 압력은 3 내지 25기압인 것을 특징으로 하는 SOI MOSFET 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 열처리 온도는 250 내지 500℃ 인 것을 특징으로 하는 SOI MOSFET 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 열처리 시간은 10분 내지 120분인 것을 특징으로 하는 SOI MOSFET 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.