맞춤기술찾기

이전대상기술

광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015194800
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 한 실시예에 따른 광 센서는 광의 조사에 따라 정전 용량이 바뀌는 감지 축전기, 상기 감지 축전기와 연결되어 있는 제어 단자를 포함하고 상기 제어 단자에 인가되는 전압에 응답하여 감지 신호를 출력하는 감지 스위칭 소자, 상기 감지 스위칭 소자의 출력 단자와 연결되어 있으며 상기 감지 신호를 전달하는 감지 신호선, 상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자와 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 리셋 스위칭 소자, 그리고 상기 리셋 스위칭 소자의 입력 단자와 연결되어 있으며 리셋 전압을 전달하는 리셋 신호선을 포함하고, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 상기 광 센서를 포함한다.
Int. CL G06F 3/042 (2006.01.01) G06F 3/044 (2006.01.01) G06F 3/041 (2006.01.01) G06F 3/041 (2006.01.01) G01J 1/16 (2006.01.01)
CPC G06F 3/042(2013.01) G06F 3/042(2013.01) G06F 3/042(2013.01) G06F 3/042(2013.01) G06F 3/042(2013.01) G06F 3/042(2013.01)
출원번호/일자 1020100135762 (2010.12.27)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1761282-0000 (2017.07.19)
공개번호/일자 10-2012-0073863 (2012.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20170807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.24)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한상윤 대한민국 서울특별시 강남구
2 양성훈 대한민국 서울특별시 성동구
3 홍완식 대한민국 서울특별시 동대문구
4 윤갑수 대한민국 서울특별시 강서구
5 이경민 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0863357-74
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742735-49
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1267936-93
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0136438-54
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0749625-28
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1174554-31
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1174553-96
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
14 등록결정서
Decision to grant
2017.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0282265-54
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광의 조사에 따라 정전 용량이 바뀌는 감지 축전기,상기 감지 축전기와 연결되어 있는 제어 단자를 포함하고 상기 제어 단자에 인가되는 전압에 응답하여 감지 신호를 출력하는 감지 스위칭 소자,상기 감지 스위칭 소자의 출력 단자와 연결되어 있으며 상기 감지 신호를 전달하는 감지 신호선,상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자와 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 리셋 스위칭 소자, 그리고상기 리셋 스위칭 소자의 입력 단자와 연결되어 있으며 리셋 전압을 전달하는 리셋 신호선을 포함하고,상기 감지 축전기는 상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자와 연결되어 있는 제1단자, 그리고 제1 전압에 연결되어 있는 제2단자를 포함하고,상기 제1 전압은 상기 광의 조사 여부에 따라 상기 감지 축전기의 정전 용량의 변화가 큰 전압 범위에 속하도록 정해지고,상기 감지 축전기의 유전체는 결정을 포함하고,상기 전압 범위는 상기 결정의 밀도에 따라 변경되는 광 센서
2 2
삭제
3 3
제1항에서,상기 결정의 크기는 수 nm 내지 수십 nm인 광 센서
4 4
제3항에서,상기 결정은 규소 결정을 포함하고,상기 유전체는 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 더 포함하는광 센서
5 5
삭제
6 6
제4항에서,상기 감지 스위칭 소자의 입력 단자는 제2 전압에 연결되어 있는 광 센서
7 7
제6항에서,상기 리셋 스위칭 소자의 제어 단자는 주사 신호를 전달하는 주사 신호선에 연결되어 있는 광 센서
8 8
제1항에서,상기 결정은 규소 결정을 포함하고,상기 유전체는 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 더 포함하는광 센서
9 9
삭제
10 10
제1항에서,상기 감지 스위칭 소자의 입력 단자는 제2 전압에 연결되어 있는 광 센서
11 11
제1항에서,상기 리셋 스위칭 소자의 제어 단자는 주사 신호를 전달하는 주사 신호선에 연결되어 있는 광 센서
12 12
제1항에서,상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자와 연결되어 있는 기준 축전기를 더 포함하는 광 센서
13 13
광 센서를 포함하고,상기 광 센서는,광의 조사에 따라 정전 용량이 바뀌는 감지 축전기,상기 감지 축전기와 연결되어 있는 제어 단자를 포함하고 상기 제어 단자에 인가되는 전압에 응답하여 감지 신호를 출력하는 감지 스위칭 소자,상기 감지 스위칭 소자의 출력 단자와 연결되어 있으며 상기 감지 신호를 전달하는 감지 신호선,상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자와 연결되어 있는 출력 단자를 포함하는 리셋 스위칭 소자, 그리고상기 리셋 스위칭 소자의 입력 단자와 연결되어 있으며 리셋 전압을 전달하는 리셋 신호선을 포함하고,상기 감지 축전기는 상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자와 연결되어있는 제1단자, 그리고 제1 전압에 연결되어 있는 제2단자를 포함하고,상기 제1 전압은 상기 광의 조사 여부에 따라 상기 감지 축전기의 정전 용량의 변화가 큰 전압 범위에 속하도록 정해지고,상기 감지 축전기의 유전체는 결정을 포함하고,상기 전압 범위는 상기 결정의 밀도에 따라 변경되는 표시 장치
14 14
제13항에서,영상을 표시하는 복수의 화소, 그리고영상 데이터 신호를 전달하는 데이터선을 더 포함하는 표시 장치
15 15
제14항에서,상기 화소는 상기 데이터선 및 주사 신호선에 연결되어 있는 스위칭 소자, 그리고 상기 스위칭 소자에 연결되어 있는 화소 전극을 포함하는 표시 장치
16 16
절연 기판 위에 감지 신호를 전달하는 감지 신호선을 형성하는 단계,상기 절연 기판 위에 리셋 전압을 전달하는 리셋 신호선을 형성하는 단계,상기 절연 기판 위에 제1 전압을 전달하는 제1 전압선을 형성하는 단계,상기 감지 신호선과 연결되어 있는 감지 스위칭 소자를 형성하는 단계,상기 리셋 신호선과 연결되어 있는 리셋 스위칭 소자를 형성하는 단계,상기 감지 스위칭 소자의 제어 단자 및 상기 리셋 스위칭 소자의 출력 단자와 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전압선과 연결되어 있는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유전체층을 포함하는 감지 축전기를 형성하는 단계, 그리고상기 절연 기판 위에 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유전체층은 결정을 포함하는표시 장치의 제조 방법
17 17
제16항에서,상기 감지 축전기를 형성하는 단계는 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
18 18
제16항에서,상기 감지 축전기를 형성하는 단계는 상기 유전체층과 동일한 층에 위치하며 상기 유전체층이 위치하는 부분에 개구부를 가지는 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
19 19
제18항에서,상기 절연층을 형성하는 단계는상기 절연 기판 위에 절연 물질을 도포하는 단계,상기 절연 물질 위에 식각 방지층을 형성하는 단계,상기 절연 물질 및 상기 식각 방지층을 사진 식각하여 상기 개구부를 형성하는 단계, 그리고상기 유전체층을 형성 후에 상기 식각 방지층을 제거하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
20 20
제16항에서,상기 제1 전극, 상기 감지 신호선 및 상기 리셋 신호선은 동일한 층에 위치하고,상기 제2 전극은 상기 화소 전극과 동일한 층에 위치하는표시 장치의 제조 방법
21 21
제16항에서,상기 제1 전극, 상기 감지 신호선 및 상기 리셋 신호선은 동일한 층에 위치하고,상기 제2 전극은 상기 제1 전압선과 동일한 층에 위치하는표시 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.