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실리콘 나노 구조물을 포함하는 광 검출 소자 및 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015195017
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제1도전형의 반도체층을 형성하고, 제1도전형의 반도체층 상에 광흡수에 의해 전자-정공 쌍을 생성하는 실리콘 나노 결정들을 내부에 포함하는 실리콘계 절연체 박막을 형성한다. 절연체 박막 상에 제2도전형의 반도체층을 형성하는 광 검출 소자 제조 방법 및 이에 따른 소자를 제시한다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0384 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01) H01L 31/08(2013.01)
출원번호/일자 1020100128651 (2010.12.15)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1138452-0000 (2012.04.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.15)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍완식 대한민국 서울특별시 송파구
2 이경민 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0828297-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091634-63
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0079491-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형의 반도체층;상기 제1도전형의 반도체층 상에 광흡수에 의해 전자-정공 쌍을 생성하는 실리콘 나노 결정들을 내부에 포함하는 실리콘계 절연체 박막; 및상기 절연체 박막 상에 형성된 제2도전형의 반도체층을 포함하는 광 검출 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 반도체층은 p형 실리콘층이거나 n형 실리콘층인 광 검출 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제1도전형의 반도체층은 p형 실리콘 기판이거나또는 상기 제1도전형의 반도체층은 플라스틱 기판 또는 글라스 기판 상에 형성된 불순물이 도핑(doping)된 실리콘층인 광 검출 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 실리콘계 절연체 박막은상기 실리콘 나노 결정이 석출된 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함하는 광 검출 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제2도전형 반도체층 상에 광 입사를 위한 투명 전극을 더 포함하는 광 검출 소자
6 6
제1도전형의 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1도전형의 반도체층 상에 광흡수에 의해 전자-정공 쌍을 생성하는 실리콘 나노 결정들을 내부에 포함하는 실리콘계 절연체 박막을 형성하는 단계; 및상기 절연체 박막 상에 제2도전형의 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 광 검출 소자 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 절연체 박막을 형성하는 단계는 실란 가스를 포함하는 실리콘 소스, 암모니아 가스를 포함하는 질화 소스 및 수소 가스를 포함하는 캐리어 가스(carrier gas)를 포함하는 증착 소스를 공급하여 화학기상증착하는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 소스 및 질화 소스의 공급 유량 비율, 및 상기 실리콘 소스 및 캐리어 가스의 공급 유량 비율을 조절하여 상기 실리콘 나노 결정을 형성시키는 광 검출 소자 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 실리콘 소스 및 질화 소스의 공급 유량 비율은 0
9 9
제8항에 있어서, 상기 화학기상증착은 150℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 40mtorr 내지 300mtorr 압력 조건에서 수행되고, 상기 증착 소스는 1600℃ 내지 1850℃ 온도의 필라멘트에 의해 분해되어 상기 화학기상증착 반응하는 광 검출 소자 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 실리콘 나노 결정은 가시광을 흡수하게 2㎚ 내지 20㎚ 크기로 형성되는 광 검출 소자 제조 방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 절연체 박막을 형성하는 단계는 실란 가스를 포함하는 실리콘 소스, 산소 가스를 포함하는 산화 소스 및 수소 가스를 포함하는 캐리어 가스를 포함하는 증착 소스를 공급하여 화학기상증착하는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 소스 및 산화 소스의 공급 유량 비율, 및 상기 실리콘 소스 및 캐리어 가스의 공급 유량 비율을 조절하여 상기 실리콘 나노 결정을 형성시키는 광 검출 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.