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게이트, 게이트 절연층, 산화물 반도체를 포함하는 채널층, 소오스 및 드레인을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터에 있어서,상기 채널층은 상부면과 하부면을 가지며, 상기 상부면으로부터 상기 하부면까지 연장되어 상기 게이트 절연층과 접촉하며, 하나 또는 복수개의 판상형태로 된 이온주입영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 이온주입영역은 상기 소오스 및 드레인과 평행하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 이온주입영역은 상기 소오스 및 드레인과 직교하는 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 이온주입영역의 일부분은 상기 소오스 및 드레인과 접촉하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제 4항에 있어서,상기 소오스 및 드레인과 접촉하는 상기 이온주입영역의 일부분은 이온 주입 농도가 다른 부분보다 더 높은 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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제 1항에 있어서,상기 이온주입영역은 Hf, In, Zr, Sn, Al, Mg, Ga, As, Ta, Sb, Si, Te, Zn, Mg, Ca, Ar, Be, O, Au, Ti, C, H, He, Al, In, B, N, Se, S 및 P 로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터
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게이트, 게이트 절연층, 산화물 반도체를 포함하는 채널층, 소오스 및 드레인을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서,상기 채널층의 상부면으로부터 하부면까지 연장되어 상기 게이트 절연층과 접촉하며, 하나 또는 복수개의 판상형태로 된 이온주입영역을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 이온주입영역은 상기 소오스 및 드레인과 평행하게 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 이온주입영역은 상기 소오스 및 드레인과 직교하는 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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10
제 7항에 있어서,상기 이온주입영역의 일부분은 상기 소오스 및 드레인과 접촉하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 소오스 및 드레인과 접촉하는 상기 이온주입영역의 일부분은 이온 주입 농도를 다른 부분보다 더 높게 하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 이온주입영역을 형성하는 단계의 전후에 걸쳐 상기 채널층을 열처리 하는 단계를 더 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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