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기판상에 형성되어, 제1 파장을 갖는 제1 광을 발광하는 제1 발광층;
상기 제1 발광층상에 형성되어, 상기 제1 광은 투과시키고 제2 파장을 갖는 제2광을 발광하는 제2 발광층; 및
상기 제2 발광층상에 형성되어, 상기 제1 광 및 상기 제2 광은 투과시키고 제3 파장을 갖는 제3 광을 발광하는 제3 발광층을 포함하고,
상기 제1 발광층은
기판상에 형성된 제1 비정질 실리콘 질화물층; 및
상기 제1 비정질 실리콘 질화물상에 형성된 제1 실리콘 나노입자층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 파장은 650nm 내지 700nm범위이고, 상기 제2 파장은 540nm 내지 590nm범위이며, 상기 제3 파장은 450nm 내지 500nm 범위이고, 상기 제1, 제2 및 제3 광들은 모두 합쳐져서 최종적으로 백색광을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 나노입자층의 나노입자의 크기는 4
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제1항에 있어서, 상기 제2 발광층은
상기 제1 발광층상에 형성된 제2 비정질 실리콘 질화물층; 및
상기 제2 비정질 실리콘 질화물층상에 형성된 제2 실리콘 나노입자층을 포함하는 발광소자
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6
제5항에 있어서, 상기 제2 실리콘 나노입자층의 나노입자의 크기는 3
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7
제1항에 있어서, 상기 제3 발광층은
상기 제2 발광층상에 형성된 제3 비정질 실리콘 질화물층;
상기 제3 비정질 실리콘 질화물층상에 형성된 제3 실리콘 나노입자층; 및
상기 제3 실리콘 나노입자층상에 형성된 제4 비정질 실리콘 질화물층을 포함하는 발광소자
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8
제7항에 있어서, 상기 제3 실리콘 나노입자층의 나노입자의 크기는 3
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9
기판상에 제1 파장을 갖는 제1 광을 발광하는 제1 발광층을 형성하는 단계;
상기 제1 발광층상에 상기 제1 광은 투과시키고, 제2 파장을 갖는 제2 광을 발광하는 제2 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 제2 발광층상에 상기 제1 광 및 상기 제2 광은 투과시키고, 제3 파장을 갖는 제3 광을 발광하는 제 3 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 발광층을 형성하는 단계는,
상기 기판상에 제1 비정질 실리콘 질화물층을 증착하는 단계;
상기 제1 비정질 실리콘 질화물층 상에 제1 비정질 실리콘층을 증착하는 단계; 및
상기 제1 비정질 실리콘층 상에 제1 실리콘 나노입자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 파장은 650nm 내지 700nm범위이고, 상기 제2 파장은 540nm 내지 590nm범위이며, 상기 제3 파장은 450nm 내지 500nm 범위이고, 상기 제1, 제2 및 제3 광들은 백색광을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서,
상기 제1 비정질 실리콘 질화물층을 증착하는 단계에서는, 상기 기판상에 제1 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 200℃이하의 저온에서 상기 제1 비정질 실리콘 질화물층을 증착하는 것을 특징으로 하고,
상기 제1 비정질 실리콘 질화물층 상에 제1 비정질 실리콘층을 증착하는 단계에서는, 상기 제1 비정질 실리콘 질화물층상에 제2 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 200℃이하의 저온에서 상기 제1 비정질 실리콘층을 증착하는 것을 특징으로 하고,
상기 제1 비정질 실리콘층 상에 제1 실리콘 나노입자층을 형성하는 단계에서는, 상기 제1 비정질 실리콘층을 엑시머 레이저 어닐링(ELA)법을 이용하여 실리콘 나노결정들로 응집시켜 상기 제1 실리콘 나노입자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 반응가스는 실란가스 및 암모니아(NH3)가스의 혼합가스이고, 상기 제2 반응가스는 실란가스인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 엑시머 레이저빔은 150 내지 350mJ/cm2으로 조사되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 발광층을 형성하는 단계는,
상기 제1 발광층상에 제1 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 200℃이하의 저온에서 제2 비정질 실리콘 질화물층을 증착하는 단계;
상기 제2 비정질 실리콘 질화물층상에 제2 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 200℃이하의 저온에서 제2 비정질 실리콘층을 증착하는 단계; 및
상기 제2 비정질 실리콘층을 엑시머 레이저 어닐링(ELA)법을 이용하여 실리콘 나노결정들로 응집시켜 제2 실리콘 나노입자층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 제3 발광층을 형성하는 단계는,
상기 제2 발광층상에 제1 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 200℃이하의 저온에서 제3 비정질 실리콘 질화물층을 증착하는 단계;
상기 제3 비정질 실리콘 질화물층상에 제2 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 200℃이하의 저온에서 제3 비정질 실리콘층을 증착하는 단계;
상기 제3 비정질 실리콘층을 엑시머 레이저 어닐링(ELA)법을 이용하여 실리콘 나노결정들로 응집시켜 제3 실리콘 나노입자층을 형성하는 단계; 및
상기 제3 실리콘 나노입자층상에 제1 반응가스를 사용하고 촉매화학증착(Cat-CVD)법을 이용하여 제4 비정질 실리콘 질화물층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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