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계면층을 이용한 박막 성장법

  • 기술번호 : KST2015209610
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판과 성장시키고자하는 박막 사이의 계면층을 개입하여 이용하여 산화 박막 혹은 금속 박막을 결정성장 시키는 방법에 관련된 것이다. 본 발명에서는 실리콘 기판 위에 3~8 층 정도의 산화 실리콘으로 이루어진 계면층을 이용하여 박막을 형성함으로써, 실리콘 기판의 결정성을 그대로 따르면서, 실리사이드의 생성을 억제하여 양질의 박막을 성장하는 방법을 제공하고 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0245(2013.01) H01L 21/0245(2013.01)
출원번호/일자 1019990027808 (1999.07.09)
출원인 학교법인연세대학교
등록번호/일자 10-0329206-0000 (2002.03.06)
공개번호/일자 10-2001-0009445 (2001.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.07.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인연세대학교 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황정남 대한민국 서울특별시 은평구
2 조만호 대한민국 서울특별시 서대문구
3 고대홍 대한민국 경기도 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)
2 이세진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)(특허법인다나)
3 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인연세대학교 대한민국 서울 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.09 수리 (Accepted) 1-1-1999-0077321-88
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2000.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2000-5072815-35
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0095830-46
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.06.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5170405-30
5 의견서
Written Opinion		 2001.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2001-5170404-95
6 보정통지서
Request for Amendment		 2001.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2001-0033916-89
7 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2001-5225997-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2001.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0349484-87
9 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5040801-82
10 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2002.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5040793-04
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2002-0061226-84
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2003-0040705-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207014-07
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2010-5224078-51
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번호 청구항
1 1

실리콘을 포함하는 기판의 표면 위에 산화 실리콘을 포함하는 계면층을 형성하는 단계와;

상기 기판을 고진공 상태에서, 증착물질의 가스를 주입하여 상기 계면층 위에 상기 증착물질을 포함하는 박막을 성장하는 단계와;

열처리법으로 상기 기판과 상기 박막 사이에 잔존하는 계면층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법

2 2

삭제
3 3

제 1항에 있어서,

상기 박막을 성장하는 단계를 800℃ 이상의 상태에서 실시하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법

4 4

제 1항에 있어서,

상기 계면층은 3~8 층 정도의 산화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.