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단분자층 및 그래핀 전극을 포함하는 구조체, 이를 포함하는 유연성 전자 디바이스, 및 이의 제조 방법(STRUCTURE INCLUDING MOLECULAR MONOLAYER AND GRAPHENE ELECTRODE, FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME)

기술번호 : KST2015228689
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	그래핀 전극 및 분자 박막을 포함하는 구조체, 상기 구조체를 포함하는 단분자층 디바이스, 상기 구조체를 포함하는 유연성 전자 디바이스, 및 상기 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL	H01B 13/00 (2006.01.01)
CPC	H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자	1020140064754 (2014.05.28)
출원인	성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0136960 (2015.12.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	취하
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이효영	대한민국	경기도 수원시 장안구
2	서소현	대한민국	전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.05.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0508152-88
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 그래핀 전극;상기 제 1 그래핀 전극과 이격되어 배치된 제 2 그래핀 전극; 및상기 제 1 그래핀 전극과 상기 제 2 그래핀 전극 사이에 배치된 단분자층을 포함하며,상기 제 1 그래핀 전극은 상기 단분자층의 일 말단에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것이고, 상기 제 2 그래핀 전극은 상기 단분자층의 일 말단에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것인, 구조체
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 단분자층은 아릴 디아조늄계 양이온을 포함하는 유기 분자로부터 형성되는 것인, 구조체
3	3 제 1 항에 있어서,상기 단분자층은 상기 제 1 그래핀 전극에 공유 결합 또는 물리적 접촉을 통해 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것이고, 상기 단분자층은 상기 제 2 그래핀 전극에 공유 결합 또는 물리적 접촉을 통해 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것인, 구조체
4	4 제 2 항에 있어서, 상기 아릴 디아조늄계 양이온은 R-N2+ 또는 N2+-R-R-N2+의 구조식을 가지는 것이고, 상기 R은 -1-아릴-알킬, -1-아릴-알케닐, -1-아릴-알키닐, -1-아릴-X-알킬, -1-아릴-X-알케닐, -1아릴-X-알키닐, 또는 -1-아릴을 포함하는 것이고, 상기 X는 O, S, 또는 -NH이며, 상기 아릴 디아조늄계 양이온에서 상기 R-N2+ 구조식의 R의 다른 말단은 H, -OH, -NH2, -SH, 및 아조기로 이루어진 군으로부터 선택된 작용기를 가지는 것인, 구조체
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 그래핀 전극 또는 제 2 그래핀 전극은 화학기상증착법, 스핀코팅, 또는 침지법에 의해 제조된 그래핀 또는 용액상 공정에 의해 제조된 환원된 산화 그래핀을 포함하는 것인, 구조체
6	6 상기 제 1 항에 따른 구조체를 포함하는, 유연성 전자 디바이스
7	7 제 1 그래핀 전극 상에 자기조립에 의해 단분자층을 형성하는 것을 포함하며,상기 제 1 그래핀 전극은 상기 자기조립 단분자층에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것인,구조체의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 단분자층 상에 제 2 그래핀 전극을 형성하는 것을 추가 포함하며,상기 제 2 그래핀 전극은 상기 자기조립 단분자층에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것인, 구조체의 제조 방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 그래핀 전극 또는 제 2 그래핀 전극은 화학기상증착법, 스핀코팅, 또는 침지법에 의해 제조된 그래핀 또는 용액상 공정에 의해 제조된 환원된 산화 그래핀을 포함하는 것인, 구조체의 제조 방법
10	10 제 7 항에 있어서,상기 단분자층은 아릴 디아조늄계 양이온을 포함하는 유기 분자로부터 형성되는 것인, 구조체의 제조 방법
11	11 제 8 항에 있어서,상기 자기조립에 의해 단분자층을 형성하는 것은, 상기 단분자층을 형성하는 아릴 디아조늄계 양이온을 포함하는 유기 분자의 일 말단과 상기 제 1 그래핀 전극 사이에 공유 결합 또는 물리적 접촉을 형성하는 것을 포함하며, 상기 제 2 그래핀 전극은 공유 결합 또는 물리적 접촉에 의해 자기조립 단분자층과 화학적으로 또는 물리적으로 결합되는 것인, 구조체의 제조 방법
12	12 제 1 그래핀 전극; 및상기 제 1 그래핀 전극 상에 배치되며, 상기 제 1 그래핀 전극에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 단분자층을 포함하는, 구조체
13	13 제 12 항에 있어서,상기 단분자층 상에 배치되고, 상기 단분자층에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 제 2 그래핀 전극을 추가 포함하는, 구조체
14	14 제 12 항에 있어서,상기 단분자층은 공유 결합 또는 물리적 접촉을 통해 상기 제 1 그래핀 전극과 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것이고, 상기 제 2 그래핀 전극과 상기 단분자층 사이의 분자간 상호작용을 통해 상기 제 2 그래핀 전극에 화학적으로 또는 물리적으로 결합된 것인, 구조체
15	15 제 12항에 있어서,상기 단분자층은 아릴 디아조늄계 양이온을 포함하는 것인, 구조체
16	16 제 15 항에 있어서,상기 아릴 디아조늄계 양이온은 R-N2+ 또는 N2+-R-R-N2+의 구조식을 가지는 것이고, 상기 R은 -1-아릴-알킬, -1-아릴-알케닐, -1-아릴-알키닐, -1-아릴-X-알킬, -1-아릴-X-알케닐, -1아릴-X-알키닐, 또는 -1-아릴을 포함하는 것이고, 상기 X는 O, S, 또는 -NH이며, 상기 아릴 디아조늄계 양이온에서 상기 R-N2+ 구조식의 R의 다른 말단은 H, -OH, -NH2, -SH, 및 아조기로 이루어진 군으로부터 선택된 작용기를 가지는 것인, 구조체

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	성균관대학교 산학협력단	리더연구자지원사업-창의적연구지원사업 3단계 1/3(7/9)	기능성 분자메모리 연구단

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.05.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0508152-88
2	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


과제고유번호	1345202754
세부과제번호	2006-0050684
연구과제명	기능성 분자메모리 연구단
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	200604~201502
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1711010824
세부과제번호	2006-0050684
연구과제명	기능성 분자메모리 연구단
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2014
연구기간	200604~201502
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020140183069]	그래핀 양자점 박막, 이의 제조 방법, 및 상기 그래핀 양자점 박막을 이용하는 박막 트랜지스터(GRAPHENE QUANTUM-DOT THIN FILM, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME)	새창보기
[1020140112479]	그래핀 양자점 및 그의 제조 방법(GRAPHENE QUANTUM DOT AND PREPARING METHOD OF THE SAME)	새창보기
[1020140112477]	그래핀 양자점을 이용한 발광 소자 및 그의 제조 방법(LIGHT EMTTING DEVICE USING GRAPHENE QUANTUM DOT AND PREPARING METHOD OF THE SAME)	새창보기
[1020140064754]	단분자층 및 그래핀 전극을 포함하는 구조체, 이를 포함하는 유연성 전자 디바이스, 및 이의 제조 방법(STRUCTURE INCLUDING MOLECULAR MONOLAYER AND GRAPHENE ELECTRODE, FLEXIBLE ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME)	새창보기
[1020140045830]	신규 금속입자-그래핀플레이크 나노복합체 코팅액 및 투명전극필름 제조 기술개발	새창보기
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[1020130128107]	유기 반응용 상전이 촉매	새창보기
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[1020110091054]	ＧＯ-Ｇｄ-ＤＴＰＡ 착물, 이의 제조 방법, 및 이것을 포함하는 ＭＲＩ 조영제	새창보기
[1020110090645]	Ｎ―도핑된 그래핀을 이용한 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법	새창보기
[1020110012306]	신규한 그래핀옥사이드 환원제 및 이에 의한 환원그래핀옥사이드의 제조방법	새창보기

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