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FCC (001) 결정 구조를 갖는 씨앗층;상기 씨앗층 상에 위치하되, 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층;상기 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층; 및상기 터널링 배리어층 상에 위치하되, 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 포함하고,상기 제1 강자성층은 BCC (001) 결정 구조를 갖고, 보론을 비포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자
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제1항에 있어서,상기 씨앗층은 질소 도핑된 금속을 포함하는 자기터널접합 소자
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제2항에 있어서,상기 질소 도핑된 금속은 W2N 또는 TaN인 자기터널접합 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 강자성층은 Co, Fe, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 물질을 포함하는 자기터널접합 소자
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제1항에 있어서,상기 제2 강자성층 상에 위치하는 캡핑층을 더 포함하는 자기터널접합 소자
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제5항에 있어서,상기 캡핑층은 질소 도핑된 금속을 포함하는 자기터널접합 소자
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7
기판 상에 FCC (001) 결정 구조를 갖는 씨앗층을 형성하는 단계;상기 씨앗층 상에 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층을 형성하는 단계;상기 제1 강자성층 상에 터널링 배리어층을 형성하는 단계; 및상기 터널링 배리어층 상에 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 강자성층은 BCC (001) 결정 구조로 성장되는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 강자성층을 형성하는 단계는 스퍼터링법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 씨앗층은 질소 도핑된 금속을 포함하는 자기터널접합 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 질소 도핑된 금속은 W2N 또는 TaN인 자기터널접합 소자 제조방법
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제7항에 있어서,상기 제1 강자성층은 Co, Fe, Ni 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 물질을 포함하는 자기터널접합 소자 제조방법
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