1 |
1
알루미늄 기판의 표면을 산화시켜 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 얻은 절연층 표면을 이온빔으로 표면처리하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 표면처리된 절연층에 구리층을 500~1,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 절연층에 증착된 구리층에 이온빔 믹싱법을 사용하여 절연층과 구리층간의 계면을 혼합시키는 단계(단계 4);상기 단계 4의 절연층과 구리층의 계면이 혼합된 구리층 위에 추가로 구리층을 4,000~6,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 5);200~300 ℃의 진공분위기에서 열처리를 통하여 절연층과 구리층간의 중간상을 형성시키는 단계(단계 6); 및증착된 구리층 위에 구리막을 15~60 ㎛ 두께로 형성시키는 단계(단계 7);를 포함하여 제조되는,알루미늄 기판 상에 절연층 및 구리층이 차례로 형성되고, 상기 절연층과 구리층 사이에 이온빔 믹싱층이 형성되어 있는 금속 인쇄 배선 회로기판
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 이온빔 믹싱층은 이온빔 믹싱법에 의해 절연층과 구리층의 계면이 혼합되고, 열처리에 의해 혼합된 계면이 중간상을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
|
3 |
3
제1항에 있어서, 상기 절연층은 알루미늄 기판을 아노다이징(anodizing)법으로 산화시킨 산화층인 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
|
4 |
4
제1항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 30~60 ㎛인 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
|
5 |
5
제1항에 있어서, 상기 구리층의 두께는 15~60 ㎛인 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
|
6 |
6
알루미늄 기판의 표면을 산화시켜 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 얻은 절연층 표면을 이온빔으로 표면처리하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 표면처리된 절연층에 구리층을 500~1,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 절연층에 증착된 구리층에 이온빔 믹싱법을 사용하여 절연층과 구리층간의 계면을 혼합시키는 단계(단계 4);상기 단계 4의 절연층과 구리층의 계면이 혼합된 구리층 위에 추가로 구리층을 4,000~6,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 5);200~300 ℃의 진공분위기에서 열처리를 통하여 절연층과 구리층간의 중간상을 형성시키는 단계(단계 6); 및증착된 구리층 위에 구리막을 15~60 ㎛ 두께로 형성시키는 단계(단계 7)로 이루어진 절연층과 구리층의 접착력이 향상된 금속 인쇄 배선 회로기판의 제조방법
|
7 |
7
제6항에 있어서, 상기 단계 1의 알루미늄 기판 표면을 아노다이징 방법으로 산화시켜 절연층을 만드는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
8 |
8
제6항에 있어서, 상기 단계 1의 절연층의 두께가 30~60 ㎛인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
9 |
9
제6항에 있어서, 상기 단계 2 및 단계 4의 이온빔은 헬륨, 질소, 아르곤, 크립톤 또는 크세논 이온빔인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
10 |
10
제9항에 있어서, 상기 절연층 표면처리를 위한 이온빔은 5~10 keV 에너지를 갖는 질소이온빔인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
11 |
11
제6항에 있어서, 상기 단계 3 및 단계 5에서 구리층을 증착시키는 방법은 물리기상증착법인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
12 |
12
제11항에 있어서, 상기 물리기상증착법은 스퍼터링법 또는 전자빔증착법인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
13 |
13
삭제
|
14 |
14
제6항에 있어서, 상기 단계 4의 이온빔은 에너지 크기가 50 ~ 100 keV인 질소이온빔인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
15 |
15
제14항에 있어서, 상기 질소이온빔의 주입량은 1×1016 ~ 5×1017 이온/cm2인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
16 |
16
삭제
|
17 |
17
삭제
|
18 |
18
제6항에 있어서, 상기 단계 7의 증착된 구리층 위에 구리막을 형성시키는 방법은 전기도금법인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
|
19 |
19
삭제
|