맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

이온빔 믹싱층을 포함하는 금속 인쇄 배선 회로기판 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016000658
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 금속 인쇄 배선 회로기판의 제조방법은, 절연층과 구리층간에 이온빔 믹싱법으로 계면을 혼합시키고 열처리를 통하여 절연층과 구리층 사이에 중간상을 형성시킴으로써, 절연층과 구리층간의 접착력을 현저히 향상시킬 수 있으므로, 고온의 동작환경이 요구되는 기기의 회로기판으로 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL H05K 3/38 (2006.01) H05K 1/03 (2006.01)
CPC H05K 3/381(2013.01) H05K 3/381(2013.01) H05K 3/381(2013.01)
출원번호/일자 1020110030731 (2011.04.04)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1206882-0000 (2012.11.26)
공개번호/일자 10-2012-0113045 (2012.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20121130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.04)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형진 대한민국 대전광역시 유성구
2 박재원 대한민국 대전광역시 유성구
3 강민구 대한민국 경상북도 김천시 공
4 이현일 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
5 제영석 대한민국 부산광역시 동구
6 이화락 대한민국 대구광역시 동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 태양에스씨알 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0243534-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024137-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0282731-46
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0565459-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0565458-44
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0705985-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
알루미늄 기판의 표면을 산화시켜 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 얻은 절연층 표면을 이온빔으로 표면처리하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 표면처리된 절연층에 구리층을 500~1,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 절연층에 증착된 구리층에 이온빔 믹싱법을 사용하여 절연층과 구리층간의 계면을 혼합시키는 단계(단계 4);상기 단계 4의 절연층과 구리층의 계면이 혼합된 구리층 위에 추가로 구리층을 4,000~6,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 5);200~300 ℃의 진공분위기에서 열처리를 통하여 절연층과 구리층간의 중간상을 형성시키는 단계(단계 6); 및증착된 구리층 위에 구리막을 15~60 ㎛ 두께로 형성시키는 단계(단계 7);를 포함하여 제조되는,알루미늄 기판 상에 절연층 및 구리층이 차례로 형성되고, 상기 절연층과 구리층 사이에 이온빔 믹싱층이 형성되어 있는 금속 인쇄 배선 회로기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 이온빔 믹싱층은 이온빔 믹싱법에 의해 절연층과 구리층의 계면이 혼합되고, 열처리에 의해 혼합된 계면이 중간상을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
3 3
제1항에 있어서, 상기 절연층은 알루미늄 기판을 아노다이징(anodizing)법으로 산화시킨 산화층인 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
4 4
제1항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 30~60 ㎛인 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
5 5
제1항에 있어서, 상기 구리층의 두께는 15~60 ㎛인 것을 특징으로 하는 금속 인쇄 배선 회로기판
6 6
알루미늄 기판의 표면을 산화시켜 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 얻은 절연층 표면을 이온빔으로 표면처리하는 단계(단계 2);상기 단계 2의 표면처리된 절연층에 구리층을 500~1,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 절연층에 증착된 구리층에 이온빔 믹싱법을 사용하여 절연층과 구리층간의 계면을 혼합시키는 단계(단계 4);상기 단계 4의 절연층과 구리층의 계면이 혼합된 구리층 위에 추가로 구리층을 4,000~6,000 Å 두께로 증착시키는 단계(단계 5);200~300 ℃의 진공분위기에서 열처리를 통하여 절연층과 구리층간의 중간상을 형성시키는 단계(단계 6); 및증착된 구리층 위에 구리막을 15~60 ㎛ 두께로 형성시키는 단계(단계 7)로 이루어진 절연층과 구리층의 접착력이 향상된 금속 인쇄 배선 회로기판의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 단계 1의 알루미늄 기판 표면을 아노다이징 방법으로 산화시켜 절연층을 만드는 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 단계 1의 절연층의 두께가 30~60 ㎛인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 단계 2 및 단계 4의 이온빔은 헬륨, 질소, 아르곤, 크립톤 또는 크세논 이온빔인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 절연층 표면처리를 위한 이온빔은 5~10 keV 에너지를 갖는 질소이온빔인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 단계 3 및 단계 5에서 구리층을 증착시키는 방법은 물리기상증착법인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 물리기상증착법은 스퍼터링법 또는 전자빔증착법인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
13 13
삭제
14 14
제6항에 있어서, 상기 단계 4의 이온빔은 에너지 크기가 50 ~ 100 keV인 질소이온빔인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 질소이온빔의 주입량은 1×1016 ~ 5×1017 이온/cm2인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제6항에 있어서, 상기 단계 7의 증착된 구리층 위에 구리막을 형성시키는 방법은 전기도금법인 것을 특징으로 하는 회로기판의 제조방법
19 19
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업 가속장치 응용 및 실용화