맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저온공정이 가능한 원자층 증착 방법

  • 기술번호 : KST2016001169
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 웨이퍼를 기설정된 온도로 냉각을 유지하면서 소스 가스와 반응가스를 주입하는 단계 각각에서 공정을 수행하는 상기 웨이퍼 부분에 레이저 빔을 조사함으로써 상기 웨이퍼의 구성물질의 차이에 따른 상기 레이저 빔의 흡수율 차이에 기초한 온도차를 이용하여 선택적 증착이 이루어지는 원자층 증착 방법이 개시된다. ALD, 플라즈마, 저온, 선택적 증착, 레이저 빔, 흡수율
Int. CL C23C 16/48 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01) C23C 16/46 (2006.01.01)
CPC C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01) C23C 16/481(2013.01)
출원번호/일자 1020070077741 (2007.08.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0906718-0000 (2009.07.01)
공개번호/일자 10-2009-0013515 (2009.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20090707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.02)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울 노원구
2 박태용 대한민국 경기 고양시 일산동구
3 이근우 대한민국 서울 성동구
4 이재상 대한민국 경상북도

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)
2 정현영 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)
3 홍승규 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0564859-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0401305-49
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0050765-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0637745-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0072288-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0072280-02
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0275109-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 내에 로딩된 웨이퍼를 냉각하여 상온으로 유지하는 단계; 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하면서 상기 소스 가스의 흡착효율을 높이도록 상기 웨이퍼의 기설정 영역에 레이저 빔을 조사하여 가열하는 단계; 흡착되지 않은 가스를 퍼지하는 단계; 상기 챔버 내에 반응가스를 공급하면서 상기 기설정 영역에 레이저 빔을 조사하는 단계; 및 반응하지 않은 가스를 퍼지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 레이저 빔은 상기 웨이퍼에 대해 수직으로 입사되는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 레이저 빔은 상기 웨이퍼에 대해 경사진 각도로 입사되는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 방법
5 5
원자층 증착 방법에 있어서, 웨이퍼를 기설정된 온도로 냉각을 유지하면서 소스 가스와 반응가스를 주입하는 단계 각각에서 공정을 수행하는 상기 웨이퍼 부분에 레이저 빔을 조사함으로써 상기 웨이퍼의 구성물질의 차이에 따른 상기 레이저 빔의 흡수율 차이에 기초한 온도차를 이용하여 선택적 증착이 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 방법
6 6
웨이퍼를 로딩하는 챔버, 상기 챔버에 소스가스 및 반응가스를 각각 공급하는 소스가스 공급유닛과 반응가스 공급유닛, 상기 챔버에 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생유닛, 및 상기 웨이퍼에 레이저 빔을 조사하여 상기 웨이퍼의 기설정 부분을 가열하는 레이저 빔 발생유닛을 포함하며, 상기 웨이퍼를 기설정된 온도로 냉각을 유지하면서 상기 소스가스와 반응가스를 주입하는 각 단계에서 공정을 수행하는 상기 웨이퍼 부분에 상기 레이저 빔 발생유닛으로부터 레이저 빔을 조사함으로써 상기 웨이퍼의 구성물질의 차이에 따른 상기 레이저 빔의 흡수율 차이에 기초한 온도차를 이용하여 선택적 증착이 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 장치
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 레이저 빔 발생유닛의 후단에 설치되어 상기 레이저 빔의 사이즈를 조절하는 광학유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 장치
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 레이저 빔 발생유닛은 상기 웨이퍼에 대해 수직 또는 경사진 각도로 레이저 빔을 조사하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 장치
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 웨이퍼로부터 반사되는 레이저 빔의 양을 측정하는 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온공정이 가능한 원자층 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한양대학교 21세기프론티어연구개발사업 단원자층 증착기술 개발