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Si 기판 상에 Si1-xGex 조성의 응력 인가층을 형성하는 단계;상기 응력 인가층 상에 활성 영역을 형성하는 단계;상기 활성 영역에 각각 Si 에피층과 Ge 에피층을 형성하는 단계;상기 Si 에피층과 Ge 에피층 상에 유전막을 형성하는 단계;상기 유전막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 형성 후, 각각의 활성 영역에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하여, nMOS와 pMOS 소자를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 응력 인가층으로 인하여 상기 Si 에피층과 Ge 에피층에는 각각 인장 응력과 압축 응력이 인가되어, 전자와 정공의 이동도를 증대시키는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 응력 인가층은 상기 Si 에피층과 Ge 에피층의 격자상수 사이의 고유의 격자상수 크기를 갖도록 소정의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 응력 인가층은 1 ㎛ 이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 Si 에피층과 Ge 에피층은 상기 응력 인가층으로 인하여 야기되는 응력의 영향을 받을 수 있는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 Si 에피층과 Ge 에피층은 50 nm 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 응력 인가층은 그 두께 방향으로 조성이 일정한 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 응력 인가층은 그 두께 방향으로 조성에 구배가 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 7에 있어서, 상기 응력 인가층은 상기 Si 기판에 가까운 곳에서는 Si이 풍부하고 Si 기판에서 멀어질수록 Ge이 풍부한 조성 구배를 갖는 것을 특징으로하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 응력 인가층 형성시 초기에 SiH4 SiH4 가스를 투입하고, 점차 GeH4의 가스양을 증가시키켜, 상기 응력 인가층이 조성 구배를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Si 기판과 응력 인가층 사이에 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자 제조 방법
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Si 기판 상에 형성된 Si1-xGex 조성의 응력 인가층;상기 응력 인가층 상의 활성 영역에 각각 형성된 각각 Si 에피층과 Ge 에피층;상기 Si 에피층과 Ge 에피층 상에 형성된 유전막;상기 유전막 상에 형성된 게이트 전극;상기 각각의 활성 영역에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고, 상기 응력 인가층으로 인하여 상기 Si 에피층과 Ge 에피층에는 각각 인장 응력과 압축 응력이 인가되어, 전자와 정공의 이동도를 증대시키는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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청구항 11에 있어서, 상기 응력 인가층은 상기 Si 에피층과 Ge 에피층의 격자상수 사이의 고유의 격자상수 크기를 갖도록 소정의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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13
청구항 12에 있어서, 상기 응력 인가층은 1 ㎛ 이상의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 Si 에피층과 Ge 에피층은 상기 응력 인가층으로 인하여 야기되는 응력의 영향을 받을 수 있는 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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청구항 14에 있어서, 상기 Si 에피층과 Ge 에피층은 50 nm 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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청구항 11 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서, 상기 응력 인가층은 그 두께 방향으로 조성에 구배가 있는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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청구항 16에 있어서, 상기 응력 인가층은 상기 Si 기판에 가까운 곳에서는 Si이 풍부하고 Si 기판에서 멀어질수록 Ge이 풍부한 조성 구배를 갖는 것을 특징으로하는 CMOS 소자
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청구항 11 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Si 기판과 응력 인가층 사이에 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 소자
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