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반도체 소자의 제조 장치의 반복적인 공정들의 진행 모니터링 방법에 있어서,상기 제조 장치에 장착되어 있는 하나 이상의 센서들에 의해 상기 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 중간 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의하는 단계;상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터, 상기 하나 이상의 센서에 의해 실시간으로 제 2 중간 신호를 수신하여 피분석 패턴을 정의하는 단계;상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 패턴 인식에 의해 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계; 및상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우 상기 동일 후 공정에 대해 공정 적합성 여부가 판정되는 단계를 포함하고, 상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합한 것으로 판정될 경우, 상기 피분석 패턴을 상기 기준 패턴에 포함시키는 학습 단계를 진행하여 상기 기준 패턴을 갱신하는 단계를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 동일 후 공정 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 패턴 인식에 의해 상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 동일한 패턴으로 인식되는 경우에는, 상기 동일 후 공정은 정상적으로 수행된 것으로 판정되고, 상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우에는, 상기 동일 후 공정은 비정상적으로 수행된 것으로 판정되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 동일 후 공정이 비정상적으로 수행된 것으로 판정되는 경우, 공정이 중단되는 단계 또는 사용자에게 공정의 중단 시점 및 공정의 중단 원인 중 적어도 하나에 대해서 전달하는 경고음, 경고등 및 경고 화면 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 의해 공정 중단이 표시되는 단계를 더 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합하지 않은 공정으로 판정될 경우 해당 공정은 종료되는 단계를 더 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 5 항에 있어서,상기 학습 단계는 상기 기준 패턴의 구성 요소를 갱신하여 템플릿 정합법, 통계적 접근법, 구조적 접근법, 및 신경망 접근법 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 의한 패턴 인식 접근법에 따라서 수행되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 센서는 복수 개이고, 상기 제 1 중간 신호 및 상기 제 2 중간 신호는 복수 개의 센서들로부터 각각 수신된 개별 신호들 사이의 산술적 연산, 미분, 적분, 스케일링 및 가중치 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 의해 연산된 신호, 또는 연산되지 않은 개별 신호들로 정의되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 중간 신호 및 상기 제 2 중간 신호는 상기 하나 이상의 센서로부터 수신된 개별 신호들이 디지털 신호로 변환되어 푸리에 변환 또는 순차 확률비 테스트와 같은 통계적 방법들을 통해 정의 되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 센서는 수정 진동자 저울 (quartz crystal microbalance, QCM), 정전 프로브 (Langmuir probe), 자기 센서 (magnetic probe), 광 센서, 진동 센서, 온도 센서, 압력 센서, 가스 센서, 음향 센서, 분광 분석기(spectroscopy) 및 이온종 질량 분석기(mass spectrometer) 중 어느 하나 또는 두개 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 중간 신호의 개시점과 종결점은 상기 제조 장치의 정상 진행된 공정의 시작 시점과 완료시점, 또는 공정 진행 중 특정 구간인 것을 특징으로 하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴 및 상기 피분석 패턴은 각각 상기 제 1 중간 신호 및 상기 제 2 중간 신호로부터 시간, 위치, 빈도, 진폭, 진동수, 변곡점, 극대값, 극소값, 미분값(또는, 기울기), 평균값, 분산값, 적분값, 실수부, 허수부, 최고점, 최저점, 신호의 2차 미분의 절대값들의 최대값, 최소값 및 평균 중 어느 하나 또는 2 이상의 정보를 구성요소로 정의되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴은 한계 오차 범위에 관한 정보를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴은 상기 기준 공정의 개시점으로부터 종결점까지의 상기 신호의 전체 또는 일부인 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴 및 상기 피분석 패턴은 이산적 형태 또는 반복적인 파형을 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴 및 상기 피분석 패턴은 표(table)의 형태 또는 행렬(matrix) 형태를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 템플릿 정합법, 통계적 접근법, 구조적 접근법, 및 신경망 접근법 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 따른 패턴 인식의 접근법에 의해 수행되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 피분석 패턴과 상기 기준 패턴이 일대일 비교, 다대일 비교 및 다대다로 비교되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 피분석 패턴의 실시간 추이가 상기 기준 패턴을 따르는지 여부를 기준으로 수행되는 공정 진행 모니터링 방법
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제 1 항에 있어서,상기 이상 유무를 판정하는 단계는, 복수 개의 기준 패턴들의 시간 간격을 연속적으로 또는 비연속적으로 설정하고, 상기 피분석 패턴의 실시간 추이가 상기 기준 패턴을 따르는지 여부를 기준으로 비교되는 공정 진행 모니터링 방법
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반도체 소자의 제조 장치의 모니터링 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램 코드들을 저장하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체로서,상기 모니터링 방법은,상기 제조 장치에 장착되어 있는 하나 이상의 센서들에 의해, 상기 반도체 소자 제조 장치의 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의 하는 단계;상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터, 상기 하나 이상의 센서에 의해 실시간으로 제 2 신호를 수신하여 피분석 패턴을 생성하는 단계; 및상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 패턴 인식에 의해 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계를 포함하고,상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우 상기 동일 후 공정에 대해 공정 적합성 여부가 판정되는 단계를 포함하고, 상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합한 것으로 판정될 경우, 상기 피분석 패턴을 상기 기준 패턴에 포함시키는 학습 단계를 진행하여 상기 기준 패턴을 갱신하는 단계를 포함하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체
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반도체 소자의 제조 장치에 장착된 하나 이상의 센서부;상기 하나 이상의 센서들에 의해, 상기 반도체 소자의 제조 장치의 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의하는 제 1 패턴 생성부;상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터 상기 하나 이상의 센서들에 의해 실시간으로 제 2 신호를 수신하여 피분석 패턴을 생성하는 제 2 패턴 생성부; 및상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 패턴 인식에 의해 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우 상기 동일 후 공정에 대해 공정 적합성 여부가 판정되는 단계를 수행하고,상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합한 것으로 판정될 경우, 상기 피분석 패턴을 상기 기준 패턴에 포함시키는 학습 단계를 진행하여 상기 기준 패턴을 갱신하는 단계를 수행하는 반도체 장치의 제조 설비용 공정 모니터링 시스템
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