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반도체 소자의 제조 장치의 공정 모니터링 방법 및 이를 이용한 모니터링 시스템(Method of monitoring process performed by fabrication apparatus of semiconductor device and monitoring system using the same)

  • 기술번호 : KST2016006794
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자의 제조 장치 내에서 수행되는 반복적인 공정들의 진행 모니터링 방법 및 모니터링 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예는, 반도체 소자의 제조 장치에 장착되어 있는 하나 이상의 센서들에 의해 상기 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 중간 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의하는 단계; 상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터 상기 하나 이상의 센서에 의해 실시간으로 제 2 중간 신호를 수신하여 피분석 패턴을 정의하는 단계; 및 상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법을 포함한다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/34(2013.01)
출원번호/일자 1020140104469 (2014.08.12)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0019749 (2016.02.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.12)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구
2 엄태용 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0762799-98
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0141507-23
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0840350-10
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0034013-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0031577-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0237858-93
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0237846-45
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0546834-14
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0939051-31
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0939050-96
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0019093-06
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.02.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0133629-73
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0133628-27
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0133624-45
18 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2017.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0022973-87
19 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2017.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0041720-33
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0305345-93
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자의 제조 장치의 반복적인 공정들의 진행 모니터링 방법에 있어서,상기 제조 장치에 장착되어 있는 하나 이상의 센서들에 의해 상기 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 중간 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의하는 단계;상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터, 상기 하나 이상의 센서에 의해 실시간으로 제 2 중간 신호를 수신하여 피분석 패턴을 정의하는 단계;상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 패턴 인식에 의해 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계; 및상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우 상기 동일 후 공정에 대해 공정 적합성 여부가 판정되는 단계를 포함하고, 상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합한 것으로 판정될 경우, 상기 피분석 패턴을 상기 기준 패턴에 포함시키는 학습 단계를 진행하여 상기 기준 패턴을 갱신하는 단계를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 동일 후 공정 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 패턴 인식에 의해 상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 동일한 패턴으로 인식되는 경우에는, 상기 동일 후 공정은 정상적으로 수행된 것으로 판정되고, 상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우에는, 상기 동일 후 공정은 비정상적으로 수행된 것으로 판정되는 공정 진행 모니터링 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 동일 후 공정이 비정상적으로 수행된 것으로 판정되는 경우, 공정이 중단되는 단계 또는 사용자에게 공정의 중단 시점 및 공정의 중단 원인 중 적어도 하나에 대해서 전달하는 경고음, 경고등 및 경고 화면 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 의해 공정 중단이 표시되는 단계를 더 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합하지 않은 공정으로 판정될 경우 해당 공정은 종료되는 단계를 더 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 학습 단계는 상기 기준 패턴의 구성 요소를 갱신하여 템플릿 정합법, 통계적 접근법, 구조적 접근법, 및 신경망 접근법 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 의한 패턴 인식 접근법에 따라서 수행되는 공정 진행 모니터링 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 센서는 복수 개이고, 상기 제 1 중간 신호 및 상기 제 2 중간 신호는 복수 개의 센서들로부터 각각 수신된 개별 신호들 사이의 산술적 연산, 미분, 적분, 스케일링 및 가중치 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 의해 연산된 신호, 또는 연산되지 않은 개별 신호들로 정의되는 공정 진행 모니터링 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 중간 신호 및 상기 제 2 중간 신호는 상기 하나 이상의 센서로부터 수신된 개별 신호들이 디지털 신호로 변환되어 푸리에 변환 또는 순차 확률비 테스트와 같은 통계적 방법들을 통해 정의 되는 공정 진행 모니터링 방법
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서,상기 하나 이상의 센서는 수정 진동자 저울 (quartz crystal microbalance, QCM), 정전 프로브 (Langmuir probe), 자기 센서 (magnetic probe), 광 센서, 진동 센서, 온도 센서, 압력 센서, 가스 센서, 음향 센서, 분광 분석기(spectroscopy) 및 이온종 질량 분석기(mass spectrometer) 중 어느 하나 또는 두개 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 진행 모니터링 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제 1 중간 신호의 개시점과 종결점은 상기 제조 장치의 정상 진행된 공정의 시작 시점과 완료시점, 또는 공정 진행 중 특정 구간인 것을 특징으로 하는 공정 진행 모니터링 방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴 및 상기 피분석 패턴은 각각 상기 제 1 중간 신호 및 상기 제 2 중간 신호로부터 시간, 위치, 빈도, 진폭, 진동수, 변곡점, 극대값, 극소값, 미분값(또는, 기울기), 평균값, 분산값, 적분값, 실수부, 허수부, 최고점, 최저점, 신호의 2차 미분의 절대값들의 최대값, 최소값 및 평균 중 어느 하나 또는 2 이상의 정보를 구성요소로 정의되는 공정 진행 모니터링 방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴은 한계 오차 범위에 관한 정보를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴은 상기 기준 공정의 개시점으로부터 종결점까지의 상기 신호의 전체 또는 일부인 공정 진행 모니터링 방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴 및 상기 피분석 패턴은 이산적 형태 또는 반복적인 파형을 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
16 16
삭제
17 17
제 1 항에 있어서,상기 기준 패턴 및 상기 피분석 패턴은 표(table)의 형태 또는 행렬(matrix) 형태를 포함하는 공정 진행 모니터링 방법
18 18
제 1 항에 있어서,상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 템플릿 정합법, 통계적 접근법, 구조적 접근법, 및 신경망 접근법 중 어느 하나 또는 2 이상의 조합에 따른 패턴 인식의 접근법에 의해 수행되는 공정 진행 모니터링 방법
19 19
제 1 항에 있어서,상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 피분석 패턴과 상기 기준 패턴이 일대일 비교, 다대일 비교 및 다대다로 비교되는 공정 진행 모니터링 방법
20 20
제 1 항에 있어서,상기 이상 유무를 판정하는 단계는, 상기 피분석 패턴의 실시간 추이가 상기 기준 패턴을 따르는지 여부를 기준으로 수행되는 공정 진행 모니터링 방법
21 21
제 1 항에 있어서,상기 이상 유무를 판정하는 단계는, 복수 개의 기준 패턴들의 시간 간격을 연속적으로 또는 비연속적으로 설정하고, 상기 피분석 패턴의 실시간 추이가 상기 기준 패턴을 따르는지 여부를 기준으로 비교되는 공정 진행 모니터링 방법
22 22
반도체 소자의 제조 장치의 모니터링 방법을 수행하는 컴퓨터 프로그램 코드들을 저장하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체로서,상기 모니터링 방법은,상기 제조 장치에 장착되어 있는 하나 이상의 센서들에 의해, 상기 반도체 소자 제조 장치의 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의 하는 단계;상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터, 상기 하나 이상의 센서에 의해 실시간으로 제 2 신호를 수신하여 피분석 패턴을 생성하는 단계; 및상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 패턴 인식에 의해 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 단계를 포함하고,상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우 상기 동일 후 공정에 대해 공정 적합성 여부가 판정되는 단계를 포함하고, 상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합한 것으로 판정될 경우, 상기 피분석 패턴을 상기 기준 패턴에 포함시키는 학습 단계를 진행하여 상기 기준 패턴을 갱신하는 단계를 포함하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체
23 23
삭제
24 24
반도체 소자의 제조 장치에 장착된 하나 이상의 센서부;상기 하나 이상의 센서들에 의해, 상기 반도체 소자의 제조 장치의 반복적인 공정들 중 정상적으로 수행된 기준 공정으로부터 제 1 신호를 수신하여 기준 패턴을 정의하는 제 1 패턴 생성부;상기 기준 공정 이후의 동일 후 공정으로부터 상기 하나 이상의 센서들에 의해 실시간으로 제 2 신호를 수신하여 피분석 패턴을 생성하는 제 2 패턴 생성부; 및상기 기준 패턴과 상기 피분석 패턴을 패턴 인식에 의해 비교하여, 상기 동일 후 공정의 이상 유무를 판정하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 상기 피분석 패턴이 상기 기준 패턴과 다른 패턴으로 인식되는 경우 상기 동일 후 공정에 대해 공정 적합성 여부가 판정되는 단계를 수행하고,상기 공정 적합성 여부가 판정되는 단계에서 상기 동일 후 공정이 적합한 것으로 판정될 경우, 상기 피분석 패턴을 상기 기준 패턴에 포함시키는 학습 단계를 진행하여 상기 기준 패턴을 갱신하는 단계를 수행하는 반도체 장치의 제조 설비용 공정 모니터링 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.