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유기 발광 다이오드에 입력 전압을 인가하여 상기 유기 발광 다이오드의 양단에 걸리는 유기 발광 다이오드 전압 및 상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 유기 발광 다이오드 전류를 측정하는 단계;상기 유기 발광 다이오드 전류 및 상기 유기 발광 다이오드 전압을 이용하여, 상기 유기 발광 다이오드의 파라미터를 추정하는 단계; 및상기 파라미터를 이용하여, 상기 유기 발광 다이오드의 물리적 특성을 추출하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 저항 및 캐패시터로 모델링 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제2항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 애노드, 상기 애노드 상에 배치되는 홀 주입 층, 상기 홀 주입 층 상에 배치되는 홀 수송 층, 상기 홀 수송 층 상에 배치되는 발광 층, 상기 발광 층 상에 배치되는 전자 수송 층, 상기 전자 수송 층 상에 배치되는 전자 주입 층 및 상기 전자 주입 층 상에 배치되는 캐소드를 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되는 기생 저항(RP), 상기 제2 노드 및 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결되는 다이오드 저항(RD) 및 다이오드 캐패시턴스(CD), 상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 기생 캐패시턴스(CP)로 모델링 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제3항에 있어서, 상기 기생 저항(RP)은 상기 홀 주입 층의 저항, 상기 홀 수송 층의 저항, 상기 전자 수송 층의 저항 및 상기 전자 주입 층의 저항의 합으로 정의되고, 상기 기생 캐패시턴스(CP)는 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이의 캐패시턴스로 정의되며, 상기 다이오드 저항(RD)은 상기 발광 층의 저항으로 정의되고, 상기 다이오드 캐패시턴스(CD)는 상기 발광 층의 캐패시턴스로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제3항에 있어서, 상기 파라미터는 다이오드 저항 상수(RD0), 다이오드 캐패시턴스 상수(CD0), 상기 기생 저항(RP), 상기 기생 캐패시턴스(CP) 및 특성 값(a)을 포함하고, 상기 발광 층의 전압을 VD라고 할 때, 상기 다이오드 저항은 이고, 상기 다이오드 캐패시턴스는 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제5항에 있어서, 상기 파라미터를 추정하는 단계는 복수의 파라미터 후보 벡터의 적합도 함수를 이용하며, 상기 적합도 함수는 상기 측정된 유기 발광 다이오드 전압과 상기 파라미터 후보 벡터를 이용하여 추정된 유기 발광 다이오드 전압의 차이로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제6항에 있어서, θi는 상기 파라미터의 후보 벡터이고, t는 시간이며, IOLED는 상기 유기 발광 다이오드 전류, VOLED는 상기 측정된 유기 발광 다이오드 전압, 상기 는 상기 추정된 유기 발광 다이오드 전압일 때, 상기 적합도 함수(h)는 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제7항에 있어서, 상기 추정된 유기 발광 다이오드 전압( )은 및 를 이용하여 추정되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제6항에 있어서, 상기 파라미터를 추정하는 단계는N개의 최초 후보 벡터 중 상기 적합도 함수가 큰 P개의 제1 후보 벡터를 선정하는 단계;상기 제1 후보 벡터를 연결한 선분에서 N-P개의 제2 후보 벡터를 선정하는 단계;상기 제1 후보 벡터 및 상기 제2 후보 벡터 중 상기 적합도 함수가 큰 하나의 벡터를 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제9항에 있어서, 상기 파라미터를 추정하는 단계는 상기 N개의 최초 후보 벡터 중 상기 적합도 함수가 큰 하나의 벡터를 결정하는 단계를 수회 반복하여 하나의 최종 벡터를 결정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제3항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 물리적 특성은 역 포화 전류(IS0)이고, 상기 역 포화 전류는 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제3항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 물리적 특성은 이상 지수(n)이고, k는 볼츠만 상수이고, T는 상기 유기 발광 다이오드의 절대온도일 때, 상기 이상 지수는 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제3항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 물리적 특성은 캐리어 수명(τm)이고, 상기 캐리어 수명(τm)은 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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제1항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드 전압 및 상기 유기 발광 다이오드 전류를 측정하는 단계는 상기 유기 발광 다이오드에 측정 저항(RL)을 직렬로 연결하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 검사 방법
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유기 발광 다이오드에 직렬로 연결되는 측정 저항;상기 유기 발광 다이오드에 입력 전압을 인가하여 상기 유기 발광 다이오드의 양단에 걸리는 유기 발광 다이오드 전압 및 상기 유기 발광 다이오드에 흐르는 유기 발광 다이오드 전류 중 적어도 어느 하나를 측정하는 데이터 수집 모듈; 및상기 유기 발광 다이오드 전류 및 상기 유기 발광 다이오드 전압을 이용하여 상기 유기 발광 다이오드의 파라미터를 추정하고, 상기 파라미터를 이용하여 상기 유기 발광 다이오드의 물리적 특성을 추출하는 처리 장치를 포함하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제15항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 저항 및 캐패시터로 모델링 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제16항에 있어서, 상기 유기 발광 다이오드는 애노드, 상기 애노드 상에 배치되는 홀 주입 층, 상기 홀 주입 층 상에 배치되는 홀 수송 층, 상기 홀 수송 층 상에 배치되는 발광 층, 상기 발광 층 상에 배치되는 전자 수송 층, 상기 전자 수송 층 상에 배치되는 전자 주입 층 및 상기 전자 주입 층 상에 배치되는 캐소드를 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드는 제1 노드 및 제2 노드 사이에 연결되는 기생 저항(RP), 상기 제2 노드 및 제3 노드 사이에서 서로 병렬로 연결되는 다이오드 저항(RD) 및 다이오드 캐패시턴스(CD), 상기 제1 노드 및 상기 제3 노드 사이에 연결되는 기생 캐패시턴스(CP)로 모델링 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제17항에 있어서, 상기 기생 저항(RP)은 상기 홀 주입 층의 저항, 상기 홀 수송 층의 저항, 상기 전자 수송 층의 저항 및 상기 전자 주입 층의 저항의 합으로 정의되고, 상기 기생 캐패시턴스(CP)는 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이의 캐패시턴스로 정의되며, 상기 다이오드 저항(RD)은 상기 발광 층의 저항으로 정의되고, 상기 다이오드 캐패시턴스(CD)는 상기 발광 층의 캐패시턴스로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제17항에 있어서, 상기 파라미터는 다이오드 저항 상수(RD0), 다이오드 캐패시턴스 상수(CD0), 상기 기생 저항(RP), 상기 기생 캐패시턴스(CP) 및 특성 값(a)을 포함하고, 상기 발광 층의 전압을 VD라고 할 때, 상기 다이오드 저항은 이고, 상기 다이오드 캐패시턴스는 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제19항에 있어서, 상기 처리 장치는 복수의 파라미터 후보 벡터의 적합도 함수를 이용하여 상기 파라미터를 추정하며, 상기 적합도 함수는 상기 측정된 유기 발광 다이오드 전압과 상기 파라미터 후보 벡터를 이용하여 추정된 유기 발광 다이오드 전압의 차이로 정의되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제20항에 있어서, θi는 상기 파라미터의 후보 벡터이고, t는 시간이며, IOLED는 상기 유기 발광 다이오드 전류, VOLED는 상기 측정된 유기 발광 다이오드 전압, 상기 는 상기 추정된 유기 발광 다이오드 전압일 때, 상기 적합도 함수(h)는 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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제21항에 있어서, 상기 처리 장치는 N개의 최초 후보 벡터 중 상기 적합도 함수가 큰 P개의 제1 후보 벡터를 선정하고, 상기 제1 후보 벡터를 연결한 선분에서 N-P개의 제2 후보 벡터를 선정하며, 상기 제1 후보 벡터 및 상기 제2 후보 벡터 중 상기 적합도 함수가 큰 하나의 벡터를 결정하여 파라미터를 추정하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 검사 장치
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