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대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법(Method of Preparing Vertical Cylinder or Lamella Structure of Organic Molecule Arranged in Large Area Single Domain)

  • 기술번호 : KST2016013912
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 여러개의 도메인(domain)을 가지고 있어 배열방향이 일정하지 않은 유기분자를 바닥기판과 상부기판사이에 배열한 다음, 등방성전이온도 이상으로 열처리하여 처음과는 다른, 새로운 배열을 가지게 하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체는 대면적 단일 도메인으로 완벽하게 수직원기둥형상을 가지게 되며, 기판의 특성에 관계없이 평평한 기판사이에서 공간적으로 제한되어 열처리과정을 거치게 되므로, 고온 또는 용제를 이용한 배열에 비하여 빠르고 효율적으로 나노 구조체를 형성하는 것에 유용하다.
Int. CL B32B 37/14 (2006.01.01) B32B 37/02 (2006.01.01) B32B 38/10 (2020.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) B32B 3/18 (2006.01.01) B32B 3/26 (2006.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01) B32B 37/24 (2006.01.01)
CPC B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01) B32B 37/144(2013.01)
출원번호/일자 1020150006918 (2015.01.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0087664 (2016.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.14)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정희태 대한민국 대전광역시 유성구
2 권기옥 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0039528-18
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0736110-42
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0043118-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
다음 단계를 포함하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법: (a) 바닥기판과 상부기판 사이에 유기분자를 공간적으로 제한시키는 단계; 및 (b) 상기 바닥기판과 상부기판 사이에 공간적으로 제한된 유기분자를 상기 유기분자의 등방성전이온도 이상으로 가열한 다음, 냉각하여 상기 유기분자를 상기 바닥기판과 상부기판 사이에 수직으로 배열시키는 단계
2 2
제1항에 있어서, 상기 (a)단계는 ;(i) 바닥기판위에 유기분자박막을 형성한 다음, 상부기판을 덮어 바닥기판과 상부기판 사이에 유기분자를 공간적으로 제한시키는 단계;(ii) 바닥기판과 상부기판이 공간적으로 이격된 상태에서, 유기분자가 모세관 현상에 의하여 바닥기판과 상부기판 사이에 박막을 형성하여 바닥기판과 상부기판 사이에 유기분자를 공간적으로 제한시키는 단계; 또는(iii) 바닥기판에 유기분자 박막을 형성한 다음, 박막상부에 (1) 폴리머솔루션 스핀코딩, (2) 카본 스퍼터링(carbon sputtering), 또는 (3) 초기 화학 진공 증착(Initiated chemical vapour deposition, iCVD)을 통해 상부기판을 형성하여 바닥기판과 상부기판 사이에 유기분자를 공간적으로 제한시키는 단계;인 것을 특징으로 하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기분자는 화학식 1~10에서 선택되는 것을 특징으로 하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, (c) 상부기판을 제거하여 바닥기판에 대해 수직으로 배열된 유기분자를 수득하는 단계; 를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 바닥기판은 실리콘웨이퍼, 유리, ITO, 고분자 필름 또는 상기 기판에 고분자 또는 카본으로 코팅된 기판인 것을 특징으로 하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 바닥기판과 상부기판의 간격은 1nm~100㎛인 것을 특징으로 하는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 제조방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체를 이용한 리소그래피 템플릿의 제조방법
8 8
제7항의 방법을 이용하여 제조되는 대면적 단일 도메인으로 배열된 리소그래피 템플릿
9 9
제8항의 리소그래피 템플릿을 이용한 전자소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 전자소자는 디스플레이소자 및 태양전지소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 제조방법은 (i) (1)상기 리소그래피 템플릿에 자외선을 조사하여, 유기분자의 일부분을 선택적으로 제거한 다음, 활성화 이온에칭을 통하여, 실리콘 웨이퍼에 패턴을 전사하여 나노구조를 형성하는 단계; 또는 (2) 유기분자의 일부분에 선택적으로 금속 또는 무기물 전구체를 결합시키고, 산화, 환원 또는 유기분자 제거과정을 거쳐 금속 또는 무기물 나노구조체를 형성하는 단계; 및(ii) 상기 나노구조를 이용하여 전자소자를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
12 12
제9항의 제조방법을 이용하여 제조되는 대면적으로 배열된 나노구조를 함유하는 전자소자
13 13
제12항에 있어서, 상기 전자소자는 디스플레이소자 및 태양전지소자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자
14 14
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체를 이용한 투명전극의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 제조방법은 (i) 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체의 중심부분에 금속염을 부착하는 단계;(ii) 산화과정을 통하여 규칙적으로 배열된 산화금속을 수득하고, 산화금속을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;(iii) 규칙적으로 배열된 탄소나노튜브를 이용하여 투명전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극의 제조방법
16 16
제14항의 제조방법을 이용하여 규칙적으로 배열된 탄소나노튜브를 함유하는 제조되는 투명전극
17 17
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 대면적 단일 도메인으로 배열된 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라 구조체를 이용한 멤브레인의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 제조방법은 유기분자의 수직원기둥 또는 라멜라구조체의 중심부가 이온 또는 중금속과 결합이 가능하거나 이온 전도성을 가지도록 제조하는 것을 특징으로 하는 멤브레인의 제조방법
19 19
제17항의 제조방법을 이용하여 제조되는 중심부가 중금속과 결합가능하거나 이온전도성을 가지는 멤브레인
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105776126 CN 중국 FAMILY
2 US10457012 US 미국 FAMILY
3 US20160200068 US 미국 FAMILY
4 WO2016114501 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2016114501 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105776126 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN105776126 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US10457012 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2016200068 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2016114501 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2016114501 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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