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탐침 위에 제1 박막 봉지막을 형성하는 단계;상기 제1 박막 봉지막 상의 제1 영역에 상기 제1 전극을 증착하는 단계;상기 제1 박막 봉지막 상의 제2 영역에 상기 절연층을 증착하는 단계;상기 제1 전극과 상기 절연층 위에 발광층을 증착하는 단계;상기 발광층의 위에 제2 전극을 증착하는 단계; 및상기 제2 전극의 위에 제2 박막 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 발광층은,유기 발광 물질을 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극을 증착하는 단계는,포토레지스트(photoresist)를 이용하여 상기 제1 박막 봉지막 상에 미세 패턴을 형성하는 단계;상기 미세 패턴에 금속층을 증착하는 단계; 및상기 금속층에 리프트 오프(lift off)를 수행하여 상기 제1 영역에 상기 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제3항에 있어서,상기 미세 패턴을 형성하는 단계는,상기 포토레지스트를 이용하여 상기 제1 전극과 상기 제1 전극이 파워 공급기와 연결될 영역을 제외한 영역을 패터닝 하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 증착하는 단계는,상기 제1 박막 봉지막 상에서 상기 제1 전극 부분만 오픈되도록 상기 제2 영역에만 상기 절연층을 증착하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 발광층을 증착하는 단계는,열 증착기를 이용하여 고진공에서 상기 발광층을 증착하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 발광층을 증착하는 단계는,상기 발광층을 상기 제2 전극의 컨택 라인(contact line)을 덮지 않으면서 상기 제1 전극 위에만 증착하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 박막 봉지막을 형성하는 단계는,상기 탐침 소자 위에 상기 제1 박막 봉지막이 형성되도록 상기 탐침 소자를 제외한 웨이퍼 상의 영역에 포토레지스트를 패터닝하는 단계;상기 웨이퍼의 전면에 박막 봉지막 층을 코팅하는 단계; 및상기 박막 봉지막 층에 리프트 오프를 수행하여 상기 제1 박막 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 박막 봉지막을 형성하는 단계는,상기 제2 전극 위에 상기 제2 박막 봉지막이 형성되도록 상기 탐침 소자를 제외한 웨이퍼 상의 영역을 포토레지스트로 패터닝하는 단계;상기 웨이퍼의 전면에 박막 봉지막 층을 코팅하는 단계; 및상기 박막 봉지막 층에 리프트 오프를 수행하여 상기 제2 박막 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제8항에 있어서,상기 박막 봉지막 층을 코팅하는 단계는,원자층 증착(Atomic Layer Depostion; ALD) 공정 및 스핀 코팅(Spin coating) 공정을 통해 웨이퍼 전면에 상기 박막 봉지막 층을 코팅하는 단계를 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,웨이퍼(wafer) 위에 희생층(Sacrificial layer)를 증착하는 단계; 및상기 희생층 위에 상기 탐침을 제작하는 단계를 더 포함하는 유기 광원 집적 방법
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제1항에 있어서,상기 탐침은,시그널링 전극(Signaling electrode)를 포함하는유기 광원 집적 방법
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탐침;상기 탐침 소자 위에 형성된 제1 박막 봉지막;상기 제1 박막 봉지막 상의 제1 영역에 증착된 제1 전극;상기 제1 박막 봉지막 상의 제2 영역에 증착된 절연층;상기 제1 전극 및 절연층 위에 증착된 발광층;상기 발광층의 위에 증착된 제2 전극; 및상기 제2 전극 위에 형성된 제2 박막 봉지막을 포함하는 유기 광원이 집적된 탐침 소자
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제13항에 있어서,상기 발광층은,유기 발광 물질을 포함하는 유기 광원이 집적된 탐침 소자
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제13항에 있어서,상기 탐침은,시그널링 전극(signaling electrode)을 포함하는유기 광원이 집적된 탐침 소자
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제13항에 있어서,상기 제2 영역은,상기 제1 박막 봉지막 상의 제1 영역을 제외한 모든 영역인유기 광원이 집적된 탐침 소자
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제13항에 있어서,상기 발광층은,상기 제2 전극의 컨택 라인(contact line)을 덮지 않으면서 상기 제1 전극 위에만 증착된유기 광원이 집적된 탐침 소자
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