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자기 저항 메모리 장치의 감지 회로 및 이에 있어서 감지 방법(SENSING CIRCUIT OF A MAGNETRORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND SENSING METHOD IN THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016014796
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 충분한 감지 마진을 확보하여 감지 수율을 향상시키고 공정산포에 강인한 감지 회로 및 이에 있어서 감지 방법이 개시된다. 상기 감지 회로는 데이터 셀을 통하여 흐르는 전류에 해당하는 데이터 전압이 형성되는 데이터 감지부, 기준 셀을 통하여 흐르는 전류에 해당하는 기준 전압이 형성되는 기준 감지부 및 상기 데이터 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 데이터 셀의 데이터를 감지하는 감지 출력부를 포함한다. 여기서, 상기 데이터 전압이 상기 기준 감지부로 인가되거나 상기 기준 전압이 상기 데이터 감지부로 인가된다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01) G11C 7/10 (2015.01)
CPC G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01) G11C 11/1673(2013.01)
출원번호/일자 1020150014898 (2015.01.30)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1691715-0000 (2016.12.26)
공개번호/일자 10-2016-0093954 (2016.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20161230) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유창식 대한민국 서울특별시 송파구
2 김경민 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0103422-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0063667-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0352137-59
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0694665-29
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0781516-54
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0781515-19
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0923742-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
데이터 셀을 통하여 흐르는 전류에 해당하는 데이터 전압이 형성되는 데이터 감지부;기준 셀을 통하여 흐르는 전류에 해당하는 기준 전압이 형성되는 기준 감지부; 및상기 데이터 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 데이터 셀의 데이터를 감지하는 감지 출력부를 포함하며, 상기 기준 감지부는,전원전압과 상기 기준 전압이 형성되는 제 2 노드 사이에 직렬로 연결되는 제 1 기준 트랜지스터 및 제 2 기준 트랜지스터; 및상기 제 2 노드에 연결되며 바이어스 전압이 인가되는 제 3 기준 트랜지스터를 포함하되,상기 제 2 노드는 상기 제 2 기준 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제 3 기준 트랜지스터는 상기 제 2 노드를 기준으로 하여 상기 제 2 기준 트랜지스터에 병렬로 연결되며, 상기 데이터 전압이 상기 제 2 기준 트랜지스터의 게이트로 입력되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 데이터 감지부는,전원전압과 상기 데이터 전압이 형성되는 제 1 노드 사이에 직렬로 연결되는 제 1 데이터 트랜지스터 및 제 2 데이터 트랜지스터; 및상기 제 1 노드에 연결되며 바이어스 전압이 인가되는 제 3 데이터 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 노드는 상기 제 2 데이터 트랜지스터의 드레인에 연결되고, 상기 제 3 데이터 트랜지스터는 상기 제 1 노드를 기준으로 하여 상기 제 2 데이터 트랜지스터에 병렬로 연결되며, 상기 기준 전압이 상기 제 2 데이터 트랜지스터의 게이트로 입력되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 제 1 노드의 데이터 전압이 상기 제 1 데이터 트랜지스터의 게이트로 인가되어 다이오드-연결 디제너레이션 회로가 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
4 4
제2항에 있어서, 상기 데이터 전압은 상기 제 3 데이터 트랜지스터에 연결된 데이터 저항을 통하여 흐르는 전류와 상기 제 2 데이터 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류를 같게 하는 동작 전압으로 형성되며, 상기 데이터 전압은 읽기 동작시 프리차지된 상태에서 상기 동작 전압으로 감소하되,상기 감지 회로는 상기 제 1 노드에 연결되어 상기 데이터 전압과 상기 기준 전압 사이의 차이가 더 빨리 벌어지도록 하는 데이터 보조 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
5 5
제4항에 있어서, 상기 데이터 보조 회로는,상기 제 1 노드에 연결된 인버터; 및상기 인버터에 연결된 보조 트랜지스터를 포함하되,상기 데이터 전압이 제 1 속도로 특정 전압까지 감소하며, 상기 데이터 전압이 상기 특정 전압에 도달하면 상기 보조 트랜지스터가 활성화되어 상기 데이터 전압이 상기 제 1 속도보다 빠른 제 2 속도로 감소하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 제 2 노드의 기준 전압이 상기 제 1 기준 트랜지스터의 게이트로 인가되어 다이오드-연결 디제너레이션 회로가 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
8 8
제1항에 있어서, 상기 기준 전압은 상기 제 3 기준 트랜지스터에 연결된 기준 저항을 통하여 흐르는 전류와 상기 제 2 기준 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류를 같게 하는 동작 전압으로 형성되며, 상기 기준 전압은 읽기 동작시 프리차지된 상태에서 상기 동작 전압으로 감소하되,상기 감지 회로는 상기 제 2 노드에 연결되어 상기 데이터 전압과 상기 기준 전압 사이의 차이가 더 빨리 벌어지도록 하는 기준 보조 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
9 9
제8항에 있어서, 상기 기준 보조 회로는,상기 제 2 노드에 연결된 인버터; 및상기 인버터에 연결된 보조 트랜지스터를 포함하되,상기 기준 전압이 제 3 속도로 특정 전압까지 감소하며, 상기 기준 전압이 상기 특정 전압에 도달하면 상기 보조 트랜지스터가 활성화되어 상기 기준 전압이 상기 제 3 속도보다 빠른 제 4 속도로 감소하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
10 10
전원전압과 데이터 셀에 해당하는 데이터 전압이 형성되는 제 1 노드 사이에 직렬로 연결되는 제 1 데이터 트랜지스터 및 제 2 데이터 트랜지스터; 및상기 전원전압과 기준 셀에 해당하는 기준 전압이 형성되는 제 2 노드 사이에 직렬로 연결되는 제 1 기준 트랜지스터 및 제 2 기준 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 노드는 상기 제 2 데이터 트랜지스터의 일단에 연결되고, 상기 제 2 노드는 상기 제 2 기준 트랜지스터의 일단에 연결되며, 상기 데이터 전압은 상기 제 1 데이터 트랜지스터의 게이트로 인가되고, 상기 기준 전압은 상기 제 1 기준 트랜지스터의 게이트로 인가되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
11 11
제10항에 있어서, 상기 제 1 노드는 상기 제 2 기준 트랜지스터의 게이트에 연결되고, 상기 제 2 노드는 상기 제 2 데이터 트랜지스터의 게이트에 연결되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
12 12
제10항에 있어서,상기 제 1 노드에 연결되며 상기 데이터 전압이 프리차지된 상태에서 감소하여 제 1 특정 전압에 도달하면 활성화되어 상기 데이터 전압의 감소 속도를 증가시키는 제 1 보조 트랜지스터; 및상기 제 2 노드에 연결되며 상기 기준 전압이 프리차지된 상태에서 감소하여 제 2 특정 전압에 도달하면 활성화되어 상기 기준 전압의 감소 속도를 증가시키는 제 2 보조 트랜지스터를 포함하되,상기 제 1 보조 트랜지스터와 상기 제 2 보조 트랜지스터는 동시에 활성화되지는 않는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치의 감지 회로
13 13
데이터 셀에 해당하는 데이터 전압을 프리차지된 상태에서 제 1 동작 전압까지 감소시키는 단계;기준 셀에 해당하는 기준 전압을 프리차지된 상태에서 제 2 동작 전압까지 감소시키는 단계; 및상기 제 1 동작 전압까지 감소된 상기 데이터 전압과 상기 제 2 동작 전압까지 감소된 상기 기준 전압을 비교하여 상기 데이터 셀의 데이터를 감지하는 단계를 포함하되,상기 데이터 전압이 상기 기준 전압의 감소에 영향을 주거나 상기 기준 전압이 상기 데이터 전압의 감소에 영향을 주며, 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압이 감소하여 해당 특정 전압에 도달한 때로부터 상기 데이터 전압과 상기 기준 전압 사이의 차이가 상기 데이터 전압 또는 상기 기준 전압이 상기 특정 전압에 도달하기 전의 상기 데이터 전압과 상기 기준 전압 사이의 차이보다 보조 회로에 의해 더 커지는 것을 특징으로 하는 자기 저항 메모리 장치에서의 감지 방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구