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멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로

  • 기술번호 : KST2014042686
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 멀티 레벨 셀 메모리의 동작에 필요한 전압을 안정적으로 발생시킬 수 있는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로가 개시된다. 전압 발생 회로는 소정 주파수의 클럭 신호를 생성시키는 오실레이터와, 오실레이터로부터 클럭 신호를 제공받고 피드백 신호에 기초하여 클럭 신호의 출력 여부를 제어하는 펌핑 제어부와, 클럭 신호에 상응하여 전원 전압보다 높은 고전압을 생성하는 차지 펌프 및 차지 펌프로부터 제공된 고전압에 포함된 리플 전압을 감소시키고 고전압을 전압 강하하여 검출 전압을 생성한 후 상기 검출 전압과 기준 전압을 비교하고 비교 결과를 펌핑 제어부에 피드백 신호로 제공하는 레귤레이터를 포함한다. 따라서, 전압 생성 회로로부터 발생되는 전압에 포함된 리플 전압을 감소시켜 다양한 레벨의 워드 라인 전압을 안정적으로 생성시킬 수 있다. 플래시 메모리, MLC, 레귤레이터, 리플, 프리차지
Int. CL G11C 16/30 (2006.01.01) G11C 16/08 (2006.01.01) G11C 11/56 (2006.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01) H02M 3/07 (2006.01.01)
CPC G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01)
출원번호/일자 1020080132872 (2008.12.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1006797-0000 (2010.12.31)
공개번호/일자 10-2010-0074439 (2010.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20110110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영일 대한민국 서울특별시 성동구
2 이학수 중국 서울특별시 성동구
3 이종석 대한민국 서울특별시 성동구
4 윤한섭 대한민국 경기도 이천시
5 곽계달 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0886347-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2009.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0402725-14
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065818-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0312711-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0611233-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0611227-59
8 등록결정서
Decision to grant
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0604074-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
멀티 레벨 셀 메모리의 워드 라인에 제공되는 전압을 생성하는 전압 발생 회로에 있어서, 소정 주파수의 클럭 신호를 생성시키는 오실레이터; 상기 오실레이터로부터 상기 클럭 신호를 제공받고 피드백 신호에 기초하여 상기 클럭 신호의 출력 여부를 제어하는 펌핑 제어부; 상기 클럭 신호에 상응하여 전원 전압보다 높은 고전압을 생성하는 차지 펌프; 및 상기 차지 펌프로부터 제공된 상기 고전압을 수신하고, 상기 고전압을 근거로 검출 전압을 생성한 후, 상기 검출 전압과 기준 전압을 비교하여 상기 펌핑 제어부에 상기 피드백 신호로 제공하는 레귤레이터를 포함하고, 상기 레귤레이터는, 상기 고전압을 전압 강하하여 상기 검출 전압을 생성하는 전압 강하부; 상기 전압 강하부의 전압 강하 레벨을 조정하여 상기 고전압을 전압 강하함으로써 서로 다른 레벨의 전압을 생성하는 전압 승강부; 상기 고전압에 포함된 리플 전압을 감소시키는 리플 제거부; 및 상기 검출 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 비교 결과 신호를 출력하는 비교부를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로
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삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 리플 제거부는 0
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 전압 승강부는 구동 인에이블 신호에 기초하여 활성화되어 구동 활성화 신호를 제공하는 구동부; 및 상기 구동부로부터 제공된 구동 활성화 신호에 상응하여 턴 온 됨으로써 상기 전압 강하부의 전압 강하 레벨을 조정하는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로
6 6
멀티 레벨 셀 메모리의 워드 라인에 제공되는 전압을 생성하는 전압 발생 회로에 있어서, 소정 주파수의 클럭 신호를 생성시키는 오실레이터; 상기 오실레이터로부터 상기 클럭 신호를 제공받고 피드백 신호에 기초하여 상기 클럭 신호의 출력 여부를 제어하는 펌핑 제어부; 상기 클럭 신호에 상응하여 전원 전압보다 높은 고전압을 생성하는 차지 펌프; 및 상기 고전압을 전압 강하하여 검출 전압을 생성하고, 상기 검출 전압과 기준 전압을 비교하고 비교 결과를 상기 펌핑 제어부에 상기 피드백 신호로 제공하며, 요구되는 전압에 따라 상기 차지 펌프를 선택적으로 동작 시키고 상기 차지 펌프가 동작되지 않는 경우 소정의 프리차지 전압으로 프리차지 시키는 레귤레이터를 포함하고, 상기 레귤레이터는, 상기 고전압을 전압강하아여 상기 검출 전압을 생성하는 전압 강하부; 상기 전압 강하부의 전압 강하 레벨을 조정하여 서로 다른 레벨의 전압을 생성하는 전압 승강부; 상기 고전압에 포함된 리플 전압을 감소시키는 리플 제거부; 및 상기 검출 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 비교 결과 신호를 출력하는 비교부를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로
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삭제
8 8
제6항에 있어서, 상기 레귤레이터는 상기 요구되는 전압이 상기 프리차지 전압보다 낮은 경우 활성화되고, 상기 요구되는 전압이 상기 프리차지 전압보다 높은 경우 비활성화되는 프리차지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로
9 9
제8항에 있어서, 상기 프리차지부가 활성화되면 상기 차지 펌프는 펌핑 동작을 중지하고, 상기 프리차지부가 비활성화되면 상기 차지 펌프는 상기 프리 차지 전압부터 전압을 상승시켜 상기 고전압을 생성하는 것을 특징으로 하는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로
10 10
삭제
11 11
제6항에 있어서, 상기 전압 승강부는 구동 인에이블 신호에 기초하여 활성화되어 구동 활성화 신호를 제공하는 구동부; 및 상기 구동부로부터 제공된 구동 활성화 신호에 상응하여 턴 온 됨으로써 상기 전압 강하부의 전압 강하 레벨을 조정하는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 셀 메모리 장치의 전압 발생 회로
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (산업자원부) 경북대학교 (이종호) 차세대신기술개발사업 고신뢰성 금속 및 금속산화물 나노입자가 장착된 3차원 NFGM 소자 개발