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탄소질 물질에 혼입된 전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide)를 포함하는 나노복합체로서,상기 탄소질 물질은 탄소나노튜브, 그래파이트, 탄소섬유, 환원 그래핀 옥사이드 플레이크(reduced graphene oxide flake), 또는 팽창 그래파이트(expanded graphite)를 포함하는 것이며,상기 전이금속 디칼코게나이드는, 단일 또는 복수의 층으로 상기 탄소질 물질의 외부 표면에 원통형으로 적층된 것, 또는 상기 탄소질 물질 내부에 층간 삽입된 형태로 적층된 것을 포함하는 것이며,상기 전이금속 디칼코게나이드가 상기 탄소질 물질에 코팅되어 직접 성장됨으로써 상기 전이금속 디칼코게나이드의 응집이 방지되는 것인,나노복합체
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제 1 항에 있어서,다공성을 가지는, 나노복합체
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 하기 화학식 1로서 표시되는 것을 포함하는 것인, 나노복합체:003c#화학식 1003e#MX2 ;상기 식에서, M은 Mo, Ti, V, 또는 W이고; X는 S 또는 Se임
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 상기 탄소질 물질 내부 시트 표면에 수직으로 성장된 것인, 나노복합체
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탄소질 물질에 칼코겐 원소를 혼합하여 칼코겐 원소가 코팅된 탄소질 물질 혼합물을 수득하고,상기 칼코겐 원소가 코팅된 탄소질 물질 혼합물과 전이금속 전구체를 혼합하고 마이크로파 처리하여 상기 탄소질 물질에 전이금속 디칼코게나이드(transition metal dichalcogenide)를 직접 성장시켜 탄소질-전이금속 디칼코게나이드 나노복합체를 수득하는 것을 포함하는, 나노복합체의 제조 방법에 있어서,상기 탄소질 물질은 탄소나노튜브, 그래파이트, 탄소섬유, 환원 그래핀 옥사이드 플레이크(reduced graphene oxide flake), 또는 팽창 그래파이트(expanded graphite)인 것을 포함하는 것인,나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서, 상기 칼코겐 원소는 S 또는 Se를 포함하고, 상기 전이금속 전구체는 Mo, Ti, V, 또는 W로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것인, 나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 마이크로파 처리 전, 상기 칼코겐 원소가 코팅된 탄소질 물질 혼합물 및 전이금속 전구체와의 혼합물을 분쇄하는 것을 포함하는, 나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 마이크로파 처리는 불활성 기체 분위기에서 수행되는 것인, 나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 탄소질 물질에 칼코겐 원소를 혼합하는 단계에서, 무용매 상태에서 혼합하여 상기 칼코겐 원소가 코팅된 탄소질 물질 혼합물을 수득하는 것을 포함하는, 나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 탄소질 물질에 칼코겐 원소를 혼합하는 단계에서, 상기 칼코겐 원소에 대하여 가용성을 가지는 용매를 사용하여 혼합함으로써 상기 칼코겐 원소가 코팅된 탄소질 물질 혼합물을 수득하는 것을 포함하는, 나노복합체의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 칼코겐 원소가 코팅된 탄소질 물질 혼합물과 전이금속 전구체를 혼합하는 단계에서, 상기 칼코겐 원소에 대하여 불용성을 가지면서 동시에 상기 전이금속 전구체에 대하여 가용성을 가지는 용매를 사용하여 혼합하는 것을 추가 포함하는, 나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 마이크로파 처리를 수행함으로써 상기 전이금속 디칼코게나이드를 상기 탄소질 물질 외부에 단일 또는 복수의 층으로 적층시키는 것인, 나노복합체의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 마이크로파 처리를 수행함으로써 상기 전이금속 디칼코게나이드를 상기 탄소질 물질 내부에 단일 또는 복수의 층으로 적층시키는 것인, 나노복합체의 제조 방법
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활물질로서 제 1 항 내지 제 3 항, 및 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 나노복합체를 포함하는, 이차전지용 전극
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제 18 항에 따른 이온 전지용 전극, 리튬 또는 나트륨, 세퍼레이터, 및 전해질을 포함하는, 이차전지
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