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헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법(Process for Preparing Heteroatom-Doped Graphene)

  • 기술번호 : KST2016016186
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 (i) 헤테로원자 전구체 및 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기 하에서 가열하는 단계; 및 (ii) 헤테로원자로 도핑된 그래핀을 분리하는 단계를 포함하고, 상기 헤테로원자 전구체는 하이드록시기를 포함하지 아니하는 것임을 특징으로 하는, 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법 및 이렇게 제조된 그래핀의 용도에 대한 것이다.
Int. CL H01M 10/052 (2010.01) C01B 31/04 (2006.01) H01M 4/58 (2015.01)
CPC C01B 32/182(2013.01) C01B 32/182(2013.01) C01B 32/182(2013.01) C01B 32/182(2013.01)
출원번호/일자 1020150028476 (2015.02.27)
출원인 서울대학교산학협력단, 기초과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0105152 (2016.09.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성영은 대한민국 서울특별시 동작구
2 박원철 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 권파 중국 경기도 수원시 영통구
4 유승호 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0199930-67
2 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2015.03.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0213887-10
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0052794-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0346712-25
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0070647-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2015.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0650673-30
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0985489-03
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.10.13 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0985470-36
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.10.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-0987503-02
12 보정요구서
Request for Amendment
2015.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0161321-31
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0165962-70
14 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2015.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0173511-35
15 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2015.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0189589-04
16 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2016.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0017430-62
17 보정요구서
Request for Amendment
2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0006101-92
18 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0135050-50
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
23 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2020-0208203-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
헤테로원자 전구체 및 알칼리금속 공급원의 혼합물을 비활성 분위기 하에서 가열하는 단계를 포함하고,상기 헤테로원자 전구체는 하이드록시기를 포함하지 아니하는 것임을 특징으로 하는, 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 헤테로원자는 S, N, B, Si, P 및 F로 이루어진 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 헤테로원자 전구체가 디메틸설폭사이드 또는 디메틸포름아미드인 것임을 특징으로 하는 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 알칼리금속 공급원은 Na 또는 NaOH인 것임을 특징으로 하는 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 가열 온도가 150℃ 내지 300℃인 것임을 특징으로 하는 헤테로원자로 도핑된 그래핀 제조 방법
6 6
리튬 이온 전지의 음극 재료용으로 사용하기 위한, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 헤테로원자로 도핑된 그래핀
7 7
산소 환원 반응의 촉매로 사용하기 위한, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 헤테로원자로 도핑된 그래핀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.