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투명부를 포함하는 챔버 내에 금속 촉매를 로딩하고,상기 챔버 내에 탄소 소스(carbon source)를 포함하는 반응 가스를 공급하고,상기 챔버 외부로부터 상기 투명부를 통하여 상기 금속 촉매에 근적외선(near-infrared, NIR)을 조사하여 상기 금속 촉매를 발열시킴으로써, 상기 금속 촉매와 상기 탄소 소스를 반응시켜 상기 금속 촉매의 표면에 그래핀을 성장시키는 것을 포함하는,근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 근적외선은 700 nm 내지 1,500 nm의 파장을 가지는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 근적외선은 색온도 2,200 K 내지 3,500 K를 가지는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 촉매는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, 황동(brass), 청동(bronze), 스테인레스 스틸(stainless steel), Ge, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매는 기재(substrate) 상에 형성된 금속 촉매층을 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 촉매는 롤(roll) 형태의 기재 상에 형성된 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 소스는 기상 또는 액상인 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소 소스는 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 챔버 내에 1 개 내지 20 개의 금속 촉매가 로딩되는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 근적외선은 1 방향 내지 6 방향으로부터 상기 금속 촉매에 조사됨으로써, 상기 금속 촉매 상에서 1 개 내지 6 개의 그래핀이 동시에 성장되는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명부는 상기 챔버의 적어도 한 면에 형성되어 있는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명부는 석영, 사파이어, 또는 유리를 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 방법
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내부에 금속 촉매가 로딩되는 챔버;상기 챔버의 적어도 일 측면 상에 형성되는 투명부;상기 챔버 내에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스를 공급하는 반응 가스 공급부; 및,상기 챔버 외부에 배치되며, 상기 투명부를 통하여 상기 챔버 내로 근적외선을 조사하여 상기 금속 촉매를 발열시키기 위한 근적외선 광원을 포함하는,근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 투명부는 석영, 사파이어, 또는 유리를 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 근적외선 광원은 근적외선 히팅 모듈을 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 근적외선 광원은 700 nm 내지 1,500 nm 파장의 근적외선을 조사하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 근적외선 광원은 1 개 이상인 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 금속 촉매는 기재(substrate) 상에 형성된 금속 촉매층을 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 금속 촉매는 롤(roll) 형태의 기재 상에 형성된 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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제 13 항에 있어서,상기 챔버 내에 배치되며 상기 금속 촉매를 지지하는 금속 촉매 지지부를 추가로 포함하는 것인, 근적외선을 이용한 그래핀의 제조 장치
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