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플라즈마 원자층 증착 장치 및 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법(APPARATUS FOR PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION AND METHOD FOR FORMING THIN FILM OXIDES USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016017545
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 원자층 증착 장치 및 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법에 관한 것으로, 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버; 챔버에 설치되어 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 및 기판상에 증착될 산화물 박막의 목표 플랫 밴드(flat-band) 전압 레벨 또는 산화물 박막을 포함하는 트랜지스터의 목표 문턱 전압(threshold voltage) 레벨에 따라 플라즈마의 전력을 산출하고, 산출한 플라즈마의 전력에 따라 플라즈마 생성부를 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 원자층 증착 장치를 제공한다.
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC C23C 16/45542(2013.01) C23C 16/45542(2013.01) C23C 16/45542(2013.01) C23C 16/45542(2013.01)
출원번호/일자 1020150042459 (2015.03.26)
출원인 연세대학교 산학협력단, 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1662194-0000 (2016.09.27)
공개번호/일자 10-2016-0116171 (2016.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20161031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 오일권 대한민국 서울특별시 관악구
3 이한보람 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
2 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0297671-13
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0067837-05
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0366503-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0069792-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075573-17
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0492170-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0764179-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0764180-63
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0574697-45
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0854071-28
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0854070-83
13 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0666964-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버에 설치되어 상기 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 및기판상에 증착될 산화물 박막의 목표 플랫 밴드(flat-band) 전압 레벨에 따라 플라즈마의 전력을 산출하고, 산출한 플라즈마의 전력에 따라 상기 플라즈마 생성부를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제어부는 상기 목표 플랫 밴드 전압 레벨이 높을수록 상기 플라즈마의 전력을 높은 값으로 산출하는 플라즈마 원자층 증착 장치
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 챔버 내에 구비되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;상기 챔버 내에 전구체 물질, 퍼지 가스 및 반응 물질을 공급하는 공급부; 및상기 챔버 내의 물질을 배출시키는 배기부를 더 포함하며,상기 플라즈마 생성부는 상기 반응 물질의 산소를 플라즈마 상태로 여기시켜, 상기 챔버 내에 플라즈마 산소를 생성하는 플라즈마 원자층 증착 장치
4 4
산화물 박막을 증착하여 트랜지스터를 제조하기 위한 플라즈마 원자층 증착 장치로서,공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버;상기 챔버에 설치되어 상기 챔버 내에 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부; 및상기 트랜지스터의 목표 문턱 전압(threshold voltage) 레벨에 따라 플라즈마의 전력을 산출하고, 산출한 플라즈마의 전력에 따라 상기 플라즈마 생성부를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 제어부는 상기 목표 문턱 전압 레벨이 높을수록 상기 플라즈마의 전력을 높은 값으로 산출하는 플라즈마 원자층 증착 장치
5 5
삭제
6 6
기판상에 전구체 물질과 반응 물질을 순차적으로 공급하고, 플라즈마를 형성하여 기판상에 산화물 박막을 증착하는 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법으로서,플라즈마의 전력을 기판상에 증착될 산화물 박막의 목표 플랫 밴드(flat-band) 전압 레벨에 대응하는 값으로 설정하여 상기 기판상에 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화물 박막을 형성하는 단계는 상기 목표 플랫 밴드 전압 레벨이 높을수록 상기 플라즈마의 전력을 높은 값으로 설정하는 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법
7 7
삭제
8 8
제6 항에 있어서,상기 산화물 박막을 형성하는 단계는,기판이 배치된 챔버에 전구체 가스를 공급하는 단계;상기 챔버에 퍼지 가스를 공급하는 단계;상기 챔버에 플라즈마 상태로 여기된 반응 물질을 형성하는 단계; 및상기 챔버에 퍼지 가스를 공급하는 단계를 포함하는 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 플라즈마 상태로 여기된 반응 물질은 플라즈마 산소를 포함하는 플라즈마 원자층 증착을 이용한 산화물 박막 형성 방법
10 10
기판상에 전구체 물질과 반응 물질을 순차적으로 공급하고, 플라즈마를 형성하여 기판상에 산화물 박막을 증착하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법으로서,플라즈마의 전력을 트랜지스터의 목표 문턱 전압(threshold voltage) 레벨에 대응하는 값으로 설정하여 상기 기판상에 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 산화물 박막을 형성하는 단계는 상기 목표 문턱 전압 레벨이 높을수록 상기 플라즈마의 전력을 높은 값으로 설정하는 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제10 항에 있어서,상기 산화물 박막을 형성하는 단계는,기판이 배치된 챔버에 전구체 가스를 공급하는 단계;상기 챔버에 퍼지 가스를 공급하는 단계;상기 챔버에 플라즈마 상태로 여기된 반응 물질을 형성하는 단계; 및상기 챔버에 퍼지 가스를 공급하는 단계를 포함하며,상기 플라즈마 상태로 여기된 반응 물질은 플라즈마 산소를 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교산학협력단 산업융합원천기술개발사업 초미세 반도체와 플렉서블 디스플레이 공정을 위한 무기물 박막증착용 고밀도 플라즈마 기술개발