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마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의마이크로/나노 패턴화 방법

  • 기술번호 : KST2015127171
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로몰드를 이용한 패턴화와, 디웨팅을 이용한 패턴화를 함께 적용하여 마이크로 또는 나노크기로 고분자 박막의 패턴화가 가능한 방법을 제공하는 것으로서, 본 발명의 방법을 사용하는 경우 기판의 종류, 예를 들어, Si 기판 외에도 유리, 마이카(Mica), 고분자 기판 등 기판에 제한을 받지 않고 본 발명의 방법을 적용하여 마이크로 또는 나노크기의 고분자박막의 패턴화가 가능하다.마이크로임프린팅, 디웨팅, 패턴화, PDMS
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020060073581 (2006.08.04)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0797007-0000 (2008.01.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.04)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 윤보경 대한민국 서울 서대문구
3 홍재민 대한민국 서울 성북구
4 정희준 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0560109-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.09.06 수리 (Accepted) 4-1-2006-5127057-77
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0644554-19
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0039800-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0453975-73
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0677079-29
8 등록결정서
Decision to grant
2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0637705-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 코팅된 고분자박막의 표면에 마이크로 몰드를 이용한 마이크로임프린팅을 통하여 상기 고분자박막에 일정한 패턴으로 두께의 변화를 주는 단계와,상기 고분자의 유리전이온도 이상으로 가열하여 상기 마이크로임프린팅에 의해 두께가 얇아진 부분에서 선택적으로 디웨팅(dewetting)이 일어나도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자박막이 스핀코팅에 의하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 마이크로임프린팅시 100℃ ~ 200℃로 가열하여 주는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 고분자박막의 가열온도가 고분자의 유리전이온도 이상 에서 고분자의 열화(degradation)온도 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 마이크로몰드가 PDMS몰드인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 고분자박막이 2종 이상의 고분자로 이루어진 다층(multilayer)인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 고분자박막이 2층(bilayer)인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 고분자로 하층에 PS와 상층에 P4VP(Poly4vinylpyridine)의 2층(bilayer)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
9 9
제7항 또는 제8항에 있어서, 디웨팅 후 더 가열하여 역전현상(layer inversion)이 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법
10 10
제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 마이크로/나노크기로 패턴화된 고분자박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.