요약 | 본 발명은 마이크로몰드를 이용한 패턴화와, 디웨팅을 이용한 패턴화를 함께 적용하여 마이크로 또는 나노크기로 고분자 박막의 패턴화가 가능한 방법을 제공하는 것으로서, 본 발명의 방법을 사용하는 경우 기판의 종류, 예를 들어, Si 기판 외에도 유리, 마이카(Mica), 고분자 기판 등 기판에 제한을 받지 않고 본 발명의 방법을 적용하여 마이크로 또는 나노크기의 고분자박막의 패턴화가 가능하다.마이크로임프린팅, 디웨팅, 패턴화, PDMS |
---|---|
Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01) |
CPC | G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020060073581 (2006.08.04) |
출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0797007-0000 (2008.01.16) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20080122) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2006.08.04) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박철민 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
2 | 윤보경 | 대한민국 | 서울 서대문구 |
3 | 홍재민 | 대한민국 | 서울 성북구 |
4 | 정희준 | 대한민국 | 충남 천안시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김윤보 | 대한민국 | 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0560109-67 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2006.09.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2006-5127057-77 |
3 | 출원인변경신고서 Applicant change Notification |
2006.09.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0644554-19 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.07.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0039800-10 |
6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.08.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0453975-73 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0677079-29 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0637705-23 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 위에 코팅된 고분자박막의 표면에 마이크로 몰드를 이용한 마이크로임프린팅을 통하여 상기 고분자박막에 일정한 패턴으로 두께의 변화를 주는 단계와,상기 고분자의 유리전이온도 이상으로 가열하여 상기 마이크로임프린팅에 의해 두께가 얇아진 부분에서 선택적으로 디웨팅(dewetting)이 일어나도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 고분자박막이 스핀코팅에 의하여 코팅되는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 마이크로임프린팅시 100℃ ~ 200℃로 가열하여 주는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 고분자박막의 가열온도가 고분자의 유리전이온도 이상 에서 고분자의 열화(degradation)온도 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 마이크로몰드가 PDMS몰드인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 고분자박막이 2종 이상의 고분자로 이루어진 다층(multilayer)인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
7 |
7 제6항에 있어서, 상기 고분자박막이 2층(bilayer)인 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 고분자로 하층에 PS와 상층에 P4VP(Poly4vinylpyridine)의 2층(bilayer)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
9 |
9 제7항 또는 제8항에 있어서, 디웨팅 후 더 가열하여 역전현상(layer inversion)이 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의 마이크로/나노크기 패턴화 방법 |
10 |
10 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항의 방법에 의해 제조되는 마이크로/나노크기로 패턴화된 고분자박막 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-0797007-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20060804 출원 번호 : 1020060073581 공고 연월일 : 20080122 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20071128 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 마이크로임프린팅 및 디웨팅을 이용한 고분자 박막의마이크로/나노 패턴화 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170117 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 310,500 원 | 2008년 01월 17일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2011년 01월 12일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2011년 10월 18일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2012년 10월 17일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2013년 12월 12일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 566,400 원 | 2015년 07월 15일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2016년 01월 11일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2006.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0560109-67 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2006.09.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2006-5127057-77 |
3 | 출원인변경신고서 | 2006.09.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0644554-19 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.06.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2007.07.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0039800-10 |
6 | 의견제출통지서 | 2007.08.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0453975-73 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.09.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0677079-29 |
8 | 등록결정서 | 2007.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0637705-23 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1410030576 |
---|---|
세부과제번호 | b0008643 |
연구과제명 | 특허경비지원 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200604~201103 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1415092143 |
---|---|
세부과제번호 | INFRA11 |
연구과제명 | 특허경비지원 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 한국산업기술진흥협회 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200604~201103 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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