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ＳｉＣ 완충층을 이용한 초전도 박막 선재 제조 방법(Method for development of coated conductor by using SiC buffer layer)

  • 기술번호 : KST2016019233
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 초전도 박막 선재 제조 방법은 금속 기판 위에 완충층 박막을 증착하는 공정인 완충층 박막 증착 공정 단계 및 상기 완충층 위에 물리화학적 혼성증착법(Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition, HPCVD)을 이용하여 초전도 박막을 증착하는 공정인 초전도 박막 증착 공정 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 초전도 박막 선재 제조시에 금속기판과 초전도 박막 사이에 결정화된 SiC 박막을 완충층으로 이용함으로써, 금속기판에서 초전도 박막으로의 금속의 확산 및 금속과 초전도 사이의 반응을 억제하고, 금속 기판으로부터 초전도 박막이 분리되는 박리 현상을 방지하는 효과가 있다.
Int. CL H01B 12/06 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01)
CPC H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01)
출원번호/일자 1020150063272 (2015.05.06)
출원인 충북대학교 산학협력단, 성균관대학교산학협력단, 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0131280 (2016.11.16) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.06)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강병원 대한민국 충청북도 청주시 서원구
2 강원남 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김동호 대한민국 경상북도 경산시 대학로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정현 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
3 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0435700-43
2 보정요구서
Request for Amendment		 2015.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0085007-48
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0590121-64
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0640339-16
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0071548-10
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0426188-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0756722-77
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0756721-21
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0933681-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 기판 위에 완충층 박막을 증착하는 공정인 완충층 박막 증착 공정 단계; 및상기 완충층 위에 물리화학적 혼성증착법(Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition, HPCVD)을 이용하여 초전도 박막을 증착하는 공정인 초전도 박막 증착 공정 단계를 포함하되, 상기 완충층 박막 증착 공정 단계는 레이저 증착 장치를 이용하여 금속 기판 위에 결정화된 SiC 박막을 증착하는 것이며,상기 초전도 박막 증착 공정 단계는 상기 SiC 박막 위에 물리화학적 혼성증착법을 이용하여 MgB2 박막을 증착하는 것이며, 물리화학적 혼성증착 장치 내에 상기 SiC 박막이 증착된 금속 기판을 위치시키고, 상기 SiC 박막이 증착된 금속 기판 옆에 마그네슘(Mg) 고체를 위치시키고, 상기 SiC 박막이 증착된 금속 기판에 B2H6 기체를 흘려보내어 상기 마그네슘(Mg) 고체에서 기화된 마그네슘(Mg)과 반응하도록 하는 방식으로, 단일 배향성을 갖는 MgB2 박막을 증착하며, 상기 레이저 증착 장치는 진공 상태의 밀폐된 공간인 고진공 박막 성장실, 상기 고진공 박막 성장실 내에 위치하여 열을 공급하기 위한 히터 및 SiC 분말 가루로 이루어진 타겟을 고정시키기 위한 타겟 고정판을 포함하여 이루어지고, 상기 완충층 박막 증착 공정 단계에서, 상기 고진공 박막 성장실 내에 상기 금속 기판을 위치시키고, 진공 상태에서 상기 히터의 온도가 500~600 ℃ 로 유지되도록 하여 증착하고, 상온에서 냉각하는 방법으로 결정화된 SiC 박막을 증착하되, 상기 타겟 고정판에 부착된 SiC 분말로 이루어진 타켓에 엑시머 레이저를 입사시키고, 이에 따라 SiC가 증발하면서 상기 금속 기판 위에 증착되도록 하며, 상기 초전도 박막 증착 공정 단계에서 상기 물리화학적 혼성증착 장치는 마그네슘 기체의 압력을 증가시키기 위하여 상기 마그네슘 고체를 덮도록 형성되어 있는 발열체 커버를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도 박막 선재 제조 방법
2 2
삭제
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청구항 1에 있어서, 상기 완충층 박막 증착 공정 단계는, 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition), 스퍼터링(Sputtering) 증착법, 전자빔 증발법(Electron beam evaporation), 화학적 유기금속증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 및 화학적 증기증착법(Chemival Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 SiC 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 초전도 박막 선재 제조 방법
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삭제
5 5
삭제
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삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.