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기판의 일측에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터; 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 연결되는 적어도 하나의 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀; 및 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작 및 판독 동작을 제어하고, 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬(refresh) 동작을 수행하는 제어부를 포함하는 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM(Static Random Access Memory)
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제1항에 있어서,상기 제어부는 미리 설정된 주기로 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
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제1항에 있어서,상기 제어부는 상기 적어도 하나의 MTJ 셀의 자화 상태를 인식하고, 상기 인식된 자화 상태에 기초하여 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작에 소모되는 구동 전류를 미리 설정된 기준치보다 낮추기 위하여 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
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제4항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 포함되는 자유층은 상기 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은미리 설정된 기준치보다 낮은 구동 전류에 의해 자화 방향이 조절되는 형태 또는 두께를 갖는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
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SRAM(Static Random Access Memory)에 포함되며, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀에 있어서, 외부 자장에 의해 조절되는 자화 방향을 갖는 자유층; 상기 자유층의 조절되는 자화 방향에 대한 기준 자화 방향을 갖는 고정층; 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 배치되어 절연체로 형성되는 절연층; 및 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작 및 판독 동작을 제어하고, 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬(refresh) 동작을 수행하는 제어부를 포함하는 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
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제7항에 있어서,상기 제어부는 미리 설정된 주기로 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
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제7항에 있어서,상기 제어부는 상기 적어도 하나의 MTJ 셀의 자화 상태를 인식하고, 상기 인식된 자화 상태에 기초하여 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
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10
제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작에 소모되는 구동 전류를 미리 설정된 기준치보다 낮추기 위하여 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
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제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 포함되는 자유층은 상기 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
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제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은미리 설정된 기준치보다 낮은 구동 전류에 의해 자화 방향이 조절되는 형태 또는 두께를 갖는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
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