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리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀 및 이를 포함하는 SRAM(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL WITH REFRESH FUNCTION AND STATIC RANDOM ACCESS MEMORY INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016019367
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM(Static Random Access Memory)은 기판의 일측에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터; 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 연결되는 적어도 하나의 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀; 및 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작 및 판독 동작을 제어하고, 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬(refresh) 동작을 수행하는 제어부를 포함한다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01) G11C 11/406 (2006.01) G11C 11/413 (2006.01)
CPC G11C 11/413(2013.01) G11C 11/413(2013.01) G11C 11/413(2013.01) G11C 11/413(2013.01)
출원번호/일자 1020150063337 (2015.05.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0132188 (2016.11.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0436074-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0069856-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0602024-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1030677-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1030676-60
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0140828-63
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0291137-83
9 법정기간연장승인서
2017.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0043135-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 일측에 배치되는 적어도 하나의 트랜지스터; 상기 적어도 하나의 트랜지스터와 연결되는 적어도 하나의 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀; 및 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작 및 판독 동작을 제어하고, 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬(refresh) 동작을 수행하는 제어부를 포함하는 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM(Static Random Access Memory)
2 2
제1항에 있어서,상기 제어부는 미리 설정된 주기로 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
3 3
제1항에 있어서,상기 제어부는 상기 적어도 하나의 MTJ 셀의 자화 상태를 인식하고, 상기 인식된 자화 상태에 기초하여 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
4 4
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작에 소모되는 구동 전류를 미리 설정된 기준치보다 낮추기 위하여 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
5 5
제4항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 포함되는 자유층은 상기 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
6 6
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은미리 설정된 기준치보다 낮은 구동 전류에 의해 자화 방향이 조절되는 형태 또는 두께를 갖는, 리프레쉬 기능을 갖는 SRAM
7 7
SRAM(Static Random Access Memory)에 포함되며, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ(Magnetic Tunnel Junction) 셀에 있어서, 외부 자장에 의해 조절되는 자화 방향을 갖는 자유층; 상기 자유층의 조절되는 자화 방향에 대한 기준 자화 방향을 갖는 고정층; 상기 자유층과 상기 고정층 사이에 배치되어 절연체로 형성되는 절연층; 및 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작 및 판독 동작을 제어하고, 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬(refresh) 동작을 수행하는 제어부를 포함하는 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
8 8
제7항에 있어서,상기 제어부는 미리 설정된 주기로 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
9 9
제7항에 있어서,상기 제어부는 상기 적어도 하나의 MTJ 셀의 자화 상태를 인식하고, 상기 인식된 자화 상태에 기초하여 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 리프레쉬 동작을 수행하는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
10 10
제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은 상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 대한 기록 동작에 소모되는 구동 전류를 미리 설정된 기준치보다 낮추기 위하여 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
11 11
제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀에 포함되는 자유층은 상기 휘발성 물질로 형성되는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
12 12
제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 MTJ 셀은미리 설정된 기준치보다 낮은 구동 전류에 의해 자화 방향이 조절되는 형태 또는 두께를 갖는, 리프레쉬 기능을 갖는 MTJ 셀
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.