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원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용하여 저온에서 성장된 고품질 육방 질화 붕소막과 그 제조방법(Low temperature synthesis methods for hexagonal boron nitride film by using radio frequency inductively coupled plasma)

  • 기술번호 : KST2017006743
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원 발명은 원격 고주파 유도결합 플라즈마가 적용된 화학적 기상 증착 방법을 이용하여 금속 촉매 표면 위에 고품질 육방 질화 붕소막 (h-BN, Hexagonal Boron Nitride, White Graphene) 을 성장시키는 공정 기술에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 금속 촉매를 가열하여 금속 촉매 표면의 그레인 크기를 증가시키는 어닐링 단계; 어닐링 된 금속 촉매를 육방 질화 붕소막 제조온도로 급속 냉각하는 금속 촉매 냉각단계; 육방 질화 붕소막의 전구체를 공급하는 전구체 공급단계; 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 적용하여 금속 촉매 위에 육방 질화 붕소막을 형성하는 육방 질화 붕소막 제조단계; 및 상기 육방 질화 붕소막을 상온으로 급속 냉각하는 육방 질화 붕소막 냉각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법에 대한 것이다. 본원 발명은 기존의 1,000℃ 이상의 높은 온도에서 화학기상증착법을 적용하여 제조되던 육방 질화 붕소막을 기존에 비하여 매우 낮은 온도인 500 내지 600 ℃에서도 고품질로 제조할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2015.11.06) H01L 21/324 (2015.11.06) H01L 21/205 (2015.11.06)
CPC H01L 21/02115(2013.01) H01L 21/02115(2013.01)
출원번호/일자 1020150137941 (2015.09.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0038499 (2017.04.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김명종 대한민국 전라북도 완주군
2 조현진 대한민국 전라북도 완주군
3 서태훈 대한민국 전라북도 완주군
4 안석훈 대한민국 전라북도 완주군
5 김수민 대한민국 전라북도 완주군
6 손동익 대한민국 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0947653-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0123287-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0703516-94
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1162091-78
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1275251-04
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0084215-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0084214-01
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0453941-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원격 고주파 유도결합 플라즈마가 적용된 화학기상증착 장치를 이용한 육방 질화 붕소막을 제조하는 방법에 있어서,금속 촉매를 가열하여 금속 촉매 표면의 그레인 크기를 증가시키는 어닐링 단계;어닐링 된 금속 촉매를 육방 질화 붕소막 제조온도로 급속 냉각하는 금속 촉매 냉각단계;육방 질화 붕소막의 전구체를 공급하는 전구체 공급단계;원격 고주파 유도결합 플라즈마를 적용하여 금속 촉매 위에 육방 질화 붕소막을 형성하는 육방 질화 붕소막 제조단계; 및상기 육방 질화 붕소막을 상온으로 급속 냉각하는 육방 질화 붕소막 냉각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 금속 촉매는 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 우라늄(U), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 로듐(Rh), 게르마늄(Ge), 비스무트(Bi), 하프늄(Hf), 은(Ag), 이리듐(Ir), 이트륨(Y), 테크네슘(Tc), 아연(Zn), 황동(Brass), 청동(Bronze), 백동(White brass), 스테인레스 스틸(Stainless steel) 중 어느 하나 또는 이들의 합금 또는 2개 이상의 조합으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 전구체 공급단계는 반응성 기체 또는 반응성 기체와 운반성 기체의 혼합 기체 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 반응성 기체는 수소를 포함하는 질소 공급원과 붕소 공급원의 조합이거나 또는 수소를 포함하는 질소 및 붕소 공급원 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 질소 공급원은 암모니아(NH3) 또는 질소(N2) 중 어느 하나이고, 상기 붕소 공급원은 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3)3B, (CH3CH2)3B, 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
6 6
청구항 3에 있어서,상기 질소 및 붕소 공급원은 보라진(borazine, B3N3H6) 또는 암모니아-보란(NH3-BH3) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
7 7
청구항 3에 있어서,상기 운반성 기체는 비활성기체로 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 제논(Xe)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 혼합기체인 것을 특징으로 하는 원격 고주파 유도결합 플라즈마를 이용한 육방 질화 붕소막의 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 육방 질화 붕소막 냉각단계 이후에 제조된 육방 질화 붕소막을 기판에 전사하기 위한 보호막을 형성하는 보호막 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 육방 질화 붕소막의 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 보호막은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리비닐피리딘(PVP), 에폭시를 포함하는 고분자, 접착테이프, 열 박리성 테이프 및 수용성 테이프 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 육방 질화 붕소막의 제조방법
10 10
청구항 8에 있어서,상기 보호막 형성단계 이후에 금속 촉매를 제거하는 금속 촉매 제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 육방 질화 붕소막의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 금속 촉매 제거단계는 식각 용액으로 과황산암모늄(Ammonium persulfate), 니켈 식각 용액(Ni etchant), 구리 식각 용액(Cu etchant), 염화철(FeCl3), 질산(nitric acid), 염산(hydrochloric acid), 황산(sulfuric acid) 중 어느 하나를 포함하는 용액 또는 산성 용액을 적용하는 것을 특징으로 하는 육방 질화 붕소막의 제조방법
12 12
청구항 8에 있어서,상기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate: PET), 폴리이미드(polyimide: PI), 합성 고무(synthetic rubber), 천연 고무(natural rubber), 폴리에틸렌(polyethylene: PE), 폴리프로필렌(polypropylene: PP) 및 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane: PDMS)계 수지 중 어느 하나인 유연기판, 전도체, 유전체 또는 반도체성 소재로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 육방 질화 붕소막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 전북대학교 신기술융합형성장동력사업 판상 나노입자를 이용한 물리적 수소차단기술개발
2 산업통상자원부 (주)상보 미래산업선도기술개발사업 기체/수증기 (10-6 cc(g)/m2·day)급 차단 그래핀 복합필름 제조 및 포장, 태양전지, 디스플레이 상용화 기술 개발