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피사체로부터의 이미지를 파장 대역에 따라 필터링하는 적어도 하나의 광섬유 브래그 격자; 및상기 광섬유 브래그 격자를 투과한 이미지를 디지털 신호로 변환하는 이미징 디바이스를 포함하는 이미징 센서
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제1 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자는 복수 개로 제공되며, 상기 이미지를 서로 다른 파장 대역으로 필터링하는 이미징 센서
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제1 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자는 상기 이미지를 파장 대역 중 적어도 일부를 필터링하며 남은 파장 대역의 광을 상기 이미징 디바이스로 제공하는 이미징 센서
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제1 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 클래드를 포함하며, 상기 코어는 게르마늄이 도핑된 이미징 센서
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제4 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자는 서로 다른 굴절률을 갖는 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 이미징 센서
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제5 항에 있어서,상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 복수 개로 제공되며 서로 교번하여 배치된 이미징 센서
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제1 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자에 제공되는 이미지를 집속하는 마이크로렌즈를 더 포함하는 이미징 센서
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제7 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 상기 광섬유 브래그 격자에 일대일로 제공되는 이미징 센서
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제8 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 대응하는 상기 광섬유 브래그 격자와 분리되지 않은 일체(一體)로 제공되는 이미징 센서
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제8 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 촬상하고자 하는 상기 피사체 방향으로 돌출된 볼록 렌즈 형상인 이미징 센서
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제1 항에 있어서,상기 이미징 디바이스에서 변환된 상기 디지털 신호를 수신하며 상기 이미징 디바이스를 제어하는 제어부를 더 포함하는 이미징 센서
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제11 항에 있어서,상기 이미징 디바이스는 CCD(Charge Coupled Device) 센서, CMOS(Complementary Metal Oxide Semi-conductor) 센서, 또는 볼로미터(bolometer)인 이미징 센서
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적어도 하나의 광섬유 브래그 격자를 형성하는 단계; 및상기 광섬유 브래그 격자를 투과한 이미지를 디지털 신호로 변환하는 이미징 디바이스를 상기 광섬유 브래그 격자에 대응시키는 단계를 포함하는 이미징 센서 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자를 형성하는 단계는 코어에 게르마늄을 도핑하는 단계;상기 코어를 둘러싸는 클래드를 형성하는 단계; 및상기 코어에 마스크를 이용하여 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 이미징 센서 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 마스크는 서로 교번하여 배치된 제1 영역들 및 제2 영역들을 포함하는 이미징 센서 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 광섬유 브래그 격자 앞에 마이크로렌즈를 제공하는 단계를 더 포함하는 이미징 센서 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 상기 광섬유 브래그 격자와 이격된 이미징 센서 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 상기 광섬유 브래그 격자와 일대일로 대응하여 제공되며, 서로 분리되지 않은 일체로 제공되는 이미징 센서 제조 방법
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제18 항에 있어서,상기 마이크로렌즈는 상기 광섬유 브래그 격자의 단부에 아크방전을 실시하여 형성하는 이미징 센서 제조 방법
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