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인장이 작용하는 제1 축 방향에 대해서 일정 각도로 틸트되어 틸트된 방향으로 정렬되는 복수의 탄소나노튜브;로 구성되며,상기 복수의 탄소나노튜브의 틸트되는 각도를 조절함으로써, 음의 푸아송 비(negative Poisson's rate)를 변화시킬 수 있는 탄소나노튜브 구조체
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제1항에 있어서,상기 복수의 탄소나노튜브의 틸트되는 각도(θ)는 0003c#θ≤45°인 탄소나노튜브 구조체
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제2항에 있어서,상기 음의 푸아송 비는 0003c#θ≤45° 사이의 특정 각도에서 최대값을 가지며, 0도에서 특정 각도까지는 증가하고, 특정 각도에서 45°까지는 감소하는 탄소나노튜브 구조체
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제2항에 있어서,상기 음의 푸아송 비는 15°≤θ≤25° 사이의 특정 각도에서 최대값을 갖는 탄소나노튜브 구조체
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제2항에 있어서,상기 복수의 탄소나노튜브가 상기 제1 축에 수직한 제2 축 방향으로 일정 각도로 틸트된 경우,상기 제1 및 제2 축에 수직한 제3축에 대해서는 음의 푸아송 비를 갖고,상기 제2 축 방향에 대해서는 양의 푸아송 비를 갖는 탄소나노튜브 구조체
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제5항에 있어서,상기 제1 축은 길이 방향, 상기 제2 축은 폭 방향, 상기 제3 축은 두께 방향인 시트 형태를 갖는 탄소나노튜브 구조체
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제2항에 있어서,2% 이하의 연신율에서 최대 2
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초배열 탄소나노튜브 어레이를 드로잉(drawing) 후 패킹(packing)하여 탄소나노튜브 시트를 제조하는 단계;상기 탄소나노튜브 시트의 탄소나노튜브들에 인장이 작용하는 제1 축 방향에 대해서 일정 각도로 틸트되어 틸트된 방향으로 정렬되도록 상기 탄소나노튜브 시트를 절단하여 탄소나노튜브 구조체를 제조하는 단계;를 포함하며,상기 탄소나노튜브 구조체는 인장이 작용하는 제1 축 방향에 대해서 일정 각도로 틸트되어 틸트된 방향으로 정렬되는 복수의 탄소나노튜브로 구성되는 탄소나노튜브 구조체의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 시트를 제조하는 단계에서,드로잉된 탄소나노튜브 시트를 유기 용매에 통과시켜 모세관 현상에 의해 패킹된 탄소나노튜브 시트를 제조하는 탄소나노튜브 구조체의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 유기 용매는 에탄올 또는 아세톤을 포함하는 탄소나노튜브 구조체의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 구조체를 제조하는 단계에서,패킹된 탄소나노튜브 시트를 이온 빔 밀링(ion beam milling) 또는 마이크로 토밍(micro toming) 방법으로 절단하는 탄소나노튜브 구조체의 제조 방법
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제1 면과, 상기 제1 면에 반대되는 제2 면을 갖는 고분자 필름;상기 고분자 필름의 제1 면 및 제2 면 중에 적어도 한 면에 부착된 탄소나노튜브 구조체;를 포함하고,상기 탄소나노튜브 구조체는,인장이 작용하는 제1 축 방향에 대해서 일정 각도로 틸트되어 틸트된 방향으로 정렬되는 복수의 탄소나노튜브로 구성되며,상기 복수의 탄소나노튜브의 틸트되는 각도를 조절함으로써, 음의 푸아송 비(negative Poisson's rate)를 변화시킬 수 있는 전극
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제12항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 구조체는,상기 고분자 필름의 제1 면에 부착된 제1 탄소나노튜브 구조체;상기 고분자 필름의 제2 면에 부착된 제2 탄소나노튜브 구조체;를 포함하는 전극
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제12항에 있어서,상기 고분자 필름은 PVDF를 포함하는 전극
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제12항에 있어서,상기 고분자 필름에 상기 탄소나노튜브 구조체는 열압착에 의해 부착되는 전극
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