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재료기판 상에 위치하는 ZnO 희생층; 및상기 ZnO 희생층 상의 센서 감지층을 포함하는 센서 감지층 전사용 도너 기판
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제1항에 있어서, 상기 ZnO 희생층은 나노로드 형태인 것인 도너 기판
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제1항에 있어서, 상기 ZnO 희생층은 0
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제1항에 있어서, 상기 센서 감지층은 패턴화된 것인 도너 기판
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제1항에 있어서, 상기 센서 감지층은 산화주석 (SnO2), 산화텅스텐 (WO3), 산화인듐 (In2O3), 산화니켈 (NiOx) 나노입자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상을 포함하는 것인 도너 기판
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6
제5항에 있어서, 상기 나노입자는 Pd, Ni, Pt, Rh, Cu, Ru로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상의 금속 촉매가 도핑된 것인 도너 기판
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7
제1항에 있어서, 상기 재료기판은 투명한 것인 도너 기판
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8
(i) 제1항에 기재된 센서 감지층 전사용 도너 기판을 준비하는 단계;(ii) 제2 재료기판 상에 위치하는 감지전극 및 상기 감지전극 상의 접착층을 포함하는 억셉터 기판을 준비하는 단계;(iii) 상기 도너 기판의 센서 감지층을 상기 억셉터 기판의 접착층과 대면하게 위치시키는 단계; (iv) 상기 센서 감지층을 상기 접착층으로 전사시키는 단계; 및(v) 상기 ZnO 희생층을 제거하는 단계를 포함하는, 억셉터 기판 상에 센서 감지층을 형성하는 방법
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제8항에 있어서, 상기 단계 (iv)는 0
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10
제8항에 있어서, 상기 단계 (v)는 산 용액을 이용한 에칭 공정으로 이루어지는 것인 방법
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11
제10항에 있어서, 상기 산 용액은 염산 또는 아세트산 용액인 것인 방법
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12
제8항에 있어서, 상기 접착층은 은 페이스트 (Ag Epoxy Paste), 이방성 전도성 페이스트 (Anisotropic Conductive Paste) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것인 방법
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13
제8항에 있어서, 도너 기판의 상기 센서 감지층 및 억셉터 기판의 상기 감지전극 및 접착층은 상호 상응하도록 패턴화된 것인 방법
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14
제8항에 있어서, 상기 방법은 동일하거나 상이한 2 이상의 센서 감지층을 동시에 형성하는 것인 방법
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