| 1 |
1
금속 나노구조물; 상기 금속 나노구조물의 제1 끝단부 영역에 광을 조사하는 광원;상기 제1 끝단부와 이격된 상태로 상기 금속 나노구조물과 근접하게 배치되어 있고, 엑시톤을 여기할 수 있는 반도체 물질로 이루어지며, 전기적으로 접지된 2차원 물질층;상기 2차원 물질층 하부에 배치된 반도체 기판;상기 반도체 기판과 상기 2차원 물질층 사이에 배치된 절연층; 및상기 기판에 전압을 인가하는 전압인가부를 포함하고,상기 광의 조사에 의하여 상기 제1 끝단부 영역에서 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤이 발생되어 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되고,상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 2차원 물질층을 여기시켜 엑시톤을 생성하고,상기 전압에 의해 상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤과 커플링되는 상기 엑시톤의 발생양이 조절되며,상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파하는 제2 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 제1 끝단부와 대향하는 상기 금속 나노구조물의 제2 끝단부에서 디커플링(decoupling)되어 상기 광원의 의해 조사된 광의 파장에 대응하는 제1 파장의 광 및 상기 2차원 물질층의 밴드갭에 대응하는 제2 파장의 광을 생성하는, 파장 다중화 장치
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 금속 나노구조물은 금속 나노와이어인, 파장 다중화 장치
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 2차원 물질층은 원자층 두께를 가지는 박막 형태인, 파장 다중화 장치
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 반도체 물질은, 전이금속 디칼코게나이드계 화합물, 칼코게나이드계 반도체 화합물, 인(P)을 포함하는 칼코게나이드계 반도체 화합물 및 인(P)을 포함하는 반도체 화합물 중 하나 이상을 포함하는, 파장 다중화 장치
|
| 11 |
11
엑시톤을 여기할 수 있는 반도체 물질로 각각 이루어지고, 서로 이격된 상태로 배치되어 있는 제1 물질층 및 제2 물질층; 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층 상에 배치된 금속 나노구조물; 및 상기 제1 물질층 상에 배치된 상기 금속 나노구조물의 제1 영역에 광을 조사하는 광원을 포함하고, 상기 광에 의하여 상기 제1 물질층으로부터 여기된 제1 엑시톤과 상기 제1 영역에서 발생되는 표면 플라즈몬 폴라리톤이 커플링(coupling)된 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되고,상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 제2 물질층으로부터 제2 엑시톤을 여기하며, 상기 제2 엑시톤과 상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤이 커플링(coupling)된 제2 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되는, 파장 다중화 장치
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 제1 엑시톤은 제1 파장을 가지고 있고, 상기 제2 엑시톤은 상기 제1 파장과 다른 제2 파장을 가지고 있는, 파장 다중화 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 상기 금속 나노구조물의 끝단부에서 상기 제2 표면 플라즈몬 폴라리톤이 디커플링(decoupling)되어 상기 제1 파장의 광 및 상기 제2 파장의 광이 생성되는, 파장 다중화 장치
|
| 14 |
14
제11항에 있어서, 절연막이 형성되어 있는 반도체 기판을 더 포함하고, 상기 절연막 상에 상기 제1 물질층 및 상기 제2 물질층이 배치되어 있는, 파장 다중화 장치
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 기판에 전압이 인가될 수 있는, 파장 다중화 장치
|
| 16 |
16
제11항에 있어서, 상기 제1 물질층 및 상기 제2 물질층은 각각 전기적으로 접지되어 있는, 파장 다중화 장치
|
| 17 |
17
제15항에 있어서, 여기되는 상기 제1 엑시톤의 양 및 상기 제2 엑시톤의 양 중 하나 이상은 상기 기판에 인가되는 상기 전압에 의하여 조절되는, 파장 다중화 장치
|
| 18 |
18
제11항에 있어서, 상기 제1 물질층 및 제2 물질층은 각각 원자층 두께를 가지는 박막 형태인, 파장 다중화 장치
|
| 19 |
19
제11항에 있어서, 상기 반도체 물질은, 전이금속 디칼코게나이드계 화합물, 칼코게나이드계 반도체 화합물, 인(P)을 포함하는 칼코게나이드계 반도체 화합물 및 인(P)을 포함하는 반도체 화합물 중 하나 이상을 포함하는, 파장 다중화 장치
|
| 20 |
20
엑시톤을 여기할 수 있는 제1 반도체 물질로 이루어진 제1 물질층; 엑시톤을 여기할 수 있는 제2 반도체 물질로 이루어지고, 상기 제1 물질층 상에 배치된 제2 물질층; 상기 제2 물질층 상에 배치된 금속 나노구조물; 및 상기 제2 물질층 상에 배치된 상기 금속 나노구조물의 제1 영역에 광을 조사하는 광원을 포함하고, 상기 광에 의하여 상기 제1 물질층과 상기 제2 물질층으로부터 각각 제1 엑시톤과 제2 엑시톤이 여기되고, 상기 금속 나노구조물의 제1 영역에는 표면 플라즈몬 폴라리톤이 발생되며, 상기 제1 엑시톤과 상기 제2 엑시톤이 상기 표면 플라즈몬 폴라리톤과 커플링(coupling)된 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되는, 파장 다중화 장치
|
| 21 |
21
제20항에 있어서, 상기 제1 엑시톤은 제1 파장을 가지고 있고, 상기 제2 엑시톤은 상기 제1 파장과 다른 제2 파장을 가지고 있는, 파장 다중화 장치
|
| 22 |
22
제21항에 있어서, 상기 금속 나노구조물의 끝단부에서 상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤이 디커플링(decoupling)되어 상기 제1 파장의 광 및 상기 제2 파장의 광이 생성되는, 파장 다중화 장치
|
| 23 |
23
제20항에 있어서, 상기 제1 물질층 및 제2 물질층은 각각 원자층 두께를 가지는 박막 형태인, 파장 다중화 장치
|
| 24 |
24
제20항에 있어서, 상기 제1 반도체 물질과 상기 제2 반도체 물질은 각각, 전이금속 디칼코게나이드계 화합물, 칼코게나이드계 반도체 화합물, 인(P)을 포함하는 칼코게나이드계 반도체 화합물 및 인(P)을 포함하는 반도체 화합물 중 하나 이상을 포함하는, 파장 다중화 장치
|
| 25 |
25
엑시톤을 여기할 수 있는 반도체 물질로 각각 이루어지고, 서로 이격된 상태로 배치되어 있는 제1 물질층, 제2 물질층 및 제3 물질층; 상기 제1 물질층, 상기 제2 물질층 및 상기 제3 물질층 상에 배치된 금속 나노구조물; 및 상기 제1 물질층 상에 배치된 상기 금속 나노구조물의 제1 영역에 광을 조사하는 광원을 포함하고, 상기 광에 의하여 상기 제1 물질층으로부터 여기된 제1 엑시톤과 상기 제1 영역에서 발생되는 표면 플라즈몬 폴라리톤이 커플링(coupling)된 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되고,상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 제2 물질층으로부터 제2 엑시톤을 여기하며, 상기 제2 엑시톤과 상기 제1 표면 플라즈몬 폴라리톤이 커플링(coupling)된 제2 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되며, 상기 제2 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 제3 물질층으로부터 제3 엑시톤을 여기하며, 상기 제3 엑시톤과 상기 제2 표면 플라즈몬 폴라리톤이 커플링(coupling)된 제3 표면 플라즈몬 폴라리톤은 상기 금속 나노구조물의 표면을 따라 전파되는, 파장 다중화 장치
|
| 26 |
26
제25항에 있어서, 상기 제1 물질층, 상기 제2 물질층 및 상기 제3 물질층에 각각 전압이 인가될 수 있는, 파장 다중화 장치
|
| 27 |
27
제25항에 있어서, 상기 제1 엑시톤, 상기 제2 엑시톤 및 상기 제3 엑시톤은 각각 제1 파장, 제2 파장 및 제3 파장을 가지고 있고, 상기 제1 파장, 상기 제2 파장 및 상기 제3 파장은 서로 다른, 파장 다중화 장치
|
| 28 |
28
제26항에 있어서, 여기되는 상기 제1 엑시톤의 양, 상기 제2 엑시톤의 양 및 상기 제3 엑시톤의 양 중 하나 이상은 인가되는 상기 전압에 의하여 조절되는, 파장 다중화 장치
|
| 29 |
29
제25항에 있어서, 상기 금속 나노구조물 표면을 보호하기 위한 보호층을 더 포함하는, 파장 다중화 장치
|
