| 1 |
1
제1 기판의 일면 상에 그라펜을 형성하고, 다른 일면 상에 제2 기판을 형성하는 단계; 및상기 그라펜 상에 광을 조사하여 프레넬 간섭을 유발하는 단계;를 포함하며,상기 프레넬 간섭에 의해 상기 그라펜 상에 존재하는 다층 및 불균일 그라펜을 제거하는 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 광이 레이져 광인 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 기판의 굴절율이 제2 기판보다 작은 경우, 상기 광의 파장이 하기 수학식 2를 만족하는 것인 그라펜의 층수 제어방법:003c#수학식 2003e#2m X 0
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 다층 및 불균일 그라펜이 제거된 그라펜의 층수가 1층 또는 2층의 범위인 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제1 기판의 굴절율이 약 1 초과, 약 2
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 제1 기판이 유기물 기판 또는 금속 산화물 기판인 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1 기판이 SiO2, Al2O3, ZrO, HfO3, Fe2O3 및 MgO 중 어느 하나 이상인 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 기판상에 형성되는 그라펜이 1cm2 이상의 면적을 갖는 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 기판 상에 형성되는 그라펜이 단위 면적 1000㎛2당 10개 이하의 주름을 갖는 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 기판 상에 형성되는 그라펜이 단위 면적 1mm2당 99% 이상의 범위로 존재하는 것인 그라펜의 층수 제어방법
|
| 11 |
11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 그라펜의 층수 제어방법에 의해 얻어진 단일층 그라펜
|
| 12 |
12
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 그라펜의 층수 제어방법에 의해 얻어진 이중층 그라펜
|
| 13 |
13
제11항에 따른 단일층 그라펜 또는 제12항에 따른 이중층 그라펜을 구비한 투명전극
|
| 14 |
14
제11항에 따른 단일층 그라펜 또는 제12항에 따른 이중층 그라펜을 구비한 전기소자
|
