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리튬-황 전지 분리막으로, 상기 분리막은 음이온 기능기를 갖는 전도성 고분자; 및 상기 전도성 고분자에 함침된 가소제를 포함하며,상기 가소제에 의하여 상기 전도성 고분자가 팽윤되고,상기 가소제는 염을 포함하지 않는 비수전해액이며, 상기 비수전해액은 N-메틸-2-피롤리디논, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌카보네이트, 부틸렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 감마-부틸로락톤, 1,2-디메톡시 에탄, 테트라히드록시 프랑(franc), 2-메틸 테트라하이드로푸란, 테트라글라임, 디메틸술폭시드, 1,3-디옥소런, 포름아미드, 디메틸포름아미드, 디옥소런, 아세토니트릴, 니트로메탄, 포름산 메틸, 초산메틸, 인산 트리에스테르, 트리메톡시 메탄, 디옥소런유도체, 설포란, 메틸설포란, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 프로필렌카보네이트 유도체, 테트라하이드로푸란유도체, 다이글라임(DEGDME), 에테르, 피로피온산메틸, 및 프로피온산 에틸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지 분리막
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제 1항에 있어서, 상기 음이온 기능기는 도난 포텐셜을 형성하여 양극의 활물질인 폴리설파이드 이온을 배제시키는 것을 특징을 가지는 리튬-황 전지 분리막
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제 1항에 있어서, 상기 음이온 기능기는 술폰산(-SO3-)기, 인산(-PO4-)기 및 카르복실레이트(-COO-)기로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지 분리막
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제 3항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 하기 화학식 1로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지 분리막
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제 3항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 하기 화학식 2로 표시되는 고분자인 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지 분리막
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제 1항에 있어서, 상기 분리막은 1~50 μm 두께의 필름 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지 분리막
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 리튬-황 전지 분리막을 포함하는 리튬-황 전지
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제 8항에 있어서, 양극; 상기 리튬-황 전지 분리막; 및 음극을 포함하며, 상기 양극의 바인더는 상기 리튬-황 전지 분리막의 전도성 고분자와 동일한 종류인 것을 특징을 하는 리튬-황 전지
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제 9항에 따른 리튬-황전지가 단위 스택으로 적층된 바이폴라 스택 구조의 리튬-황 전지 시스템
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제 10항에 있어서, 상기 단위스택과 단위스택 사이에는 추가 격막구조가 없는 것을 특징을 하는 리튬-황 전지 시스템
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리튬-황 전지 분리막 제조방법으로, 음이온 기능기를 갖는 전도성 고분자에 가소제를 함침시키는 단계; 및 상기 전도성 고분자를 팽윤시키는 단계를 포함하고,상기 가소제는 염을 포함하지 않는 비수전해액이며, 상기 비수전해액은 N-메틸-2-피롤리디논, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌카보네이트, 부틸렌카보네이트, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 감마-부틸로락톤, 1,2-디메톡시 에탄, 테트라히드록시 프랑(franc), 2-메틸 테트라하이드로푸란, 테트라글라임, 디메틸술폭시드, 1,3-디옥소런, 포름아미드, 디메틸포름아미드, 디옥소런, 아세토니트릴, 니트로메탄, 포름산 메틸, 초산메틸, 인산 트리에스테르, 트리메톡시 메탄, 디옥소런유도체, 설포란, 메틸설포란, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 프로필렌카보네이트 유도체, 테트라하이드로푸란유도체, 다이글라임(DEGDME), 에테르, 피로피온산메틸, 및 프로피온산 에틸로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 리튬-황 전지 분리막 제조방법
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