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적어도 하나의 그래핀 층;상기 적어도 하나의 그래핀 층 상에 상기 적어도 하나의 그래핀 층으로부터 에피택셜 재결정화된 강유전성 고분자 결정층; 및상기 강유전성 고분자 결정층 상의 적어도 하나의 도전성 전극층을 포함하며,상기 강유전성 고분자 결정층은 상기 그래핀 층의 상기 그래핀의 격자의 센터-투-센터 방향으로부터 10° 내지 80 ° 씩 회전하여 에피택셜 재결정화되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 강유전성 고분자 결정층은 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), 상기 폴리비닐리덴 플로라이드를 포함하는 중합체, PVDF-TrFE, PVDF-HFP, PVDF-CTFE와 같은 공중합체, 또는 PVDF-TrFE-CFE 또는 PVDF-TrFE-CTFE와 같은 삼원공중합체, 나일론, 시아노중합체, 및 이들의 중합체, 공중합체 또는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 강유전성 고분자 결정층은 80 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 강유전성 고분자 결정층은 1 nm 내지 4000 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 도전성 전극층은 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 망간(Mn), 주석(Sn) 또는 이의 합금, 질화물 또는 산화물, 실리콘(Si), 실리콘 화합물, 활성탄(activated carbon), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nano tube) 및 풀러린(fullerene) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀 층이 형성되는 그래핀 기저층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 7 항에 있어서,상기 그래핀 기저층은 실리콘계 재료, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 재료, Ⅱ-Ⅵ족 반도체 재료, 혼합 반도체 재료, 산화물 반도체 재료, 나노 스케일 재료 또는 이들의 복합 재료, 셀룰로오스계 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate; PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate; PEN)를 포함하는 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌 수지, 염화 폴리비닐 수지, 폴리카보네이트(PC), 폴리에테리 술폰(PES), 폴리에테르 에테르케톤(PEEK), 황화 폴리페닐렌(PPS), 폴리트리페닐아민(PTAA) 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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적어도 하나의 그래핀층을 제공하는 단계;상기 적어도 하나의 그래핀층 상에 상기 적어도 하나의 그래핀층으로부터 강유전성 고분자 결정층을 에피택셜 재결정화시키는 단계;상기 강유전성 고분자 결정층 상에 적어도 하나의 도전성 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 에피택셜 재결정화시키는 단계는, 상기 강유전성 고분자 결정층이 상기 그래핀 층의 상기 그래핀의 격자의 센터-투-센터 방향으로부터 10 ° 내지 80 ° 씩 회전하여 성장되는 반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 에피택셜 재결정화시키는 단계는,상기 적어도 하나의 그래핀층 상에 상기 강유전성 고분자를 포함하는 용액을 도포하는 단계; 및 상기 그래핀층과 상기 용액의 혼합 이후에 80 ℃ 내지 300 ℃ 의 온도로 열처리하여 상기 그래핀층 상에 상기 강유전성 고분자를 에피택셜 재결정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 강유전성 고분자는 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), 상기 폴리비닐리덴 플로라이드를 포함하는 중합체, PVDF-TrFE, PVDF-HFP, PVDF-CTFE와 같은 공중합체, 또는 PVDF-TrFE-CFE 또는 PVDF-TrFE-CTFE와 같은 삼원공중합체, 나일론, 시아노중합체, 및 이들의 중합체, 공중합체 또는 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 강유전성 고분자 결정층은 1nm 내지 4000nm 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 도전성 전극층은 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 망간(Mn), 주석(Sn) 또는 이의 합금, 질화물 또는 산화물, 실리콘(Si), 실리콘 화합물, 활성탄(activated carbon), 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(carbon nano tube) 및 풀러린(fullerene) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 4 항 기재의 상기 반도체 소자를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
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적어도 하나의 그래핀 층;상기 적어도 하나의 그래핀 층 상에 형성되는 바늘 형상의 결정 구조를 갖는 강유전성 고분자 결정층; 및상기 강유전성 고분자 결정층 상의 적어도 하나의 도전성 전극층을 포함하며,상기 강유전성 고분자 결정층은 상기 그래핀 층의 상기 그래핀의 격자의 센터-투-센터 방향으로부터 10° 내지 80 ° 씩 회전하여 에피택셜 재결정화되는 반도체 소자
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