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기판 상에 제1 3-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 3-5족 화합물 반도체층 상에 제1 금속 배선을 형성하는 단계; 및상기 제1 금속 배선 및 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층을 모두 덮도록 제1 비정질 절연층을 형성하는 단계; 상기 제1 비정질 절연층 상에 접착층을 직접적으로 형성하는 단계;상기 접착층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 제2 3-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 접착층은 3-5족 화합물을 포함하고,상기 버퍼층은 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층보다 밴드갭이 더 큰 물질을 포함하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 제1 3-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층 상에 제1 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 제1 버퍼층 상에 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 기판 상에 제1 3-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계는,상기 제1 3-5족 화합물 반도체층을 패터닝하여 하나 이상의 반도체 소자를 구성하는 단계를 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 제1 3-5족 화합물 반도체층 및 상기 제2 3-5족 화합물 반도체층은 메모리 소자, 비메모리 소자 또는 이들의 조합을 구성하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 3-5족 화합물 반도체층 상에 제2 금속 배선을 형성하는 단계; 및상기 제2 금속 배선 및 상기 제2 3-5족 화합물 반도체층을 덮도록 제2 비정질 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1 또는 제2 비정질 절연층은 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제3항에 있어서,상기 제1 접착층은 3-5족 화합물인 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서,3-5족 화합물 반도체층이 적층되도록, 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층을 형성하는 단계 내지 제1 비정질 절연층을 형성하는 단계를 소정 횟수 반복하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자 제조방법
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기판 상에 형성된 제1 3-5족 화합물 반도체층;상기 제1 3-5족 화합물 반도체층 상에 형성된 제1 금속배선; 상기 제1 금속배선 및 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층을 모두 덮도록 형성된 제1 비정질 절연층;상기 제1 비정질 절연층 상에 직접적으로 형성된 접착층;상기 접착층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 제2 3-5족 화합물 반도체층을 포함하며,상기 접착층은 3-5족 화합물을 포함하고,상기 버퍼층은 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층보다 밴드갭이 더 큰 물질을 포함하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제10항에 있어서,제1 접착층 및 제1 버퍼층을 더 포함하되, 상기 접착층 및 상기 버퍼층은 순차적으로 상기 기판과 상기 제1 3-5족 화합물 반도체층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제12항에 있어서,상기 제1 3-5족 화합물 반도체층 및 상기 제2 3-5족 화합물 반도체층은 메모리 소자, 비메모리 소자 또는 이들의 조합을 구성하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 제2 3-5족 화합물 반도체층 상에 형성된 제2 금속배선; 및상기 제2 금속배선 및 상기 제2 3-5족 화합물 반도체층을 덮도록 형성된 제2 비정질 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제14항에 있어서,상기 제1 또는 제2 비정질 절연층은 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제12항에 있어서,상기 제1 접착층은 3-5족 화합물인 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 3-5족 화합물 반도체층, 상기 제1 금속배선 및 상기 제1 비정질 절연층이 반복적으로 적층되고, 각 적층 단위마다 3-5족 화합물 반도체층의 구조는 상이하거나 동일한 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 3-5족 화합물 반도체층은,하나 이상의 반도체 소자로 구성된 것을 특징으로 하는 비정질 절연층을 이용한 적층형 3-5족 반도체 소자
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