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비정질 탄소막(amorphous carbon layer)을 포함하는 펠리클(pellicle)을 형성하고,레티클(reticle)상에 상기 펠리클을 부착시키고,상기 펠리클을 투과하여 상기 레티클에 반사된 극자외선(extreme ultraviolet)을 이용하여 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 펠리클을 형성하는 것은,제1 영역 및 상기 제1 영역의 양측에 형성된 제2 영역을 포함하는 기판을 제공하고,상기 기판의 제1 면 상에 제1 유전막을 형성하고,상기 제1 유전막 상에 상기 비정질 탄소막을 형성하고,상기 기판의 상기 제1 면과 반대되는 상기 기판의 제2 면 상에 제2 유전막을 형성하고,상기 기판의 상기 제1 영역과 오버랩되는 상기 제2 유전막을 식각하여 마스크 패턴을 형성하고,상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 상기 제1 영역 및 상기 기판의 상기 제1 영역 상에 형성된 상기 제1 유전막을 식각하여, 상기 기판의 상기 제2 영역 및 식각되지 않은 상기 제1 유전막의 나머지 일부를 포함하는 지지체를 형성하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 지지체를 형성하는 것은,상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 상기 제1 영역을 KOH로 습식 식각하고,상기 기판의 상기 제1 영역 상에 형성된 상기 제1 유전막을 BOE(buffered oxide etcher) 또는 불화수소(HF)로 습식 또는 증기(vapor) 식각하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 2항에 있어서,상기 제1 유전막은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 유전막은 실리콘 질화물을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 지지체를 형성하는 것은,상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판의 상기 제1 영역을 이방성 식각하고,상기 기판의 상기 제1 영역 상에 형성된 상기 제1 유전막을 등방성 식각하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 기판의 제2 면 상에 상기 제2 유전막을 형성한 후,상기 비정질 탄소막을 덮는 보호막을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 레티클 상에 상기 펠리클을 부착시키는 것은,상기 레티클에 설치된 고정부를 이용하여 상기 펠리클을 상기 레티클 상에 부착시키는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 지지체를 형성하는 것은,상기 기판의 상기 제1 영역 및 상기 기판의 상기 제1 영역 상에 형성된 상기 제1 유전막을 식각한 후,상기 마스크 패턴을 제거하고,식각되지 않은 상기 제1 유전막의 나머지 일부 상에 접착막을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 지지체를 형성하는 것은,상기 마스크 패턴 상에 접착막을 형성하는 것을 더 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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비정질 탄소막(amorphous carbon layer)을 포함하는 펠리클(pellicle)을 형성하고,레티클(reticle)상에 상기 펠리클을 부착시키고,상기 펠리클을 투과하여 상기 레티클에 반사된 극자외선(extreme ultraviolet)을 이용하여 제1 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 펠리클을 형성하는 것은,실리콘 기판의 제1 면 상에 제1 실리콘 산화막을 형성하고,상기 제1 실리콘 산화막 상에 상기 비정질 탄소막을 형성하고,상기 실리콘 기판의 상기 제1 면과 반대되는 상기 실리콘 기판의 제2 면에 실리콘 질화막을 형성하고,상기 비정질 탄소막을 덮는 제2 실리콘 산화막을 형성하고,상기 실리콘 질화막 상에 제2 포토 레지스트 패턴을 형성하고,상기 제2 포토 레지스트 패턴을 이용하여 상기 실리콘 질화막을 건식 식각하여 마스크 패턴을 형성하고,상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 실리콘 기판 및 상기 제1 실리콘 산화막을 습식 식각하여, 식각되지 않은 상기 실리콘 기판 및 식각되지 않은 상기 제1 실리콘 산화막을 포함하는 지지체를 형성하고,상기 제2 실리콘 산화막을 제거하는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 지지체의 일부를 형성하는 상기 실리콘 기판의 폭은 상기 제1 실리콘 산화막에 가까울수록 커지는 반도체 장치의 제조 방법
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