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다음 단계를 포함하는 개시제를 사용한 화학기상증착(iCVD)을 이용한 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법:(a) 개시제, 무극성 단량체 및 전자주게 그룹을 포함하는 단량체를 iCVD 반응기 내로 유입시킨 다음, 개시제로부터 형성된 라디칼이 상기 무극성 단량체 또는 상기 전자주게 그룹을 포함하는 단량체를 공격하여 기판 상에 무극성 단량체 및 전자주게 그룹을 포함하는 단량체의 공중합체를 형성하는 단계; 및(b) (a) 단계의 반응을 정지시킨 다음, 진공상태에서 개시제 및 무극성 단량체를 투입하고 중합반응시켜 무극성 중합체로 상기 공중합체가 형성된 기판을 표면처리하는 단계
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속, 금속산화물, 목재, 종이, 섬유, 플라스틱, 고무, 피혁 및 실리콘으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무극성 단량체 및 상기 전자주게 그룹을 포함하는 단량체는 비닐기(vinyl group)를 2개 이상 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무극성 단량체는 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산, 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 및 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸-디실록산으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전자주게 그룹을 포함하는 단량체는 1-비닐이미다졸(1-vinylimidazole), 2-디메틸아미노에틸 메타아크릴레이트(2-(dimethylamino)ethyl methacrylate), N-(4-비닐벤질)-N,N-디메틸아민(N-(4-vinylbenzyl)-N,N-dimethylamine) 및 4-비닐피리딘(4-vinylpyridine)으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전자주게 그룹을 포함하는 단량체는 불소 작용기를 가진 단량체인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 불소 작용기를 가진 단량체는 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl methacrylate(PFDMA), 1H,1H,2H,2H-헵타데카플루오로데실 아크릴레이트(1H,1H,2H,2H-heptadecaflurodecyl acrylate), 펜타플루오로페닐 메타아크릴레이트(pentafluorophenyl methacrylate) 및 2-퍼플루오로헥실에틸 메타아크릴레이트(2-perfluorohexylethyl methacrylate)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 기판의 온도를 25~38℃, 반응기내 압력을 200~400mTorr로 유지하면서 10~60분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 무극성 단량체와 전자주게 그룹을 포함하는 단량체의 투입량(몰비)은 1:0
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제1항에 있어서, 상기 무극성 단량체:개시제: 전자주게 그룹을 포함하는 단량체의 투입속도(sccm)는 0
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제1항에 있어서, 상기 개시제는 화학식 1 내지 화학식 5의 퍼옥사이드(peroxide) 화합물 및 벤조페논(benzophenone) 화합물로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막의 제조방법
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기판 위에 무극성 단량체와 전자주게 그룹을 포함하는 단량체의 공중합체가 15~1000nm 두께로 증착되고, 그 상부에 무극성 단량체의 중합체가 3~100nm 두께로 표면처리되어, 전체 막의 두께가 18~1100nm이고, 절연특성이 ±3 MV/cm 범위에서 10-7A/cm2 이하인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막
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제12항에 있어서, 상기 무극성 단량체와 전자주게 그룹을 포함하는 단량체의 몰비율이 6:1 ~ 1:6인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막
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알루미늄이 증착된 유리기판 위에 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산과 1-비닐이미다졸의 공중합체가 15~1000nm 두께로 증착되고, 그 상부에 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산 중합체가 3~100nm 두께로 표면처리되어, 전체 막의 두께가 18~1100nm이고, 절연특성이 ±3 MV/cm 범위에서 10-7A/cm2 이하인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막
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제14항에 있어서, 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산과 1-비닐이미다졸의 몰비율이 6:1~1:6인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막
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알루미늄이 증착된 유리기판 위에 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산과 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트의 공중합체가 70~1000nm의 두께로 증착되고, 그 상부에 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록 중합체가 3~100nm 두께로 표면처리되며 절연특성이 ±2 MV/cm 범위에서 10-8A/cm2 이하인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막
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제16항에 있어서, 1,3,5-트리비닐-1,3,5-트리메틸시클로트리실록산과 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-헵타데카플루오로데실 메타크릴레이트의 몰비율이 3:1~4:1인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터용 절연막
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